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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFI9Z24GPBF	2.6600	RFQ	1536年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI9Z24GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	8.5A（TC）	10V	280MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	37W（TC）
SIS184DN-T1-GE3	1.4900	RFQ	9306	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS184	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	17.4a（TA），65.3a tc）	7.5V，10V	5.8mohm @ 10a，10v	3.4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 30 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SIHB30N60E-GE3	6.0700	RFQ	879	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHB30N60EGE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI3429EDV-T1-GE3	0.4700	RFQ	2398	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3429	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8a（8a ta），8a tc（8a tc）	1.8V，4.5V	21MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±8V	4085 pf @ 50 V	-	4.2W（TC）
2N4860JTX02	-	RFQ	7381	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4860			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SIS426DN-T1-GE3	-	RFQ	4830	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS426	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	35A（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1570 pf @ 10 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI7658ADP-T1-GE3	2.9200	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7658	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	4590 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
2N4859JTX02	-	RFQ	3226	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4859			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SIRS4301DP-T1-GE3	3.4700	RFQ	7455	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRS4301	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	53.7a（ta），227a（tc）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	255 NC @ 4.5 V	±20V	19750 pf @ 15 V	-	7.4W（TA），132W（tc）
SI7726DN-T1-GE3	0.3822	RFQ	8983	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7726	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1765 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SUM40014M-GE3	3.4900	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	sum40014	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	200a（TC）		0.99mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	275 NC @ 10 V	±20V	15780 pf @ 20 V	-	375W（TC）
SI3433CDV-T1-GE3	0.5100	RFQ	2156	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3433	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6A（TC）	1.8V，4.5V	38mohm @ 5.2A，4.5V	1V @ 250µA	45 NC @ 8 V	±8V	1300 pf @ 10 V	-	1.6W（TA），3.3W（tc）
SQD40N06-14L_GE3	1.7000	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	40a（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2105 pf @ 25 V	-	75W（TC）
SQ4284EY-T1_GE3	1.6200	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4284	MOSFET （金属 o化物）	3.9W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	-		13.5MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 250µA	45nc @ 10V		2200pf @ 25V	逻辑级别门
SI5908DC-T1-E3	1.3900	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5908	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4.4a		40mohm @ 4.4a，4.5V	1V @ 250µA	7.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI34555555ADV-T1-E3	-	RFQ	8487	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3455	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.7a（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 3.5a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
IRF740BPBF	1.4900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	526 pf @ 100 V	-	147W（TC）
SQJ146ELP-T1_GE3	0.9400	RFQ	2030	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ146	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ146ELP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	74A（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRFR210TRPBF-BE3	1.1700	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR210	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	2.6A（TC）		1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SQJ444EP-T1_BE3	1.3300	RFQ	9631	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ44444EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	5000 pf @ 25 V	-	68W（TC）
SIDR140DP-T1-RE3	2.6900	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	79A（ta），100a（tc）	4.5V，10V	0.67MOHM @ 20A，10V	2.1V @ 250µA	170 NC @ 10 V	+20V，-16V	8150 pf @ 10 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
irli620g	-	RFQ	4748	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irli620g	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	4A（TC）	4V，5V	800MOHM @ 2.4a，5V	2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±10V	360 pf @ 25 V	-	30W（TC）
SIS443DN-T1-GE3	1.5900	RFQ	134	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS443	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	35A（TC）	4.5V，10V	11.7mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	4370 pf @ 20 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
IRFR9120TRLPBF	1.6400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	5.6A（TC）	10V	600MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI7138DP-T1-E3	-	RFQ	6191	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7138	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	30A（TC）	6V，10V	7.8mohm @ 19.7a，10v	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 30 V	-	5.4W（ta），96w（tc）
SI8469DB-T2-E1	-	RFQ	6714	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga	SI8469	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	4.6a（ta）	4.5V	64mohm @ 1.5A，4.5V	800MV @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±5V	900 pf @ 4 V	-	（780MW）（TA），1.8W（tc）
IRL530	-	RFQ	9746	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL530	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	15A（TC）	4V，5V	160MOHM @ 9A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	88W（TC）
SI3951DV-T1-E3	-	RFQ	7314	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3951	MOSFET （金属 o化物）	2W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.7a		115mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.1nc @ 5V		250pf @ 10V	逻辑级别门
SIA426DJ-T1-GE3	-	RFQ	1651年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA426	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	4.5A（TC）	2.5V，10V	23.6mohm @ 9.9a，10V	1.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±12V	1020 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SIHA15N60E-GE3	3.0700	RFQ	1682年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA15N60E-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 100 V	-	34W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²