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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHF23N60E-GE3	1.7972	RFQ	9785	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF23	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	23A（TC）	10V	158mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±30V	2418 PF @ 100 V	-	35W（TC）
SI4104DY-T1-E3	-	RFQ	6361	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4104	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	4.6A（TC）	10V	105MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	446 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SI7404DN-T1-E3	-	RFQ	7311	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7404	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	8.5a（ta）	2.5V，10V	13mohm @ 13.3a，10v	1.5V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
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SI3951DV-T1-E3	-	RFQ	7314	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3951	MOSFET （金属 o化物）	2W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.7a		115mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.1nc @ 5V		250pf @ 10V	逻辑级别门
SI7117DN-T1-E3	1.3200	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7117	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	2.17A（TC）	6V，10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），12.5W（tc）
SI1900DL-T1-E3	0.6000	RFQ	3537	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1900	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	590mA		480MOHM @ 590mA，10V	3V @ 250µA	1.4NC @ 10V		-	逻辑级别门
SUP57N20-33-E3	4.6700	RFQ	45	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP57	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SUP57N2033E3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	57A（TC）	10V	33mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），300W（tc）
SIR330DP-T1-GE3	-	RFQ	8799	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir330	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	5.6mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 15 V	-	5W（5W），27.7W（TC）
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SI7138DP-T1-E3	-	RFQ	6191	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7138	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	30A（TC）	6V，10V	7.8mohm @ 19.7a，10v	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 30 V	-	5.4W（ta），96w（tc）
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IRF9Z20	-	RFQ	2062	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF9Z20	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	50 V	9.7a（TC）	10V	280MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	480 pf @ 25 V	-	40W（TC）
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IRFR9214TR	-	RFQ	9404	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	250 v	2.7A（TC）	10V	3ohm @ 1.7a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFR9110TRLPBF	1.5900	RFQ	1511	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI7848DP-T1-E3	-	RFQ	5191	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7848	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	10.4a（ta）	4.5V，10V	9mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±20V		-	1.83W（TA）
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IRFPC50	-	RFQ	8089	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC50	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPC50	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	11A（TC）	10V	600mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	180W（TC）
SI1022R-T1-GE3	0.6300	RFQ	40	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1022	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	330ma（ta）	4.5V，10V	1.25ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 25 V	-	250MW（TA）
SI4823DY-T1-GE3	-	RFQ	4938	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4823	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	4.1A（TC）	2.5V，4.5V	108mohm @ 3.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±12V	660 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.7W（ta），2.8W（TC）
SI5513DC-T1-GE3	-	RFQ	7782	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5513	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	3.1a，2.1a		75MOHM @ 3.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	6NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI5441BDC-T1-GE3	1.1800	RFQ	6324	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5441	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.4a（ta）	2.5V，4.5V	45MOHM @ 4.4A，4.5V	1.4V @ 250µA	22 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SI7620DN-T1-GE3	-	RFQ	9098	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7620	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	13A（TC）	10V	126mohm @ 3.6A，10V	4.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 75 V	-	3.8W（TA），5.2W（TC）
IRF520STRR	-	RFQ	4252	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	9.2A（TC）	10V	270MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SIE818DF-T1-GE3	1.9970	RFQ	1947年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE818	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	75 v	60a（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 16a，10v	3V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 38 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
IRFBC40APBF	2.4900	RFQ	496	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC40APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	1036 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI2302DDS-T1-GE3	0.5000	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2302	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.9a（TJ）	2.5V，4.5V	57MOHM @ 3.6A，4.5V	850mv @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	710MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²