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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFR310TRPBF	1.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SQ4410EY-T1_BE3	1.5200	RFQ	4	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4410	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）		742-SQ4410EY-T1_BE3CT	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	15A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2385 pf @ 25 V	-	5W（TC）
SI4925BDY-T1-GE3	1.7000	RFQ	1623年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4925	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	5.3a		25mohm @ 7.1a，10v	3V @ 250µA	50NC @ 10V		-	逻辑级别门
SIA813DJ-T1-GE3	-	RFQ	7261	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA813	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（TC）	1.8V，4.5V	94mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	13 NC @ 8 V	±8V	355 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.9W（ta），6.5W（TC）
SIHP22N60S-E3	-	RFQ	1043	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	SIHP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP22N60SE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	22a（TC）		190mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V		2810 PF @ 25 V	-
SISS65DN-T1-GE3	0.9000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS65	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	25.9a（ta），94A（tc）	4.5V，10V	4.6mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	4930 PF @ 15 V	-	5.1W（TA），65.8W（tc）
SQJ431AEP-T1_GE3	1.6400	RFQ	7662	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ431	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	200 v	9.4A（TC）	6V，10V	305MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	3700 PF @ 25 V	-	68W（TC）
IRFD9110	-	RFQ	9745	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9110	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD9110	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	700mA（TA）	10V	1.2OHM @ 420mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SI1431DH-T1-GE3	-	RFQ	8912	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1431	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 2a，10v	3V @ 100µA	4 NC @ 4.5 V	±20V		-	950MW（TA）
SI7390DP-T1-GE3	1.2191	RFQ	2476	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7390	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
SQD100N02_3M5L4GE3	0.6209	RFQ	5786	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD100	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQD100N02_3M5L4GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	100A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5500 pf @ 10 V	-	83W（TC）
SI7852DP-T1-GE3	2.9500	RFQ	795	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7852	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	7.6a（ta）	6V，10V	16.5MOHM @ 10A，10V	2V @ 250µA（）	41 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI6924AEDQ-T1-E3	-	RFQ	2812	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6924	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		28V	4.1a		33mohm @ 4.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4913DY-T1-GE3	-	RFQ	3943	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4913	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		20V	7.1a		15mohm @ 9.4a，4.5V	1V @ 500µA	65nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
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IRF9Z24PBF	1.9400	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	11A（TC）	10V	280MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	60W（TC）
SI1970DH-T1-E3	-	RFQ	7066	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1970	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	1.3a		225mohm @ 1.2A，4.5V	1.6V @ 250µA	3.8NC @ 10V		95pf @ 15V	逻辑级别门
SI4453DY-T1-GE3	-	RFQ	3197	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4453	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	12 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	6.5MOHM @ 14A，4.5V	900MV @ 600µA	165 NC @ 5 V	±8V		-	1.5W（TA）
SQ3419EV-T1_BE3	0.6900	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3419	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	6.9a（TC）	4.5V，10V	58MOHM @ 2.5A，10V	2.5V @ 250µA	11.3 NC @ 4.5 V	±20V	990 pf @ 20 V	-	5W（TC）
SUM110P04-05-E3	4.7600	RFQ	70	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	40 V	110A（TC）	10V	5mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	280 NC @ 10 V	±20V	11300 PF @ 25 V	-	（15W）（TA），375W（TC）
SIZ920DT-T1-GE3	-	RFQ	6771	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ920	MOSFET （金属 o化物）	39W，100W	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	40a		7.1MOHM @ 18.9a，10V	2.5V @ 250µA	35nc @ 10V		1260pf @ 15V	-
SUM70030E-GE3	3.6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum70030	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	150a（TC）	7.5V，10V	2.88mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	214 NC @ 10 V	±20V	10870 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRL540L	-	RFQ	1540年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL540	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL540L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）	4V，5V	77mohm @ 17a，5v	-	64 NC @ 5 V	±10V	2200 PF @ 25 V	-	-
SI4336DY-T1-E3	-	RFQ	8821	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4336	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	3.25mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	5600 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
SI7114DN-T1-GE3	0.8005	RFQ	8612	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7114	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11.7a（ta）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 18.3a，10V	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI4176DY-T1-E3	-	RFQ	1880年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4176	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 8.3a，10v	2.2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），5W（（（（（（（（
SIHD14N60E-BE3	2.3000	RFQ	9863	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD14	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）		742-SIHD14N60E-BE3	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	13A（TC）	10V	309MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	1205 pf @ 100 V	-	147W（TC）
SI7956DP-T1-E3	3.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7956	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		150V	2.6a		105MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	26NC @ 10V		-	逻辑级别门
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IRFR9020	-	RFQ	6135	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR9020	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²