RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF840SPBF	2.1000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF840SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI4880DY-T1-E3	-	RFQ	8371	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4880	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13A，10V	1.8V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±25V		-	2.5W（TA）
SIRC16DP-T1-RE3	1.3600	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SIRC16DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	57A（ta），60a tc（TC）	4.5V，10V	0.96mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	105 NC @ 10 V	+20V，-16V	5150 pf @ 10 V	（（（）	5W（5W），54.3W（TC）
SI4914DY-T1-E3	-	RFQ	6056	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4914	MOSFET （金属 o化物）	1.1W，1.16W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	5.5a，5.7a		23mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	8.5nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFL214Tr	-	RFQ	8398	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL214	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	250 v	790mA（tc）	10V	2ohm @ 470mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
irlu024pbf	1.7000	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRLU024	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irlu024pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	14A（TC）	4V，5V	100mohm @ 8.4a，5V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRF710	-	RFQ	9674	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF710	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF710	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	36W（TC）
IRFZ34L	-	RFQ	7988	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ34L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SI7844DP-T1-GE3	-	RFQ	6195	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7844	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	6.4a		22mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRFBC30ASTRR	-	RFQ	2952	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SIR580DP-T1-RE3	1.8900	RFQ	6082	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR580DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	35.8A（TA），146a （TC）	7.5V，10V	2.7MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	4100 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SISH129DN-T1-GE3	0.9300	RFQ	5287	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH129	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	14.4A（TA），35A（tc）	4.5V，10V	11.4mohm @ 14.4a，10v	2.8V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3345 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52.1W（TC）
SIR814DP-T1-GE3	-	RFQ	9411	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir814	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 20 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIR494DP-T1-GE3	1.1500	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir494	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 6 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SQJ410EP-T1_GE3	2.4400	RFQ	6209	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ410	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	32A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 10.3a，10v	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	6210 PF @ 15 V	-	83W（TC）
SUD50NP04-77P-T4E3	-	RFQ	9003	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD	SUD50	MOSFET （金属 o化物）	10.8W，24W	TO-252-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水		40V	8a		37MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V		640pf @ 20V	-
SIHK055N60EF-T1GE3	9.1100	RFQ	2	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn	SIHK055	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	40a（TC）	10V	58mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	3667 PF @ 100 V	-	236W（TC）
SI4430BDY-T1-GE3	1.8500	RFQ	9321	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4430	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
IRFR420Tr	-	RFQ	2389	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SISH112DN-T1-GE3	1.4900	RFQ	8296	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH112	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11.3A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 17.8A，10V	1.5V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±12V	2610 PF @ 15 V	-	1.5W（TC）
SQP50N06-09L_GE3	-	RFQ	7128	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	3065 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IRFB9N60A	-	RFQ	4304	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB9N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB9N60A	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	9.2A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SQ4153EY-T1_GE3	1.6500	RFQ	6784	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4153	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	12 v	25A（TC）	1.8V，4.5V	8.32MOHM @ 14A，4.5V	900mv @ 250µA	151 NC @ 4.5 V	±8V	11000 PF @ 6 V	-	7.1W（TC）
SIRA52DP-T1-RE3	0.5600	RFQ	2336	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira52	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 15A，10V	2.4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	+20V，-16V	7150 pf @ 20 V	-	48W（TC）
IRFPF30	-	RFQ	6955	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPF30	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SUD50N04-16P-E3	-	RFQ	6664	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	9.8A（TA），20A（tc）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±16V	1655 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），35.7W（TC）
SI1410EDH-T1-E3	-	RFQ	4328	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1410	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	2.9a（ta）	1.8V，4.5V	70MOHM @ 3.7A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	8 NC @ 4.5 V	±12V		-	1W（ta）
IRFBC40LCPBF	4.3900	RFQ	20	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC40LCPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
SI2323CDS-T1-GE3	0.7500	RFQ	6436	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2323	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6A（TC）	1.8V，4.5V	39mohm @ 4.6A，4.5V	1V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±8V	1090 pf @ 10 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SIJH5700E-T1-GE3	6.5400	RFQ	8533	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	150 v	17a（17a），174a（tc）	7.5V，10V	4.1MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 75 V	-	3.3W（333W）（333W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²