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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFL9110TRPBF-BE3	0.8800	RFQ	1456	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	1.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 660mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SQ7415AEN-T1_BE3	-	RFQ	9246	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQ7415	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载				Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	16A（TC）	4.5V，10V	65MOHM @ 5.7A，10V	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1385 PF @ 25 V	-	53W（TC）
SQ4435EY-T1_BE3	1.4400	RFQ	8199	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4435	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	742-SQ4435EY-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	15A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	2170 pf @ 15 V	-	6.8W（TC）
SQ4282EY-T1_BE3	1.5100	RFQ	92	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4282	MOSFET （金属 o化物）	3.9W（TC）	8-SOIC	下载		（1 （无限）	742-SQ4282EY-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8A（TC）		12.3mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	47NC @ 10V		2367pf @ 15V	-
SQJ951EP-T1_BE3	1.6100	RFQ	4	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ951	MOSFET （金属 o化物）	56W（TC）	POWERPAK®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	30A（TC）		17mohm @ 7.5a，10v	2.5V @ 250µA	50NC @ 10V		1680pf @ 10V	-
SQ2351ES-T1_BE3	0.6000	RFQ	8	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2351	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	742-SQ2351ES-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.2A（TC）	2.5V，4.5V	115MOHM @ 2.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±12V	330 pf @ 10 V	-	2W（TC）
SQ3427AEEV-T1_BE3	0.7800	RFQ	812	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3427	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	5.3A（TC）	4.5V，10V	95MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 30 V	-	5W（TC）
SI3430DV-T1-BE3	1.2500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3430	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	1.8A（ta）	6V，10V	170MOHM @ 2.4a，10V	4.2V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
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SQS423ENW-T1_GE3	-	RFQ	6729	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS423	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SQS423ENW-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	1975 pf @ 15 V	-	62.5W（TC）
SIHG039N60EF-GE3	12.4500	RFQ	5096	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG039	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2266-SIHG039N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	61A（TC）	10V	40mohm @ 32a，10v	5V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±30V	4323 PF @ 100 V	-	357W（TC）
SIHW21N80AE-GE3	4.7800	RFQ	3139	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHW21	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2266-SIHW21N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	800 v	17.4A（TC）	10V	235mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	1388 pf @ 100 V	-	32W（TC）
SIZF918DT-T1-GE3	1.5900	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF918	MOSFET （金属 o化物）	3.4W（ta），26.6W（tc），3.7W（ta（50W）（50W to）TC）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基		30V	（23A）（TA），40a tc）（35a ta），60a tc（60a tc）		4mohm @ 10a，10v，1.9mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA，2.3V @ 250µA	22nc @ 10v，56nc @ 10v		1060pf @ 15V，2650pf @ 15V	-
SIR164ADP-T1-GE3	1.0700	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir164	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35.9a（ta），40a tc）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	77 NC @ 10 V	+20V，-16V	3595 pf @ 15 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
SIHD3N50DT4-GE3	0.3563	RFQ	8362	Vishay Siliconix	d	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	175 pf @ 100 V	-	69W（TC）
SIHFL110TR-GE3	0.6300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SIHFL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.5A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SIHB6N80E-GE3	1.3550	RFQ	1217	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB6	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	5.4A（TC）	10V	940MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±30V	827 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SIHFZ48S-GE3	1.0810	RFQ	4427	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHFZ48	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	50A（TC）	10V	18mohm @ 43a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.7W（190W）（TC）
SIHF530STRL-GE3	1.0700	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SIHG47N60AEF-GE3	8.7500	RFQ	2163	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	40a（TC）	10V	70mohm @ 23.5a，10v	4V @ 250µA	189 NC @ 10 V	±30V	3576 pf @ 100 V	-	313W（TC）
SIA483ADJ-T1-GE3	0.5300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA483	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	10.6a（ta），12a（tc）	4.5V，10V	20mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	+16V，-20V	950 pf @ 15 V	-	3.4W（TA），17.9W（tc）
SIHA690N60E-GE3	0.9150	RFQ	4904	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha690	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	4.3A（TC）	10V	700MOHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	347 PF @ 100 V	-	29W（TC）
SIHA186N60EF-GE3	2.8600	RFQ	1	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHA186	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）	742-SIHA186N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	8.4A（TC）	10V	193MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	1081 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SIHB186N60EF-GE3	2.9600	RFQ	2	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB186	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	742-SIHB186N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	8.4A（TC）	10V	193MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	1081 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SQJ146ELP-T1_GE3	0.9400	RFQ	2030	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ146	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）	742-SQJ146ELP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	74A（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 25 V	-	75W（TC）
SQJ142ELP-T1_GE3	1.1600	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ142	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-		（1 （无限）	742-SQJ142ELP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	175a（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	3015 PF @ 25 V	-	190w（TC）
sihu2n80ae-ge3	1.0000	RFQ	7765	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	sihu2	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SIHU2N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	800 v	2.9a（TC）	10V	2.9ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	180 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
SQJA666EP-T1_GE3	1.4400	RFQ	8768	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA66	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	75A（TC）	10V	3mohm @ 10a，10v	3.3V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	标准	68W（TC）
SQJ138EP-T1_GE3	1.6400	RFQ	1233	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ138	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SQJ138EP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	330a（TC）	10V	1.8mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	4715 PF @ 25 V	-	312W（TC）
SQ3495EV-T1_GE3	0.6900	RFQ	18	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3495	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SQ3495EV-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	8A（TC）	2.5V，10V	21MOHM @ 5A，4.5V	1.4V @ 250µA	41 NC @ 4.5 V	±12V	3950 PF @ 20 V	-	5W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²