晶体管(5716)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
IRFI9620GPBF	2.4800	询价	5	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全封装，隔离片	IRFI9620	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRFI9620GPBF	EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道	200V	3A（温度）	10V	1.5欧姆@1.8A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	15V时为340pF	-	30W（温度）
SI4484EY-T1-GE3	-	询价	2659	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4484	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	100伏	4.8A（塔）	6V、10V	34毫欧@6.9A，10V	2V @ 250μA（最低）	30nC@10V	±20V		-	1.8W（塔）
SUD50N10-34P-T4-E3	-	询价	6384	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	50苏丹元	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	100伏	5.9A（Ta）、20A（Tc）	6V、10V	34毫欧@7A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	1800pF@25V	-	2.5W（Ta）、56W（Tc）
SUP85N04-03-E3	-	询价	2150	威世硅科	TrenchFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SUP85	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	40V	85A（温度）	4.5V、10V	3.5毫欧@30A，10V	3V@250μA	250nC@10V	±20V	6860pF@25V	-	3.75W（Ta）、250W（Tc）
IRFBC40AS	-	询价	7915	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRFBC40	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFBC40AS	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	6.2A（温度）	10V	1.2欧姆@3.7A，10V	4V@250μA	42nC@10V	±30V	1036pF@25V	-	125W（温度）
IRFD310PBF	1.6300	询价	2	威世硅科	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD310	MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	400V	350mA（塔）	10V	3.6欧姆@210mA，10V	4V@250μA	17nC@10V	±20V	170pF@25V	-	1W（塔）
SISS5112DN-T1-GE3	1.5600	询价	5441	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8S	SISS5112	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100伏	11A（Ta）、40.7A（Tc）	7.5V、10V	14.9毫欧@10A、10V	4V@250μA	16nC@10V	±20V	790 pF @ 50 V	-	3.7W（Ta）、52W（Tc）
SI7390DP-T1-GE3	1.2191	询价	2476	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7390	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	9A（塔）	4.5V、10V	9.5毫欧@15A，10V	3V@250μA	15nC@4.5V	±20V		-	1.8W（塔）
SI7194DP-T1-GE3	-	询价	4426	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7194	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	25V	60A（温度）	4.5V、10V	2mOhm@20A，10V	2.6V@250μA	145nC@10V	±20V	6590pF@15V	-	5.4W（Ta）、83W（Tc）
SI1467DH-T1-GE3	0.6700	询价	9993	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SI1467	MOSFET（金属O化物）		SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	2.7A（温度）	1.8V、4.5V	90毫欧@2A，4.5V	1V@250μA	13.5nC@4.5V	±8V	561pF@10V	-	1.5W（Ta）、2.78W（Tc）
SQD30N05-20L_T4GE3	0.4851	询价	9765	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	30平方尺	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SQD30N05-20L_T4GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	55V	30A（温度）	4.5V、10V	20毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	18nC@5V	±20V	1175pF@25V	-	50W（温度）
SI8469DB-T2-E1	-	询价	6714	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-UFBGA	SI8469	MOSFET（金属O化物）		4-微足	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	8V	4.6A（塔）	4.5V	64毫欧@1.5A，4.5V	800mV@250μA	17nC@4.5V	±5V	900pF@4V	-	780mW（Ta）、1.8W（Tc）
SIHB22N60ET1-GE3	3.5600	询价	9622	威世硅科	B	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SIHB22	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	600伏	21A（温度）	10V	180毫欧@11A，10V	4V@250μA	86nC@10V	±30V	1920pF@100V	-	227W（温度）
SI1551DL-T1-E3	-	询价	5875	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SI1551	MOSFET（金属O化物）	270毫W	SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道		20V	290毫安、410毫安		1.9欧姆@290mA，4.5V	1.5V@250μA	1.5nC@4.5V		-	逻辑电平门
SI3460BDV-T1-BE3	0.9100	询价	48	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载		1（无限制）		742-SI3460BDV-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	6.7A（Ta）、8A（Tc）	1.8V、4.5V	27毫欧@5.1A，4.5V	1V@250μA	24nC@8V	±8V	10V时为860pF	-	2W（Ta）、3.5W（Tc）
SUP70040E-GE3	3.0600	询价	第490章	威世硅科	TrenchFET®	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SUP70040	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	100伏	120A（温度）	7.5V、10V	4mOhm@20A，10V	4V@250μA	120nC@10V	±20V	5100pF@50V	-	375W（温度）
SIHF23N60E-GE3	1.7972	询价	9785	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	SIHF23	MOSFET（金属O化物）		TO-220全包	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	23A（温度）	10V	158毫欧@12A，10V	4V@250μA	95nC@10V	±30V	100V时为2418pF	-	35W（温度）
SIHK105N60E-T1-GE3	5.6900	询价	50	威世硅科	EF	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerBSFN		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK®10 x 12	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SIHK105N60E-T1-GE3CT	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	600伏	24A（温度）	10V	105毫欧@10A、10V	5V@250μA	51nC@10V	±30V	100V时为2301pF	-	142W（温度）
SQJQ142E-T1_GE3	2.5200	询价	第1641章	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET® Gen IV	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 8 x 8	SQJQ142	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 8 x 8	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SQJQ142E-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	40V	460A（温度）	10V	1.24毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	130nC@10V	±20V	6975pF@25V	-	500W（温度）
IRFZ20PBF-BE3	1.9000	询价	第657章	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRFZ20	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）		742-IRFZ20PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	50V	15A（温度）		100毫欧@10A，10V	4V@250μA	17nC@10V	±20V	860pF@25V	-	40W（温度）
IRF840APBF-BE3	1.9400	询价	1	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF840	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-		1（无限制）		742-IRF840APBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	500V	8A（温度）	10V	850毫欧@4.8A，10V	4V@250μA	38nC@10V	±30V	1018pF@25V	-	125W（温度）
SI7463DP-T1-E3	2.9400	询价	第367章	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7463	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	40V	11A（塔）	4.5V、10V	9.2毫欧@18.6A，10V	3V@250μA	140nC@10V	±20V		-	1.9W（塔）
SQM120N06-06_GE3	2.9400	询价	9218	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	平方米120	MOSFET（金属O化物）		TO-263 (D²Pak)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	60V	120A（温度）	10V	6毫欧@30A，10V	3.5V@250μA	145nC@10V	±20V	6495pF@25V	-	230W（温度）
SIR880BDP-T1-RE3	1.3100	询价	2	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	18.6A（Ta）、70.6A（Tc）	4.5V、10V	6.5毫欧@10A、10V	2.4V@250μA	66nC@10V	±20V	2930pF@40V	-	5W（Ta）、71.4W（Tc）
SI4154DY-T1-GE3	1.4900	询价	9625	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4154	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	40V	36A（温度）	4.5V、10V	3.3毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	105nC@10V	±20V	4230pF@20V	-	3.5W（Ta）、7.8W（Tc）
SIDR5802EP-T1-RE3	2.8700	询价	5	威世硅科	TrenchFET®第五代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIDR5802	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8DC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	34.2A（Ta）、153A（Tc）	7.5V、10V	2.9毫欧@20A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	3020pF@40V	-	7.5W（Ta）、150W（Tc）
SIS434DN-T1-GE3	0.9700	询价	20	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SIS434	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	35A（温度）	4.5V、10V	7.6毫欧@16.2A，10V	2.2V@250μA	40nC@10V	±20V	1530pF@20V	-	3.8W（Ta）、52W（Tc）
SIHK125N60E-T1-GE3	5.2300	询价	2	威世硅科	B	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerBSFN		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK®10 x 12	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	600伏	21A（温度）	10V	125毫欧@12A，10V	5V@250μA	44nC@10V	±30V	100V时为1811pF	-	132W（温度）
SIA426DJ-T1-GE3	-	询价	第1651章	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-70-6	新航426	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	4.5A（温度）	2.5V、10V	23.6毫欧@9.9A，10V	1.5V@250μA	27nC@10V	±12V	10V时为1020pF	-	3.5W（Ta）、19W（Tc）
SQJ459EP-T1_GE3	1.4600	询价	1721	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SQJ459	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	60V	52A（温度）	4.5V、10V	18毫欧@3.5A，10V	2.5V@250μA	108nC@10V	±20V	4586pF@30V	-	83W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²