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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SISS40DN-T1-GE3	0.5292	RFQ	3401	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS40	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	36.5A（TC）	6V，10V	21mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	845 PF @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
2N6661JTXL02	-	RFQ	8572	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6661	MOSFET （金属 o化物）		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道	90 v	860mA（tc）	5V，10V	4ohm @ 1A，10V	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
SI4910DY-T1-E3	-	RFQ	3885	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4910	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	7.6a		27mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	32NC @ 10V		855pf @ 20V	-
SI2377EDS-T1-BE3	0.5200	RFQ	8759	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2377EDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.7A（TA），4.4a tc）	1.5V，4.5V	61MOHM @ 3.2a，4.5V	1V @ 250µA	21 NC @ 8 V	±8V		-	1.25W（TA），1.8W（tc）
SIR401DP-T1-GE3	0.9700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir401	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	50A（TC）	2.5V，10V	3.2MOHM @ 15A，10V	1.5V @ 250µA	310 NC @ 10 V	±12V	9080 pf @ 10 V	-	5W（5W），39W（tc）
SISS65DN-T1-GE3	0.9000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS65	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	25.9a（ta），94A（tc）	4.5V，10V	4.6mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	4930 PF @ 15 V	-	5.1W（TA），65.8W（tc）
SIA813DJ-T1-GE3	-	RFQ	7261	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA813	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（TC）	1.8V，4.5V	94mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	13 NC @ 8 V	±8V	355 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.9W（ta），6.5W（TC）
IRF740SPBF	2.8000	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF740SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI6924AEDQ-T1-E3	-	RFQ	2812	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6924	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		28V	4.1a		33mohm @ 4.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SQJ459EP-T2_GE3	1.2800	RFQ	8938	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ459EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	52A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 3.5a，10v	2.5V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	4586 pf @ 30 V	-	83W（TC）
SI9936BDY-T1-E3	-	RFQ	3861	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9936	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	4.5a		35mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	13nc @ 10V		-	逻辑级别门
SI4336DY-T1-E3	-	RFQ	8821	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4336	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	3.25mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	5600 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
SIZ900DT-T1-GE3	-	RFQ	2301	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ900	MOSFET （金属 o化物）	48W，100W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	24a，28a		7.2MOHM @ 19.4a，10V	2.4V @ 250µA	45nc @ 10V		1830pf @ 15V	逻辑级别门
SI4913DY-T1-GE3	-	RFQ	3943	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4913	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		20V	7.1a		15mohm @ 9.4a，4.5V	1V @ 500µA	65nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRL540L	-	RFQ	1540年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL540	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL540L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）	4V，5V	77mohm @ 17a，5v	-	64 NC @ 5 V	±10V	2200 PF @ 25 V	-	-
SI7114DN-T1-GE3	0.8005	RFQ	8612	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7114	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11.7a（ta）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 18.3a，10V	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.5W（TA）
IRFR9020	-	RFQ	6135	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR9020	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SI5403DC-T1-GE3	1.0400	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5403	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 7.2a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1340 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），6.3W（TC）
IRLZ34S	-	RFQ	6206	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ34	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLZ34S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	30A（TC）	4V，5V	50mohm @ 18a，5v	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±10V	1600 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SI7686DP-T1-E3	1.2300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7686	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 13.8A，10V	3V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1220 pf @ 15 V	-	5W（5W），37.9W（TC）
SQ4005EY-T1_BE3	1.0100	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4005	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）		742-SQ4005EY-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	12 v	15A（TC）	2.5V，4.5V	22mohm @ 13.5a，4.5V	1V @ 250µA	38 NC @ 4.5 V	±8V	3600 PF @ 6 V	-	6W（TC）
SIA461DJ-T1-GE3	0.4100	RFQ	9838	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA461	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	1.8V，4.5V	33MOHM @ 5.2A，4.5V	1V @ 250µA	45 NC @ 8 V	±8V	1300 pf @ 10 V	-	3.4W（TA），17.9W（tc）
SI9407BDY-T1-GE3	1.1200	RFQ	28	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9407	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	4.7A（TC）	4.5V，10V	120mohm @ 3.2a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 30 V	-	2.4W（ta），5W（（（（（（（（
SISF02DN-T1-GE3	1.5600	RFQ	28	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SCD	SISF02	MOSFET （金属 o化物）	5.2W（ta），69.4W（TC）	PowerPak®1212-8SCD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		25V	30.5A（TA），60a tc）		3.5MOHM @ 7A，10V	2.3V @ 250µA	56nc @ 10V		2650pf @ 10V	-
SQ9945BEY-T1_BE3	1.1100	RFQ	8725	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ9945	MOSFET （金属 o化物）	4W（TC）	8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	5.4A（TC）		64mohm @ 3.4a，10v	2.5V @ 250µA	12nc @ 10V		470pf @ 25V	-
SIHA12N50E-GE3	1.8700	RFQ	950	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA12N50E-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	10.5A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	886 pf @ 100 V	-	32W（TC）
SI1965DH-T1-GE3	0.5100	RFQ	8643	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1965	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	1.3a		390MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	4.2nc @ 8V		120pf @ 6V	逻辑级别门
SI5471DC-T1-GE3	0.7500	RFQ	1050	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5471	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6A（TC）	1.8V，4.5V	20mohm @ 9.1a，4.5V	1.1V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±12V	2945 pf @ 10 V	-	2.5W（ta），6.3W（TC）
IRFP450LCPBF	7.0900	RFQ	344	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP450	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP450LCPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	14A（TC）	10V	400MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	2200 PF @ 25 V	-	190w（TC）
SQM200N04-1M7L_GE3	3.3700	RFQ	3819	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	SQM200	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	200a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA	291 NC @ 10 V	±20V	11168 PF @ 20 V	-	375W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²