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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF840LCLPBF	2.9500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF840LCLPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI4804CDY-T1-GE3	0.7600	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4804	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a		22mohm @ 7.5a，10v	2.4V @ 250µA	23nc @ 10V		865pf @ 15V	-
SI7860DP-T1-GE3	-	RFQ	4846	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7860	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	8mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
IRFR9010TRL	-	RFQ	9296	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9010	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	50 V	5.3A（TC）	10V	500MOHM @ 2.8a，10V	4V @ 250µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SI5473DC-T1-GE3	-	RFQ	9797	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5473	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	5.9a（ta）	1.8V，4.5V	27mohm @ 5.9a，4.5V	1V @ 250µA	32 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
SIR638ADP-T1-RE3	1.8000	RFQ	139	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir638	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.88MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	165 NC @ 10 V	+20V，-16V	9100 PF @ 100 V	-	104W（TC）
SI1413EDH-T1-E3	-	RFQ	7428	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1413	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.3a（ta）	1.8V，4.5V	115mohm @ 2.9a，4.5V	450mv @ 100µA（100µA））	8 NC @ 4.5 V	±12V		-	1W（ta）
SI1002R-T1-GE3	-	RFQ	4532	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75A	SI1002	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	610ma（ta）	1.5V，4.5V	560MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	2 NC @ 8 V	±8V	36 pf @ 15 V	-	220MW（TA）
IRFR310TR	-	RFQ	2491	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIA810DJ-T1-E3	-	RFQ	7278	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA810	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	4.5A（TC）	1.8V，4.5V	53MOHM @ 3.7A，4.5V	1V @ 250µA	11.5 NC @ 8 V	±8V	400 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.9W（ta），6.5W（TC）
SIHH24N65E-T1-GE3	6.4800	RFQ	821	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH24	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	23A（TC）	10V	150MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	116 NC @ 10 V	±30V	2814 PF @ 100 V	-	202W（TC）
SI7322ADN-T1-GE3	0.6800	RFQ	6488	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7322	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	15.1A（TC）	10V	57MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 50 V	-	26W（TC）
SQS180ENW-T1_GE3	1.0600	RFQ	9668	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	80 V	72A（TC）	10V	8.67mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3092 PF @ 25 V	-	119W（TC）
SIR158DP-T1-GE3	1.8900	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir158	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	4980 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
IRFI9640GPBF	3.3100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI9640GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	6.1A（TC）	10V	500MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SQJA02EP-T1_GE3	1.4600	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA02	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	10V	4.8mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	68W（TC）
SUG80050E-GE3	5.1500	RFQ	7288	Vishay Siliconix	Thunderfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SUG80050	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	150 v	100A（TC）	7.5V，10V	5.4mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	6250 PF @ 75 V	-	500W（TC）
VQ1001P	-	RFQ	1852年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	-	VQ1001	MOSFET （金属 o化物）	2W	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	4 n通道		30V	830mA		1.75OHM @ 200mA，5V	2.5V @ 1mA	-		110pf @ 15V	逻辑级别门
V30432-T1-GE3	-	RFQ	3590	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				V30432				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	3,000
SI4804BDY-T1-E3	-	RFQ	8729	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4804	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIHA12N50E-GE3	1.8700	RFQ	950	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA12N50E-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	10.5A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	886 pf @ 100 V	-	32W（TC）
SI1965DH-T1-GE3	0.5100	RFQ	8643	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1965	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	1.3a		390MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	4.2nc @ 8V		120pf @ 6V	逻辑级别门
SI5471DC-T1-GE3	0.7500	RFQ	1050	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5471	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6A（TC）	1.8V，4.5V	20mohm @ 9.1a，4.5V	1.1V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±12V	2945 pf @ 10 V	-	2.5W（ta），6.3W（TC）
SQ9945BEY-T1_BE3	1.1100	RFQ	8725	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ9945	MOSFET （金属 o化物）	4W（TC）	8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	5.4A（TC）		64mohm @ 3.4a，10v	2.5V @ 250µA	12nc @ 10V		470pf @ 25V	-
IRFP450LCPBF	7.0900	RFQ	344	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP450	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP450LCPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	14A（TC）	10V	400MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	2200 PF @ 25 V	-	190w（TC）
SI9407BDY-T1-GE3	1.1200	RFQ	28	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9407	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	4.7A（TC）	4.5V，10V	120mohm @ 3.2a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 30 V	-	2.4W（ta），5W（（（（（（（（
IRF634L	-	RFQ	6831	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF634	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF634L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	8.1A（TC）	10V	450MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	-
SQJ204EP-T1_GE3	1.4800	RFQ	1991	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ204	MOSFET （金属 o化物）	27W（TC），48W（tc）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		12V	20A（TC），60a （TC）		8.3MOHM @ 4A，10V，3MOHM @ 10A，10V	1.5V @ 250µA	20NC @ 10V，50NC @ 10V		1400pf @ 6v，3700pf @ 6v	-
SI1054X-T1-GE3	-	RFQ	6435	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1054	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	12 v	1.32A（TA）	1.8V，4.5V	95MOHM @ 1.32a，4.5V	1V @ 250µA	8.57 NC @ 5 V	±8V	480 pf @ 6 V	-	236MW（TA）
SI5441DC-T1-GE3	-	RFQ	2909	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5441	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.9a（ta）	2.5V，4.5V	55mohm @ 3.9a，4.5V	1.4V @ 250µA	22 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²