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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF740LC	-	RFQ	6821	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF740LC	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	-
IRFD9110PBF	1.6300	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9110	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFD9110PBF	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	700mA（TA）	10V	1.2OHM @ 420mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SUD50N03-12P-E3	-	RFQ	6246	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	17.5A（TA）	4.5V，10V	12mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	6.5W（TA），46.8W（tc）
irfr014tr	-	RFQ	6550	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	7.7A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SUD35N10-26P-GE3	2.1700	RFQ	90	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD35	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	35A（TC）	7V，10V	26mohm @ 12a，10v	4.4V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 12 V	-	8.3W（ta），83W（tc）
SI1021R-T1-GE3	0.5500	RFQ	43	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1021	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	60 V	（190ma ta）	4.5V，10V	4ohm @ 500mA，10v	3V @ 250µA	1.7 NC @ 15 V	±20V	23 pf @ 25 V	-	250MW（TA）
SQM120N03-1M5L_GE3	3.8200	RFQ	9647	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	30 V	120A（TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	15605 PF @ 15 V	-	375W（TC）
SISS10ADN-T1-GE3	0.9600	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS10	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	31.7A（TA），109a （TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	+20V，-16V	3030 pf @ 20 V	-	4.8W（TA），56.8W（tc）
SI7413DN-T1-GE3	-	RFQ	3638	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7413	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8.4a（ta）	1.8V，4.5V	15mohm @ 13.2a，4.5V	1V @ 400µA	51 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
SIHA240N60E-GE3	2.9600	RFQ	9526	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha240	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	12A（TC）	10V	240MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	783 PF @ 100 V	-	31W（TC）
SIHP11N80E-GE3	3.5300	RFQ	18	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	12A（TC）	10V	440MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	1670 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SI7112DN-T1-GE3	1.7500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7112	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11.3A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 17.8A，10V	1.5V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±12V	2610 PF @ 15 V	-	1.5W（TA）
SI4933DY-T1-E3	-	RFQ	3964	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4933	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		12V	7.4a		14mohm @ 9.8a，4.5V	1V @ 500µA	70NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIA921EDJ-T1-GE3	0.6300	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA921	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		59mohm @ 3.6A，4.5V	1.4V @ 250µA	23nc @ 10V		-	逻辑级别门
IRFL210TRPBF-BE3	0.8800	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL210	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		（1 （无限）		742-IRFL210TRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	960ma（tc）		1.5OHM @ 580mA，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI4226DY-T1-E3	-	RFQ	2590	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4226	MOSFET （金属 o化物）	3.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		25V	8a		19.5mohm @ 7a，4.5V	2V @ 250µA	36NC @ 10V		1255pf @ 15V	-
SIR680ADP-T1-RE3	2.3400	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir680	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	30.7A（TA），125A （TC）	7.5V，10V	2.88mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	4415 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI4620DY-T1-E3	-	RFQ	9669	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4620	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	6A（6A），7.5A（7.5A）（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	1040 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.1W（TC）
SI6473DQ-T1-GE3	-	RFQ	3301	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6473	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6.2a（ta）	1.8V，4.5V	12.5MOHM @ 9.5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	70 NC @ 5 V	±8V		-	1.08W（TA）
SISS98DN-T1-GE3	1.0800	RFQ	3279	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS98	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	14.1A（TC）	7.5V，10V	105MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 7.5 V	±20V	608 pf @ 100 V	-	57W（TC）
SI4401BDY-T1-GE3	1.9500	RFQ	9135	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4401	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	8.7a（ta）	4.5V，10V	14mohm @ 10.5a，10v	3V @ 250µA	55 NC @ 5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI7818DN-T1-GE3	1.6600	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7818	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	2.2A（ta）	6V，10V	135mohm @ 3.4a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
IRF730SPBF	1.1708	RFQ	4448	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF730SPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
irlz14pbf	1.1100	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRLZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irlz14pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	10A（TC）	4V，5V	200mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	43W（TC）
SI2304DDS-T1-GE3	0.4300	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2304	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	3.3a（ta），3.6a（3.6a）TC）	4.5V，10V	60mohm @ 3.2a，10v	2.2V @ 250µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	235 pf @ 15 V	-	1.1W（1.1W），1.7W（TC）
SI7655DN-T1-GE3	1.6400	RFQ	24	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7655	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	40a（TC）	2.5V，10V	3.6mohm @ 20a，10v	1.1V @ 250µA	225 NC @ 10 V	±12V	6600 PF @ 10 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SI2318CDS-T1-GE3	0.4600	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2318	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	5.6A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 4.3A，10V	2.5V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 20 V	-	1.25W（TA），2.1W（TC）
SI3529DV-T1-E3	-	RFQ	2037	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3529	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		40V	2.5a，1.95a		125mohm @ 2.2a，10v	3V @ 250µA	7NC @ 10V		205pf @ 20V	逻辑级别门
IRF730APBF	1.9200	RFQ	1963年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF730APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRFR320TRLPBF	1.7700	RFQ	5583	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR320	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	42W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²