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![]() | SI4894BDY-T1-E3 | 1.3200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4894 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 8.9a(ta) | 4.5V,10V | 11mohm @ 12a,10v | 3V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1580 pf @ 15 V | - | 1.4W(TA) | |||||
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![]() | SIR466DP-T1-GE3 | 1.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir466 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 40a(TC) | 4.5V,10V | 3.5MOHM @ 15A,10V | 2.4V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ±20V | 2730 PF @ 15 V | - | 5W(5W),54W(tc)(TC) | |||||
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![]() | SIHB15N60E-GE3 | 3.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIHB15 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | SIHB15N60EGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 15A(TC) | 10V | 280MOHM @ 8A,10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ±30V | 1350 pf @ 100 V | - | 180W(TC) | ||||
![]() | SI4403BDY-T1-E3 | - | ![]() | 1996 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4403 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 20 v | 7.3a(ta) | 1.8V,4.5V | 17mohm @ 9.9a,4.5V | 1V @ 350µA | 50 NC @ 5 V | ±8V | - | 1.35W(TA) | |||||
SQM50028EM_GE3 | 3.0300 | ![]() | 742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | SQM50028 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263-7 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 60 V | 120A(TC) | 10V | 2mohm @ 30a,10v | 3.5V @ 250µA | 185 NC @ 10 V | ±20V | 11900 PF @ 25 V | - | 375W(TC) | |||||||
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![]() | IRFR320Trl | - | ![]() | 3616 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR320 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 400 v | 3.1A(TC) | 10V | 1.8OHM @ 1.9a,10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | ||||
![]() | SQD50N04-5M6L_GE3 | 1.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SQD50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 40 V | 50A(TC) | 4.5V,10V | 5.6mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ±20V | 4000 pf @ 25 V | - | 71W(TC) | ||||||
![]() | SI2308BDS-T1-E3 | 0.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SI2308 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 2.3a(TC) | 4.5V,10V | 156mohm @ 1.9a,10v | 3V @ 250µA | 6.8 NC @ 10 V | ±20V | 190 pf @ 30 V | - | 1.09W(TA),1.66W(tc) | ||||
IRFPS30N60KPBF | - | ![]() | 7510 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-274AA | IRFPS30 | MOSFET (金属 o化物) | SUPER-247™to-274AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFPS30N60KPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 600 v | 30A(TC) | 10V | 190mohm @ 18a,10v | 5V @ 250µA | 220 NC @ 10 V | ±30V | 5870 pf @ 25 V | - | 450W(TC) | ||||
![]() | SI8424DB-T1-E1 | - | ![]() | 6622 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-XFBGA,CSPBGA | SI8424 | MOSFET (金属 o化物) | 4微米 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 8 V | 12.2A(TC) | 1.2V,4.5V | 31MOHM @ 1A,4.5V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 5 V | ±5V | 1950 pf @ 4 V | - | 2.78W(ta),6.25W(tc) | ||||
![]() | irll1905tr | - | ![]() | 7411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | IRLL1905 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 55 v | 1.6a(ta) | - | - | - | - | |||||||||
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SQJQ910EL-T1_GE3 | 2.6900 | ![]() | 9581 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®8x8二元 | SQJQ910 | MOSFET (金属 o化物) | 187W | PowerPak®8x8二元 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 n 通道(双) | 100V | 70A(TC) | 8.6mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 58nc @ 10V | 2832pf @ 50V | - | ||||||||
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![]() | SI7439DP-T1-E3 | 3.9800 | ![]() | 2592 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7439 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 150 v | 3A(3A) | 6V,10V | 90MOHM @ 5.2A,10V | 4V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.9W(TA) | ||||||
![]() | SI3459BDV-T1-E3 | 0.8300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3459 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 2.9a(TC) | 4.5V,10V | 216mohm @ 2.2a,10v | 3V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 350 pf @ 30 V | - | 3.3W(TC) | |||||
![]() | 2N4860JTXL02 | - | ![]() | 7180 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N4860 | TO-206AA(to-18) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
![]() | SI4916DY-T1-E3 | - | ![]() | 8390 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4916 | MOSFET (金属 o化物) | 3.3W,3.5W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 10a,10.5a | 18mohm @ 10a,10v | 3V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | IRFP460APBF | 4.9800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP460 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRFP460APBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 500 v | 20A(TC) | 10V | 270MOHM @ 12A,10V | 4V @ 250µA | 105 NC @ 10 V | ±30V | 3100 pf @ 25 V | - | 280W(TC) | ||||
![]() | SIA469DJ-T1-GE3 | 0.4700 | ![]() | 198 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®GenIII | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Sc-70-6 | SIA469 | MOSFET (金属 o化物) | POWERPAK®SC-70-6单 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 12A(TC) | 4.5V,10V | 26.5MOHM @ 5A,10V | 3V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | ±20V | 1020 pf @ 15 V | - | 15.6W(TC) |
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