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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIR622DP-T1-RE3	1.5600	RFQ	890	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir622	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	12.6A（TA），51.6a （TC）	7.5V，10V	17.7mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1516 PF @ 75 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
IRFZ24SPBF	2.4800	RFQ	741	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ24	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SI7104DN-T1-GE3	1.0490	RFQ	9150	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7104	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	35A（TC）	2.5V，4.5V	3.7MOHM @ 26.1A，4.5V	1.8V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±12V	2800 PF @ 6 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
irlr8103trr	-	RFQ	3471	Vishay Siliconix	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR8103	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	89a（ta）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA（）	50 NC @ 5 V	±20V		-	-
SQP120N10-09_GE3	2.8000	RFQ	250	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP120	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	120A（TC）	10V	9.5Mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	8645 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRFPS43N50KPBF	-	RFQ	2505	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS43	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPS43N50KPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	47A（TC）	10V	90mohm @ 28a，10v	5V @ 250µA	350 NC @ 10 V	±30V	8310 PF @ 25 V	-	540W（TC）
SI7156DP-T1-E3	-	RFQ	2224	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7156	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 20 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
IRF540	-	RFQ	9448	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SI1305EDL-T1-E3	-	RFQ	3699	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1305	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	860ma（ta）	1.8V，4.5V	280MOHM @ 1A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	4 NC @ 4.5 V	±8V		-	290MW（TA）
irll014pbf	-	RFQ	2201	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	40		n通道	60 V	2.7A（TC）	4V，5V	200mohm @ 1.6A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SUD50N02-04P-E3	-	RFQ	1213	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	20 v	50A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±20V	5000 pf @ 10 V	-	8.3W（ta），136W（tc）
SIA430DJT-T1-GE3	0.5500	RFQ	4319	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA430	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6单	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	12A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 7A，10V	3V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	19.2W（TC）
SQS482EN-T1_GE3	0.9100	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS482	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 16.4a，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1865 PF @ 25 V	-	62W（TC）
IRFD220	-	RFQ	3137	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD220	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD220	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	800mA（ta）	10V	800MOHM @ 480mA，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SI4153DY-T1-GE3	0.7100	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SI4153DY-T1-GE3DKR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	14.3A（TA），19.3A （TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±25V	3600 PF @ 15 V	-	3.1W（ta），5.6W（TC）
SUM110P08-11L-E3	4.6500	RFQ	9813	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	80 V	110A（TC）	4.5V，10V	11.2Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	10850 PF @ 40 V	-	13.6W（TA），375W （TC）
IRF9630PBF-BE3	1.6400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF9630PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	6.5A（TC）		800MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SI2323DS-T1	-	RFQ	9335	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2323	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	3.7a（ta）	1.8V，4.5V	39MOHM @ 4.7A，4.5V	1V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1020 pf @ 10 V	-	750MW（TA）
IRLBA3803	-	RFQ	3337	Vishay Siliconix	-	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	Super-220™	IRLBA38	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-220™to-273AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLBA3803	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	30 V	179a（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 71a，10v	1V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	270W（TC）
IRFBC20	-	RFQ	1975年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC20	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SISA12ADN-T1-GE3	0.8700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA12	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	+20V，-16V	2070 pf @ 15 V	-	3.5W（ta），28W（28W）TC）
SI7790DP-T1-GE3	-	RFQ	2682	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7790	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±25V	4200 PF @ 20 V	-	5.2W（ta），69w（tc）
IRF644NLPBF	-	RFQ	2225	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF644NLPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	240MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI2328DS-T1-E3	0.8600	RFQ	7093	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2328	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	100 v	1.15A（TA）	10V	250MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V		-	730MW（TA）
SI3951DV-T1-GE3	-	RFQ	7117	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3951	MOSFET （金属 o化物）	2W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.7a		115mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.1nc @ 5V		250pf @ 10V	逻辑级别门
IRFI540G	-	RFQ	3101	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI540G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	17a（TC）	10V	77MOHM @ 10a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	48W（TC）
SI8447DB-T2-E1	0.2000	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6- UFBGA	SI8447	MOSFET （金属 o化物）		6-micro脚™（1.5x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	11A（TC）	1.7V，4.5V	75MOHM @ 1A，4.5V	1.2V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±12V	600 pf @ 10 V	-	2.77W（TA），13W（tc）
IRLZ24STRR	-	RFQ	6376	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	17a（TC）	4V，5V	100mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
IRFSL9N60ATRL	-	RFQ	3009	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL9	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	9.2A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IRF9530S	-	RFQ	5907	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9530S	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	12A（TC）	10V	300MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²