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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
SIRA64DP-T1-RE3	0.9200	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira64	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	65 NC @ 10 V	+20V，-16V	3420 PF @ 15 V	-	27.8W（TC）
SIR492DP-T1-GE3	-	RFQ	7577	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir492	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	40a（TC）	2.5V，4.5V	3.8mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	110 NC @ 8 V	±8V	3720 PF @ 6 V	-	4.2W（TA），36W（tc）
IRFP450NPBF	-	RFQ	4698	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP450	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP450NPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	14A（TC）	10V	370MOHM @ 8.4A，10V	5V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±30V	2260 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRF720pbf	1.2900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF720	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF720pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	3.3A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIS436DN-T1-GE3	-	RFQ	1531年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS436	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	16A（TC）	4.5V，10V	10.5mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	855 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），27.7W（tc）
SQD97N06-6M3L_GE3	1.6600	RFQ	8375	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD97	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	97A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 25A，10V	2.5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	6060 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SI7344DP-T1-E3	-	RFQ	9320	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7344	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	11a（11a）	4.5V，10V	8mohm @ 17a，10v	2.1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
IRFR020	-	RFQ	9106	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR020	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRF9610S	-	RFQ	8983	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9610	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9610S	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	（3W）（TA），20W（20W）TC）
SIE802DF-T1-GE3	1.8574	RFQ	6635	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE802	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 23.6a，10v	2.7V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 15 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SUD23N06-31L-E3	-	RFQ	7571	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD23	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	23A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	（3W）（100W）（100W）TC）
SIHK045N60EF-T1GE3	10.4700	RFQ	22	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	47A（TC）	10V	52mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±30V	4685 pf @ 100 V	-	278W（TC）
IRFI530G	-	RFQ	5961	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI530G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	9.7a（TC）	10V	160MOHM @ 5.8A，10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SI1024X-T1-E3	-	RFQ	3662	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1024	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	485mA		700MOHM @ 600mA，4.5V	900mv @ 250µA	0.75nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4204DY-T1-GE3	1.8900	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4204	MOSFET （金属 o化物）	3.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		20V	19.8a		4.6mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	45nc @ 10V		2110pf @ 10V	-
SI5935DC-T1-GE3	-	RFQ	2667	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5935	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	3a		86mohm @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	8.5nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFR9220TRPBF-BE3	1.3600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9220	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	200 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SUP60030E-GE3	3.0600	RFQ	374	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP60030	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	120A（TC）	7.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	141 NC @ 10 V	±20V	7910 PF @ 40 V	-	375W（TC）
IRF520	-	RFQ	6941	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF520	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	9.2A（TC）	10V	270MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SI3993DV-T1-E3	-	RFQ	8921	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3993	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	1.8a		133mohm @ 2.2a，10v	3V @ 250µA	5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIA477EDJT-T1-GE3	0.4800	RFQ	7823	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA477	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6单	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	12A（TC）	1.8V，4.5V	13mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±8V	3050 pf @ 6 V	-	19w（tc）
IRFP244pbf	5.3100	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP244	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP244PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	250 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI6423DQ-T1-GE3	1.7700	RFQ	191	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6423	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	8.2a（ta）	1.8V，4.5V	8.5MOHM @ 9.5A，4.5V	800mv @ 400µA	110 NC @ 5 V	±8V		-	1.05W（TA）
irfbg20pbf-be3	1.8300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBG20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irfbg20pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1000 v	1.4A（TC）	10V	11ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	54W（TC）
SQA407CEJW-T1_GE3	0.5700	RFQ	6843	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	9A（TC）	2.5V，4.5V	25mohm @ 4.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2100 PF @ 10 V	-	13.6W（TC）
U291-E3	-	RFQ	2889	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AC，TO-52-3	U291		500兆	TO-206AC（to-52）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		n通道								160pf @ 0v			30 V	200 ma @ 10 V	1.5 V @ 3 na	7欧姆
SI4388DY-T1-E3	-	RFQ	6003	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4388	MOSFET （金属 o化物）	3.3W，3.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	10.7a，11.3a		16mohm @ 8a，10v	3V @ 250µA	27nc @ 10V		946pf @ 15V	-
SIR580DP-T1-RE3	1.8900	RFQ	6082	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR580DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	35.8A（TA），146a （TC）	7.5V，10V	2.7MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	4100 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SISH129DN-T1-GE3	0.9300	RFQ	5287	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH129	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	14.4A（TA），35A（tc）	4.5V，10V	11.4mohm @ 14.4a，10v	2.8V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3345 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52.1W（TC）
SI5475BDC-T1-E3	-	RFQ	8312	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5475	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	6a（6a）	1.8V，4.5V	28mohm @ 5.6a，4.5V	1V @ 250µA	40 NC @ 8 V	±8V	1400 pf @ 6 V	-	2.5W（ta），6.3W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²