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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
IRFP150	-	RFQ	7219	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP150	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP150	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	41A（TC）	10V	55mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRCZ44PBF	-	RFQ	4166	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRCZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*ircz44pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	电流感应	150W（TC）
IRFZ34STRLPBF	1.4682	RFQ	4607	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ34	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SI7218DN-T1-GE3	-	RFQ	3490	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7218	MOSFET （金属 o化物）	23W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	24a		25mohm @ 8a，10v	3V @ 250µA	17NC @ 10V		700pf @ 15V	-
SI5947DU-T1-GE3	-	RFQ	9649	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5947	MOSFET （金属 o化物）	10.4W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	6a		58MOHM @ 3.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	17NC @ 10V		480pf @ 10V	逻辑级别门
TP0202K-T1-E3	-	RFQ	9227	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TP0202	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	385mA（ta）	4.5V，10V	1.4OHM @ 500mA，10V	3V @ 250µA	1 NC @ 10 V	±20V	31 pf @ 15 V	-	350MW（TA）
SUP85N03-3M6P-GE3	-	RFQ	8312	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP85	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	30 V	85A（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 22a，10v	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3535 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），78.1W（tc）
IRF530STRR	-	RFQ	7918	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
IRL530	-	RFQ	9746	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL530	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	15A（TC）	4V，5V	160MOHM @ 9A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	88W（TC）
SUD09P10-195-BE3	0.8700	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD09	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	100 v	8.8A（TC）	4.5V，10V	195MOHM @ 3.6A，10V	2.5V @ 250µA	34.8 NC @ 10 V	±20V	1055 PF @ 50 V	-	2.5W（ta），32.1W（TC）
IRFD210pbf	1.3900	RFQ	13	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD210	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFD210pbf	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	600mA（TA）	10V	1.5OHM @ 360mA，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SIHB30N60AEL-GE3	5.9500	RFQ	18	Vishay Siliconix	El	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB30	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	28a（TC）	10V	120mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	2565 PF @ 100 V	-	250W（TC）
IRFR9210	-	RFQ	2040	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9210	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		P通道	200 v	1.9A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIR626LDP-T1-RE3	1.8000	RFQ	3581	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir626	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	45.6a（ta），186a （TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	5900 PF @ 30 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
2N4117A-2	-	RFQ	6504	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以	2N4117		300兆	to-206af（72）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20		n通道								3pf @ 10V			40 V	30 µA @ 10 V	600 mv @ 1 na
SISS30DN-T1-GE3	1.1400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS30	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	15.9A（TA），54.7a （TC）	7.5V，10V	8.25mohm @ 10a，10v	3.8V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1666 pf @ 10 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
IRFR9120TRLPBF	1.6400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	5.6A（TC）	10V	600MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI6963BDQ-T1-GE3	-	RFQ	6140	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6963	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	3.4a		45mohm @ 3.9a，4.5V	1.4V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFDC20	-	RFQ	5440	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFDC20	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFDC20	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	320mA（TA）	10V	4.4OHM @ 190mA，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SI7913DN-T1-GE3	1.6400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7913	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	5a		37MOHM @ 7.4A，4.5V	1V @ 250µA	24nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIHP4N80E-GE3	1.0201	RFQ	5949	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP4	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	4.3A（TC）	10V	1.27OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	622 PF @ 100 V	-	69W（TC）
SI1051X-T1-GE3	-	RFQ	2469	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1051	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	1.2A（TA）	1.5V，4.5V	122MOHM @ 1.2A，4.5V	1V @ 250µA	9.45 NC @ 5 V	±5V	560 pf @ 4 V	-	236MW（TA）
irfr9010pbf	1.0600	RFQ	12	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9010	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		P通道	50 V	5.3A（TC）	10V	500MOHM @ 2.8a，10V	4V @ 250µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SIR5623DP-T1-RE3	1.7100	RFQ	4432	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIR5623	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	10.5A（TA），37.1A （TC）	4.5V，10V	24mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1575 PF @ 30 V	-	4.8W（ta），59.5W（TC）
sihp33n60e-ge3	6.1200	RFQ	700	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	sihp33	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		sihp33n60ege3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	33A（TC）	10V	99MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3508 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SI1553DL-T1-GE3	-	RFQ	7147	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1553	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	660mA，410mA		385MOHM @ 660mA，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	1.2nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SUD50P04-08-E3	-	RFQ	2195	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				SUD50				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000
SI5404BDC-T1-E3	0.4200	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5404	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	5.4A（ta）	2.5V，4.5V	28mohm @ 5.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SIR5112DP-T1-RE3	1.8000	RFQ	7663	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir5112	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	12.6a（ta），42.6a（tc）	7.5V，10V	14.9mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 50 V	-	5W（5W），56.8W（TC）
SUP60N10-16L-E3	-	RFQ	9230	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	60a（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3820 pf @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²