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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
2N5116JTVL02	-	RFQ	1489	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N5116			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20		-								-
IRF9Z14PBF	1.2900	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9Z14PBF	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	43W（TC）
SIHP17N80E-BE3	4.8400	RFQ	3082	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP17	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-		（1 （无限）		742-SIHP17N80E-BE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2408 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SIR850DP-T1-GE3	-	RFQ	2345	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir850	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	30A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1120 PF @ 15 V	-	4.8W（TA），41.7W（tc）
2N4861JTXL02	-	RFQ	1981	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4861			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
IRF830pbf	1.5800	RFQ	19	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF830pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.7a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SIRA72DP-T1-GE3	1.2000	RFQ	2377	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira72	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 10A，10V	2.4V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	+20V，-16V	3240 pf @ 20 V	-	56.8W（TC）
SI5855CDC-T1-E3	-	RFQ	1068	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5855	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.7A（TC）	1.8V，4.5V	144mohm @ 2.5a，4.5V	1V @ 250µA	6.8 NC @ 5 V	±8V	276 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.3W（ta），2.8W（TC）
IRFR9014NTRL	-	RFQ	3645	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	5.1A（TC）	10V	500MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
U440	-	RFQ	7369	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-71-6	U440		500兆	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		2 n 通道（双）								3pf @ 10V			25 v	6 mA @ 10 V	1 v @ 1 na
IRL520L	-	RFQ	7430	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL520	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL520L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	9.2A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 5.5A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	60W（TC）
SIR880ADP-T1-GE3	1.8600	RFQ	1429	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir880	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	60a（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	2289 PF @ 40 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI7214DN-T1-E3	-	RFQ	1688年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7214	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	4.6a		40mohm @ 6.4a，10v	3V @ 250µA	6.5nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFBC30ALPBF	0.8678	RFQ	7403	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC30ALPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SIR1309DP-T1-GE3	0.9400	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	19.1a（ta），65.7a tc）	4.5V，10V	7.3mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 15 V	-	4.8W（TA），56.8W（tc）
SI5517DU-T1-GE3	1.1800	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5517	MOSFET （金属 o化物）	8.3W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	6a		39mohm @ 4.4A，4.5V	1V @ 250µA	16nc @ 8V		520pf @ 10V	逻辑级别门
SIHA22N60E-E3	3.9000	RFQ	4436	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	35W（TC）
SIE818DF-T1-GE3	1.9970	RFQ	1947年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE818	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	75 v	60a（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 16a，10v	3V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 38 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SI1036X-T1-GE3	0.4200	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1036	MOSFET （金属 o化物）	220MW	SC-89-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	610ma（ta）		540MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	1.2nc @ 4.5V		36pf @ 15V	-
IRFI9Z34GPBF	3.0900	RFQ	816	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI9Z34GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	12A（TC）	10V	140MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	42W（TC）
SI4058DY-T1-GE3	0.6200	RFQ	3764	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4058	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	10.3A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 10a，10v	2.8V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	690 pf @ 50 V	-	5.6W（TC）
SIS434DN-T1-GE3	0.9700	RFQ	20	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS434	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	35A（TC）	4.5V，10V	7.6mohm @ 16.2a，10v	2.2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1530 pf @ 20 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
sihu6n80e-ge3	2.3400	RFQ	1499年	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AB	sihu6	MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	800 v	5.4A（TC）	10V	940MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±30V	827 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SI1401EDH-T1-GE3	0.4100	RFQ	8266	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1401	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	4A（TC）	1.5V，4.5V	34MOHM @ 5.5A，4.5V	1V @ 250µA	36 NC @ 8 V	±10V		-	1.6W（TA），2.8W（TC）
SQJ469EP-T1_GE3	2.9100	RFQ	2464	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ469	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	32A（TC）	6V，10V	25mohm @ 10.2a，10v	2.5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 40 V	-	100W（TC）
SUM110N05-06L-E3	-	RFQ	2085	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	55 v	110A（TC）		6mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	100 nc @ 10 V		3300 PF @ 25 V	-
SQD40061EL_GE3	1.6500	RFQ	4455	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40061	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	280 NC @ 10 V	±20V	14500 PF @ 25 V	-	107W（TC）
SI1065X-T1-E3	-	RFQ	8941	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1065	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	1.18A（TA）	1.8V，4.5V	156mohm @ 1.18a，4.5V	950mv @ 250µA	10.8 NC @ 5 V	±8V	480 pf @ 6 V	-	236MW（TA）
SQJB40EP-T1_GE3	1.3100	RFQ	102	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB40	MOSFET （金属 o化物）	34W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	30A（TC）		8mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	35nc @ 10V		1900pf @ 25V	-
SI3585CDV-T1-GE3	0.5500	RFQ	3868	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3585	MOSFET （金属 o化物）	1.4W，1.3W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	3.9a，2.1a		58mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	4.8NC @ 10V		150pf @ 10V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²