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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
SIDR5802EP-T1-RE3	2.8700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR5802	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	34.2A（TA），153a （TC）	7.5V，10V	2.9mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3020 PF @ 40 V	-	7.5W（ta），150W（TC）
IRFB13N50A	-	RFQ	4485	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB13	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB13N50A	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	14A（TC）	10V	450MOHM @ 8.4A，10V	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±30V	1910 PF @ 25 V	-	250W（TC）
SIHA15N50E-E3	2.2000	RFQ	7467	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha15	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	14.5A（TC）	10V	280MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±30V	1162 PF @ 100 V	-	33W（TC）
SI3456BDV-T1-GE3	-	RFQ	2013	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3456	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（ta）	4.5V，10V	35mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V		-	1.1W（TA）
SST4416-E3	-	RFQ	4471	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST4416		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道								2.2pf @ 15V			30 V	5 ma @ 15 V	3 V @ 1 na
U430-E3	-	RFQ	1784年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-78-6金属罐	U430		500兆	TO-78-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	100		2 n 通道（双）								5pf @ 10V			25 v	12 ma @ 10 V	1 v @ 1 na
SIA462DJ-T4-GE3	-	RFQ	6987	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA462	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	（12A）（12a），12a （TC）	4.5V，10V	18mohm @ 9a，10v	2.4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SI2333DS-T1-E3	0.8600	RFQ	78	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2333	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	4.1a（ta）	1.8V，4.5V	32MOHM @ 5.3A，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V	1100 pf @ 6 V	-	750MW（TA）
SIHD9N60E-GE3	1.9500	RFQ	9189	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD9	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	9A（TC）	10V	368mohm @ 4.5A，10V	4.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	778 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SI5513CDC-T1-GE3	0.6200	RFQ	7886	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5513	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	4a，3.7a		55mohm @ 4.4A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.2nc @ 5V		285pf @ 10V	逻辑级别门
IRFU9020	-	RFQ	9928	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9020	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
3N164	-	RFQ	4665	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以	-	MOSFET （金属 o化物）		到72	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		P通道	30 V	50mA（TA）	20V	300ohm @ 100µA，20V	5V @ 10µA		±30V	3.5 pf @ 15 V	-	375MW（TA）
SI3460DDV-T1-GE3	0.4100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3460	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	7.9A（TC）	1.8V，4.5V	28mohm @ 5.1a，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 8 V	±8V	666 pf @ 10 V	-	1.7W（ta），2.7W（TC）
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SIDR402DP-T1-GE3	1.1241	RFQ	5058	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR402	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	64.6A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	0.88MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	165 NC @ 10 V	+20V，-16V	9100 PF @ 20 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
IRFR420Trl	-	RFQ	9143	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
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SIHF35N60EF-GE3	3.3325	RFQ	4348	Vishay Siliconix	EF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF35	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	32A（TC）	10V	97mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	134 NC @ 10 V	±30V	2568 PF @ 100 V	-	39W（TC）
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irfd320pbf	1.8600	RFQ	469	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD320	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfd320pbf	Ear99	8541.29.0095	100		n通道	400 v	490mA ta）	10V	1.8OHM @ 210mA，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRF9630SPBF	2.9100	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	6.5A（TC）	10V	800MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
IRFR210TR	-	RFQ	5022	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR210	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	2.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIE816DF-T1-GE3	-	RFQ	8680	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE816	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	10V	7.4mohm @ 19.8a，10v	4.4V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	3100 PF @ 30 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SQJ910AEP-T1_GE3	1.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ910	MOSFET （金属 o化物）	48W	POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	30A（TC）		7mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	39nc @ 10V		1869pf @ 15V	-
SI2335DS-T1-E3	-	RFQ	8189	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2335	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	3.2A（ta）	1.8V，4.5V	51MOHM @ 4A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	15 NC @ 4.5 V	±8V	1225 pf @ 6 V	-	750MW（TA）
SIHG21N60EF-GE3	4.4700	RFQ	6532	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG21	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	21a（TC）	10V	176mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2030 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SIS476DN-T1-GE3	1.1800	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS476	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 15A，10V	2.3V @ 250µA	77 NC @ 10 V	+20V，-16V	3595 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
2N4339-E3	-	RFQ	8037	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4339		300兆	TO-206AA（to-18）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		n通道								7pf @ 15V			50 V	500 µA @ 15 V	600 mv @ 100 na
SI8806DB-T2-E1	0.4600	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	SI8806	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	12 v	2.8A（ta）	1.8V，4.5V	43mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	17 NC @ 8 V	±8V		-	500MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²