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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI7964DP-T1-GE3	-	RFQ	3188	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7964	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	6.1a		23mohm @ 9.6a，10v	4.5V @ 250µA	65nc @ 10V		-	-
SI7407DN-T1-E3	-	RFQ	8034	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7407	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	9.9a（ta）	1.8V，4.5V	12mohm @ 15.6a，4.5V	1V @ 400µA	59 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
SI7790DP-T1-GE3	-	RFQ	2682	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7790	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±25V	4200 PF @ 20 V	-	5.2W（ta），69w（tc）
IRFR020TRPBF	1.6800	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFR110TRR	-	RFQ	2423	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFI540G	-	RFQ	3101	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI540G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	17a（TC）	10V	77MOHM @ 10a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	48W（TC）
SIA913ADJ-T1-GE3	0.6200	RFQ	9	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA913	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	4.5a		61MOHM @ 3.6A，4.5V	1V @ 250µA	20nc @ 8v		590pf @ 6V	逻辑级别门
IRFBG30	-	RFQ	3844	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBG30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBG30	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	1000 v	3.1A（TC）	10V	5ohm @ 1.9a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	980 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SIR872ADP-T1-GE3	1.8000	RFQ	2033	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir872	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	53.7a（TC）	7.5V，10V	18mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	1286 pf @ 75 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI1967DH-T1-GE3	0.4100	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1967	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	1.3a		490MOHM @ 910mA，4.5V	1V @ 250µA	4NC @ 8V		110pf @ 10V	逻辑级别门
SIZ916DT-T1-GE3	-	RFQ	6283	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ916	MOSFET （金属 o化物）	22.7W，100W	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	16a，40a		6.4mohm @ 19a，10v	2.4V @ 250µA	26NC @ 10V		1208pf @ 15V	-
SI7101DN-T1-GE3	1.2500	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7101	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±25V	3595 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
irfu224pbf	1.5600	RFQ	9180	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU224	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu224pbf	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	250 v	3.8A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
2N6661JAN02	-	RFQ	3321	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6661	MOSFET （金属 o化物）		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道	90 v	860mA（tc）	5V，10V	4ohm @ 1A，10V	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
SQ4917CEY-T1_GE3	1.3100	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4917	MOSFET （金属 o化物）	5W（TC）	8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		60V	8A（TC）		48mohm @ 4.3A，10V	2.5V @ 250µA	65nc @ 10V		1910pf @ 30V	-
SQJA84EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	18	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA84	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	46A（TC）	4.5V，10V	12.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	55W（TC）
SI7742DP-T1-GE3	0.8647	RFQ	2259	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7742	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	2.7V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
IRFSL9N60ATRL	-	RFQ	3009	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL9	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	9.2A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SI8457DB-T1-E1	0.6000	RFQ	8268	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga	SI8457	MOSFET （金属 o化物）		4-microfoot®（1.6x1.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	6.5A（TA）	1.8V，4.5V	19mohm @ 3a，4.5V	900mv @ 250µA	93 NC @ 8 V	±8V	2900 PF @ 6 V	-	1.1W（ta），2.7W（TC）
SUP57N20-33-E3	4.6700	RFQ	45	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP57	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SUP57N2033E3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	57A（TC）	10V	33mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），300W（tc）
IRF644NLPBF	-	RFQ	2225	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF644NLPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	240MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFR9110TRLPBF	1.5900	RFQ	1511	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI2328DS-T1-E3	0.8600	RFQ	7093	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2328	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	100 v	1.15A（TA）	10V	250MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V		-	730MW（TA）
SI7858BDP-T1-GE3	1.6600	RFQ	1922年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7858	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	40a（TC）	1.8V，4.5V	2.5MOHM @ 15A，4.5V	1V @ 250µA	84 NC @ 4.5 V	±8V	5760 pf @ 6 V	-	5W（5W），48W（（（（（
IRFIB6N60APBF	4.2100	RFQ	1620年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIB6N60APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	5.5A（TC）	10V	750MOHM @ 3.3A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IRF9630PBF-BE3	1.6400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF9630PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	6.5A（TC）		800MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRFR9220TRR	-	RFQ	6034	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9220	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	200 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIHA240N60E-GE3	2.9600	RFQ	9526	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha240	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	12A（TC）	10V	240MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	783 PF @ 100 V	-	31W（TC）
SI7112DN-T1-GE3	1.7500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7112	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11.3A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 17.8A，10V	1.5V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±12V	2610 PF @ 15 V	-	1.5W（TA）
IRF740LC	-	RFQ	6821	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF740LC	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²