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![]() | IRFR224Tr | - | ![]() | 6167 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR224 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 250 v | 3.8A(TC) | 10V | 1.1OHM @ 2.3a,10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | ||||
![]() | SI3951DV-T1-E3 | - | ![]() | 7314 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3951 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 2.7a | 115mohm @ 2.5a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 5.1nc @ 5V | 250pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | IRLIZ34GPBF | 2.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | IRLIZ34 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRLIZ34GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 20A(TC) | 4V,5V | 50mohm @ 12a,5v | 2V @ 250µA | 35 NC @ 5 V | ±10V | 1600 pf @ 25 V | - | 42W(TC) | ||||
![]() | SQS462EN-T1_GE3 | 1.0300 | ![]() | 2097 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SQS462 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 8A(TC) | 4.5V,10V | 63MOHM @ 4.3A,10V | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 470 pf @ 25 V | - | 33W(TC) | |||||
IRF9610 | - | ![]() | 6563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF9610 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P通道 | 200 v | 1.8A(TC) | 10V | 3ohm @ 900mA,10v | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±20V | 170 pf @ 25 V | - | 20W(TC) | |||||
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![]() | SI3867DV-T1-GE3 | - | ![]() | 6583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3867 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.9a(ta) | 2.5V,4.5V | 51MOHM @ 5.1A,4.5V | 1.4V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.1W(TA) | |||||
![]() | IRFR010TRLPBF | 0.6218 | ![]() | 8020 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR010 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 50 V | 8.2A(TC) | 10V | 200mohm @ 4.6A,10V | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 250 pf @ 25 V | - | 25W(TC) | |||||
![]() | IRFR224Trl | - | ![]() | 2585 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR224 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 250 v | 3.8A(TC) | 10V | 1.1OHM @ 2.3a,10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | ||||
![]() | SI1988DH-T1-E3 | - | ![]() | 9762 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SI1988 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 1.3a | 168mohm @ 1.4a,4.5V | 1V @ 250µA | 4.1NC @ 8V | 110pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SIR640DP-T1-GE3 | - | ![]() | 4553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir640 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 60a(TC) | 4.5V,10V | 1.7MOHM @ 20A,10V | 2.3V @ 250µA | 113 NC @ 10 V | ±20V | 4930 PF @ 20 V | - | 6.25W(TA),104W(tc) | |||||
![]() | IRFU1N60A | - | ![]() | 9851 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | irfu1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251AA | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFU1N60A | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 600 v | 1.4A(TC) | 10V | 7ohm @ 840mA,10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W(TC) | |||
![]() | SI3410DV-T1-GE3 | 0.8300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3410 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 8A(TC) | 4.5V,10V | 19.5mohm @ 5A,10V | 3V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±20V | 1295 pf @ 15 V | - | 2W(TA),4.1W(4.1W)TC) | |||||
SIHP25N40D-E3 | 3.0600 | ![]() | 8185 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SIHP25 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 400 v | 25A(TC) | 10V | 170MOHM @ 13A,10V | 5V @ 250µA | 88 NC @ 10 V | ±30V | 1707 PF @ 100 V | - | 278W(TC) | ||||||
![]() | SISA66DN-T1-GE3 | 0.3959 | ![]() | 1728年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SISA66 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 40a(TC) | 4.5V,10V | 2.3MOHM @ 15A,10V | 2.2V @ 1mA | 66 NC @ 10 V | +20V,-16V | 3014 pf @ 15 V | - | 52W(TC) | ||||||
![]() | SI4108DY-T1-GE3 | - | ![]() | 4287 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | (CT) | 过时的 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4108 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 75 v | 20.5A(TC) | 9.8mohm @ 13.8a,10v | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | 2100 PF @ 38 V | - | ||||||||
![]() | IRF9620STRL | - | ![]() | 3041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF9620 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 200 v | 3.5A(TC) | 10V | 1.5OHM @ 1.5A,10V | 4V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 350 pf @ 25 V | - | (3W)(40W)(40W)TC) | ||||
![]() | IRF710PBF-BE3 | 1.1100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF710 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 742-IRF710PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 400 v | 2A(TC) | 3.6OHM @ 1.2A,10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 170 pf @ 25 V | - | 36W(TC) | ||||||
![]() | SI2311ds-T1-GE3 | - | ![]() | 9434 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SI2311 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 3A(3A) | 1.8V,4.5V | 45MOHM @ 3.5A,4.5V | 800MV @ 250µA | 12 nc @ 4.5 V | ±8V | 970 pf @ 4 V | - | 710MW(TA) | ||||
![]() | SUD50N02-06P-GE3 | - | ![]() | 2065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | SUD50 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | IRF510STRLPBF | 1.4900 | ![]() | 320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF510 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 100 v | 5.6A(TC) | 10V | 540MOHM @ 3.4A,10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ±20V | 180 pf @ 25 V | - | 43W(TC) | |||||
![]() | SI1426DH-T1-E3 | - | ![]() | 1104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SI1426 | MOSFET (金属 o化物) | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 2.8A(ta) | 4.5V,10V | 75MOHM @ 3.6A,10V | 2.5V @ 250µA | 3 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1W(ta) | |||||
![]() | IRFL214TRPBF-BE3 | 1.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | IRFL214 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 250 v | 790mA(tc) | 10V | 2ohm @ 470mA,10v | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ±20V | 140 pf @ 25 V | - | 2W(TA),3.1W(TC) | |||||
![]() | SI2303BDS-T1-E3 | - | ![]() | 1859年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 1.49a(ta) | 4.5V,10V | 200mohm @ 1.7A,10V | 3V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 180 pf @ 15 V | - | 700MW(TA) | ||||
![]() | SI7909DN-T1-E3 | - | ![]() | 1916年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7909 | MOSFET (金属 o化物) | 1.3W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 12V | 5.3a | 37MOHM @ 7.7A,4.5V | 1V @ 700µA | 24nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI7148DP-T1-E3 | 2.4500 | ![]() | 6444 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7148 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 75 v | 28a(TC) | 4.5V,10V | 11mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 2900 PF @ 35 V | - | 5.4W(ta),96w(tc) | |||||
![]() | SIHF22N60E-E3 | 1.8728 | ![]() | 5341 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | SIHF22 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | SIHF22N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 21a(TC) | 180mohm @ 11a,10v | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | 1920 PF @ 100 V | - | ||||||||
![]() | SI3454ADV-T1-E3 | - | ![]() | 5088 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3454 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 3.4a(ta) | 4.5V,10V | 60mohm @ 4.5A,10V | 3V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.14W(TA) | |||||
![]() | SI3951DV-T1-GE3 | - | ![]() | 7117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3951 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 2.7a | 115mohm @ 2.5a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 5.1nc @ 5V | 250pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | SI7404DN-T1-E3 | - | ![]() | 7311 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7404 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 8.5a(ta) | 2.5V,10V | 13mohm @ 13.3a,10v | 1.5V @ 250µA | 30 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.5W(TA) |
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