SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
IRFR224TR Vishay Siliconix IRFR224Tr -
RFQ
ECAD 6167 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR224 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 250 v 3.8A(TC) 10V 1.1OHM @ 2.3a,10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 260 pf @ 25 V - 2.5W(TA),42W(TC)
SI3951DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3951DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7314 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3951 MOSFET (金属 o化物) 2W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 20V 2.7a 115mohm @ 2.5a,4.5V 1.5V @ 250µA 5.1nc @ 5V 250pf @ 10V 逻辑级别门
IRLIZ34GPBF Vishay Siliconix IRLIZ34GPBF 2.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 IRLIZ34 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRLIZ34GPBF Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 20A(TC) 4V,5V 50mohm @ 12a,5v 2V @ 250µA 35 NC @ 5 V ±10V 1600 pf @ 25 V - 42W(TC)
SQS462EN-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS462EN-T1_GE3 1.0300
RFQ
ECAD 2097 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SQS462 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 8A(TC) 4.5V,10V 63MOHM @ 4.3A,10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 470 pf @ 25 V - 33W(TC)
IRF9610 Vishay Siliconix IRF9610 -
RFQ
ECAD 6563 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF9610 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 200 v 1.8A(TC) 10V 3ohm @ 900mA,10v 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 170 pf @ 25 V - 20W(TC)
SI2337DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2337DS-T1-E3 1.0100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SI2337 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 80 V 2.2A(TC) 6V,10V 270MOHM @ 1.2A,10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 500 pf @ 40 V - (760MW)(TA),2.5W(tc)
SI3867DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3867DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6583 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3867 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 3.9a(ta) 2.5V,4.5V 51MOHM @ 5.1A,4.5V 1.4V @ 250µA 11 NC @ 4.5 V ±12V - 1.1W(TA)
IRFR010TRLPBF Vishay Siliconix IRFR010TRLPBF 0.6218
RFQ
ECAD 8020 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR010 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 50 V 8.2A(TC) 10V 200mohm @ 4.6A,10V 4V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 250 pf @ 25 V - 25W(TC)
IRFR224TRL Vishay Siliconix IRFR224Trl -
RFQ
ECAD 2585 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR224 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 250 v 3.8A(TC) 10V 1.1OHM @ 2.3a,10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 260 pf @ 25 V - 2.5W(TA),42W(TC)
SI1988DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1988DH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9762 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SI1988 MOSFET (金属 o化物) 1.25W SC-70-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 20V 1.3a 168mohm @ 1.4a,4.5V 1V @ 250µA 4.1NC @ 8V 110pf @ 10V 逻辑级别门
SIR640DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR640DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4553 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir640 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 60a(TC) 4.5V,10V 1.7MOHM @ 20A,10V 2.3V @ 250µA 113 NC @ 10 V ±20V 4930 PF @ 20 V - 6.25W(TA),104W(tc)
IRFU1N60A Vishay Siliconix IRFU1N60A -
RFQ
ECAD 9851 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA irfu1 MOSFET (金属 o化物) TO-251AA 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFU1N60A Ear99 8541.29.0095 75 n通道 600 v 1.4A(TC) 10V 7ohm @ 840mA,10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±30V 229 pf @ 25 V - 36W(TC)
SI3410DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3410DV-T1-GE3 0.8300
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3410 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 8A(TC) 4.5V,10V 19.5mohm @ 5A,10V 3V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±20V 1295 pf @ 15 V - 2W(TA),4.1W(4.1W)TC)
SIHP25N40D-E3 Vishay Siliconix SIHP25N40D-E3 3.0600
RFQ
ECAD 8185 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SIHP25 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 400 v 25A(TC) 10V 170MOHM @ 13A,10V 5V @ 250µA 88 NC @ 10 V ±30V 1707 PF @ 100 V - 278W(TC)
SISA66DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA66DN-T1-GE3 0.3959
RFQ
ECAD 1728年 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SISA66 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 40a(TC) 4.5V,10V 2.3MOHM @ 15A,10V 2.2V @ 1mA 66 NC @ 10 V +20V,-16V 3014 pf @ 15 V - 52W(TC)
SI4108DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4108DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4287 0.00000000 Vishay Siliconix - (CT) 过时的 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4108 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 75 v 20.5A(TC) 9.8mohm @ 13.8a,10v 4V @ 250µA 54 NC @ 10 V 2100 PF @ 38 V -
IRF9620STRL Vishay Siliconix IRF9620STRL -
RFQ
ECAD 3041 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF9620 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 200 v 3.5A(TC) 10V 1.5OHM @ 1.5A,10V 4V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 350 pf @ 25 V - (3W)(40W)(40W)TC)
IRF710PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF710PBF-BE3 1.1100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF710 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 (1 (无限) 742-IRF710PBF-BE3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 400 v 2A(TC) 3.6OHM @ 1.2A,10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 170 pf @ 25 V - 36W(TC)
SI2311DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2311ds-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9434 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SI2311 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 8 V 3A(3A) 1.8V,4.5V 45MOHM @ 3.5A,4.5V 800MV @ 250µA 12 nc @ 4.5 V ±8V 970 pf @ 4 V - 710MW(TA)
SUD50N02-06P-GE3 Vishay Siliconix SUD50N02-06P-GE3 -
RFQ
ECAD 2065 0.00000000 Vishay Siliconix * 胶带和卷轴((tr) 积极的 SUD50 - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000
IRF510STRLPBF Vishay Siliconix IRF510STRLPBF 1.4900
RFQ
ECAD 320 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF510 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 5.6A(TC) 10V 540MOHM @ 3.4A,10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±20V 180 pf @ 25 V - 43W(TC)
SI1426DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1426DH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1104 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SI1426 MOSFET (金属 o化物) SC-70-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 2.8A(ta) 4.5V,10V 75MOHM @ 3.6A,10V 2.5V @ 250µA 3 NC @ 4.5 V ±20V - 1W(ta)
IRFL214TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFL214TRPBF-BE3 1.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA IRFL214 MOSFET (金属 o化物) SOT-223 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 250 v 790mA(tc) 10V 2ohm @ 470mA,10v 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±20V 140 pf @ 25 V - 2W(TA),3.1W(TC)
SI2303BDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2303BDS-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1859年 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SI2303 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 1.49a(ta) 4.5V,10V 200mohm @ 1.7A,10V 3V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 180 pf @ 15 V - 700MW(TA)
SI7909DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7909DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1916年 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7909 MOSFET (金属 o化物) 1.3W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 12V 5.3a 37MOHM @ 7.7A,4.5V 1V @ 700µA 24nc @ 4.5V - 逻辑级别门
SI7148DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7148DP-T1-E3 2.4500
RFQ
ECAD 6444 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7148 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 75 v 28a(TC) 4.5V,10V 11mohm @ 15a,10v 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 V ±20V 2900 PF @ 35 V - 5.4W(ta),96w(tc)
SIHF22N60E-E3 Vishay Siliconix SIHF22N60E-E3 1.8728
RFQ
ECAD 5341 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 SIHF22 MOSFET (金属 o化物) TO-220完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) SIHF22N60EE3 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 21a(TC) 180mohm @ 11a,10v 4V @ 250µA 86 NC @ 10 V 1920 PF @ 100 V -
SI3454ADV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3454ADV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5088 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3454 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 3.4a(ta) 4.5V,10V 60mohm @ 4.5A,10V 3V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±20V - 1.14W(TA)
SI3951DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3951DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7117 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3951 MOSFET (金属 o化物) 2W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 20V 2.7a 115mohm @ 2.5a,4.5V 1.5V @ 250µA 5.1nc @ 5V 250pf @ 10V 逻辑级别门
SI7404DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7404DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7311 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SI7404 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 8.5a(ta) 2.5V,10V 13mohm @ 13.3a,10v 1.5V @ 250µA 30 NC @ 4.5 V ±12V - 1.5W(TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库