晶体管(5716)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
SI8851EDB-T2-E1	0.6200	询价	7006	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	30-XFBGA	SI8851	MOSFET（金属O化物）		动力微型脚® (2.4x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	7.7A（塔）	1.8V、4.5V	8毫欧@7A，4.5V	1V@250μA	180nC@8V	±8V	6900pF@10V	-	660毫W（塔）
IRF520PBF	1.1900	询价	6891	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRF520	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRF520PBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100伏	9.2A（温度）	10V	270毫欧@5.5A，10V	4V@250μA	16nC@10V	±20V	360pF@25V	-	60W（温度）
IRLZ14L	-	询价	第1494章	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IRLZ14	MOSFET（金属O化物）		TO-262-3	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRLZ14L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	10A（温度）	4V、5V	200mOhm@6A，5V	2V@250μA	5V时为8.4nC	±10V	400pF@25V	-	3.7W（Ta）、43W（Tc）
SI5935DC-T1-GE3	-	询价	2667	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	SI5935	MOSFET（金属O化物）	1.1W	1206-8 ChipFET™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		20V	3A		86毫欧@3A，4.5V	1V@250μA	8.5nC@4.5V		-	逻辑电平门
SIE818DF-T1-GE3	1.9970	询价	1947年	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-PolarPAK® (L)	SIE818	MOSFET（金属O化物）		10-PolarPAK® (L)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	75V	60A（温度）	4.5V、10V	9.5毫欧@16A，10V	3V@250μA	95nC@10V	±20V	3200pF@38V	-	5.2W（Ta）、125W（Tc）
SI3473DV-T1-GE3	-	询价	2506	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3473	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	12V	5.9A（塔）	1.8V、4.5V	23毫欧@7.9A，4.5V	1V@250μA	33nC@4.5V	±8V		-	1.1W（塔）
SI3407DV-T1-E3	-	询价	7620	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3407	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	8A（温度）	2.5V、4.5V	24毫欧@7.5A，4.5V	1.5V@250μA	63nC@10V	±12V	1670pF@10V	-	2W（Ta）、4.2W（Tc）
SIHG33N60E-E3	4.1309	询价	3921	威世硅科	B	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SIHG33	MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	600伏	33A（温度）	10V	99毫欧@16.5A，10V	4V@250μA	150nC@10V	±30V	100V时为3508pF	-	278W（温度）
SQS460CENW-T1_GE3	0.8000	询价	50	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 1212-8W	SQS460	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8W	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SQS460CENW-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	8A（温度）	4.5V、10V	30毫欧@5.3A，10V	2.5V@250μA	11nC@10V	±20V	580pF@25V	-	27W（温度）
SUP90N03-03-E3	-	询价	8019	威世硅科	TrenchFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SUP90	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	30V	90A（温度）	4.5V、10V	2.9毫欧@28.8A，10V	2.5V@250μA	257nC@10V	±20V	12065pF@15V	-	3.75W（Ta）、250W（Tc）
SI1072X-T1-E3	-	询价	7584	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SI1072	MOSFET（金属O化物）		SC-89 (SOT-563F)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	1.3A（塔）	4.5V、10V	93毫欧@1.3A，10V	3V@250μA	10V时为8.3nC	±20V	280pF@15V	-	236mW（塔）
SI7236DP-T1-GE3	-	询价	3838	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8 双	SI7236	MOSFET（金属O化物）	46W	PowerPAK® SO-8 双	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	60A		5.2毫欧@20.7A，4.5V	1.5V@250μA	105nC@10V		4000pF@10V	-
SI7860DP-T1-GE3	-	询价	4846	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7860	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	11A（塔）	4.5V、10V	8毫欧@18A，10V	3V@250μA	18nC@4.5V	±20V		-	1.8W（塔）
IRF9540PBF-BE3	2.1500	询价	3	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRF9540	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）		742-IRF9540PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		P沟道	100伏	19A（TC）		200毫欧@11A，10V	4V@250μA	61nC@10V	±20V	1400pF@25V	-	150W（温度）
SIHB186N60EF-GE3	2.9600	询价	2	威世硅科	EF	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SIHB186	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）		742-SIHB186N60EF-GE3	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	8.4A（温度）	10V	193毫欧@9.5A，10V	5V@250μA	32nC@10V	±30V	1081pF@100V	-	156W（温度）
SI2328DS-T1-E3	0.8600	询价	7093	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2328	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	100伏	1.15A（塔）	10V	250mOhm@1.5A，10V	4V@250μA	5nC@10V	±20V		-	730毫W（塔）
SQJ481EP-T1_BE3	1.0000	询价	3518	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载		1（无限制）		742-SQJ481EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	80V	16A（温度）	4.5V、10V	80毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	50nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	45W（温度）
SIHH20N50E-T1-GE3	4.8500	询价	7820	威世硅科	B	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	SIHH20	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 8 x 8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	500V	22A（温度）	10V	147毫欧@10A，10V	4V@250μA	84nC@10V	±30V	100V时为2063pF	-	174W（温度）
SI2307CDS-T1-BE3	0.5100	询价	7	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2307	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	2.7A（Ta）、3.5A（Tc）	4.5V、10V	88毫欧@3.5A，10V	3V@250μA	6.2nC@4.5V	±20V	15V时为340pF	-	1.1W（Ta）、1.8W（Tc）
SIS698DN-T1-GE3	0.3045	询价	2231	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SIS698	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100伏	6.9A（温度）	6V、10V	195毫欧@2.5A，10V	3.5V@250μA	8nC@10V	±20V	210pF@50V	-	19.8W（温度）
SI2323CDS-T1-GE3	0.7500	询价	6436	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2323	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	6A（温度）	1.8V、4.5V	39毫欧@4.6A，4.5V	1V@250μA	25nC@4.5V	±8V	10V时为1090pF	-	1.25W（Ta）、2.5W（Tc）
TP0202K-T1-GE3	-	询价	2224	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TP0202	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	30V	385mA（塔）	4.5V、10V	1.4欧姆@500mA，10V	3V@250μA	1nC@10V	±20V	15V时为31pF	-	350毫W（塔）
SUM70N04-07L-E3	-	询价	7229	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	总和70	MOSFET（金属O化物）		TO-263 (D²Pak)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	40V	70A（温度）	4.5V、10V	7.4毫欧@30A，10V	3V@250μA	75nC@10V	±20V	2800pF@25V	-	3.75W（Ta）、100W（Tc）
SI5938DU-T1-E3	-	询价	5930	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® ChipFET™ 双通道	SI5938	MOSFET（金属O化物）	8.3W	PowerPAK® ChipFet 双路	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	6A		39毫欧@4.4A，4.5V	1V@250μA	16nC@8V		520pF@10V	逻辑电平门
SISS22LDN-T1-GE3	1.2100	询价	8624	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8S	SISS22	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SISS22LDN-T1-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	25.5A（Ta）、92.5A（Tc）	4.5V、10V	3.65毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	56nC@10V	±20V	2540pF@30V	-	5W（Ta）、65.7W（Tc）
SUM90N06-5M5P-E3	-	询价	6559	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	总和90	MOSFET（金属O化物）		TO-263 (D²Pak)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	60V	90A（温度）	10V	5.5毫欧@20A，10V	4.5V@250μA	120nC@10V	±20V	4700pF@30V	-	3.75W（Ta）、272W（Tc）
SI4906DY-T1-E3	-	询价	9113	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4906	MOSFET（金属O化物）	3.1W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		40V	6.6A		39毫欧@5A，10V	2.2V@250μA	22nC@10V		625pF@20V	-
SIZ342ADT-T1-GE3	0.8600	询价	3	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	SIZ342	MOSFET（金属O化物）	3.7W（Ta）、16.7W（Tc）	8-Power33 (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SIZ342ADT-T1-GE3CT	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		30V	15.7A（Ta）、33.4A（Tc）		9.4毫欧@10A、10V	2.4V@250μA	12.2nC@10V		580pF@15V	-
SQS462EN-T1_GE3	1.0300	询价	2097	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SQS462	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	8A（温度）	4.5V、10V	63毫欧@4.3A，10V	2.5V@250μA	12nC@10V	±20V	470pF@25V	-	33W（温度）
SQJ456EP-T2_GE3	1.1340	询价	7725	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SQJ456	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SQJ456EP-T2_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100伏	32A（温度）	6V、10V	26毫欧@9.3A，10V	3.5V@250μA	63nC@10V	±20V	3342pF@25V	-	83W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²