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晶体管(5716)

参考图片	产品编号	价格（美元）	数量	电子计算机辅助设计	可用数量	重量（公斤）	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
	IRFR014PBF	1.4600	询价		8836	0.00000000	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	红外FR014	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	60V	7.7A（温度）	10V	200毫欧@4.6A，10V	4V@250μA	11nC@10V	±20V	300pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
	IRFB17N50LPBF	6.0100	询价		1	0.00000000	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRFB17	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRFB17N50LPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500V	16A（温度）	10V	320毫欧@9.9A，10V	5V@250μA	130nC@10V	±30V	2760pF@25V	-	220W（温度）
	SIHP35N60EF-GE3	6.3500	询价		6869	0.00000000	威世硅科	EF	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SIHP35	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	32A（温度）	10V	97毫欧@17A，10V	4V@250μA	134nC@10V	±30V	100V时为2568pF	-	250W（温度）
	SI2305CDS-T1-BE3	0.4300	询价		1501	0.00000000	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）		742-SI2305CDS-T1-BE3TR	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	8V	4.4A（Ta）、5.8A（Tc）	1.8V、4.5V	35毫欧@4.4A，4.5V	1V@250μA	30nC@8V	±8V	960pF@4V	-	960mW（Ta）、1.7W（Tc）
	IRF624SPBF	2.1100	询价		1	0.00000000	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF624	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRF624SPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	250伏	4.4A（温度）	10V	1.1欧姆@2.6A，10V	4V@250μA	14nC@10V	±20V	260pF@25V	-	3.1W（Ta）、50W（Tc）
	SIA777EDJ-T1-GE3	-	询价		8542	0.00000000	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-70-6 双	新航777	MOSFET（金属O化物）	5W、7.8W	PowerPAK® SC-70-6 双	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道		20V、12V	1.5A、4.5A		225毫欧@1.6A，4.5V	1V@250μA	2.2nC@5V		-	逻辑电平门
	SIS626DN-T1-GE3	-	询价		6642	0.00000000	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SIS626	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	25V	16A（温度）	2.5V、10V	9毫欧@10A，10V	1.4V@250μA	60nC@10V	±12V	1925pF@15V	-	52W（温度）
	SUP90N08-7M7P-E3	-	询价		9675	0.00000000	威世硅科	TrenchFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SUP90	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	75V	90A（温度）	10V	7.7毫欧@20A，10V	4.5V@250μA	105nC@10V	±20V	4250pF@30V	-	3.75W（Ta）、208.3W（Tc）
	SI7601DN-T1-GE3	-	询价		8654	0.00000000	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7601	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	16A（温度）	2.5V、4.5V	19.2毫欧@11A，4.5V	1.6V@250μA	27nC@5V	±12V	1870pF@10V	-	3.8W（Ta）、52W（Tc）
	IRFR9210TRR	-	询价		9037	0.00000000	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR9210	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	200V	1.9A（温度）	10V	3欧姆@1.1A，10V	4V@250μA	10V时为8.9nC	±20V	170pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
	SQJQ100EL-T1_GE3	3.0300	询价		2552	0.00000000	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 8 x 8	SQJQ100	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 8 x 8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	40V	200A（温度）	4.5V、10V	1.2毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	220nC@10V	±20V	14500pF@25V	-	150W（温度）
	IRFR214PBF	0.6159	询价		7829	0.00000000	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	红外FR214	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRFR214PBF	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	250伏	2.2A（温度）	10V	2欧姆@1.3A，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	140pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
	SIR464DP-T1-GE3	1.4200	询价		第475章	0.00000000	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIR464	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	50A（温度）	4.5V、10V	3.1毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	95nC@10V	±20V	15V时为3545pF	-	5.2W（Ta）、69W（Tc）
	IRF614L	-	询价		2502	0.00000000	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IRF614	MOSFET（金属O化物）		TO-262	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		*IRF614L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	250伏	2.7A（温度）	10V	2欧姆@1.6A，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	140pF@25V	-	-
	SQ7415AENW-T1_GE3	-	询价		3682	0.00000000	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SQ7415	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	60V	16A（温度）	4.5V、10V	65毫欧@5.7A，10V	2.5V@250μA	38nC@10V	±20V	1385pF@25V	-	53W（温度）
	IRF710PBF	1.1100	询价		7	0.00000000	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF710	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRF710PBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	400V	2A（温度）	10V	3.6欧姆@1.2A，10V	4V@250μA	17nC@10V	±20V	170pF@25V	-	36W（温度）

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AD9208BBPZ-3000196-LFBGA 裸露焊盘
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