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晶体管（（5716）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-GE3 1.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6913 MOSFET （金属 o化物） 830MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 4.9a 21MOHM @ 5.8A，4.5V 900MV @ 400µA 28nc @ 4.5V - 逻辑级别门
IRF3205ZSTRR Vishay Siliconix IRF3205ZSTRR -
RFQ
 ECAD 6474 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IRF3205 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 75A（TC） 10V 6.5MOHM @ 66A，10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V 3450 pf @ 25 V - 170W（TC）
IRFPE50PBF Vishay Siliconix IRFPE50pbf 4.8500
RFQ
 ECAD 175 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IRFPE50 MOSFET （金属 o化物） TO-247AC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） *IRFPE50pbf Ear99 8541.29.0095 25 n通道 800 v 7.8A（TC） 10V 1.2OHM @ 4.7A，10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ±20V 3100 pf @ 25 V - 190w（TC）
SUM110P04-04L-E3 Vishay Siliconix SUM110P04-04L-E3 4.7600
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB sum110 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D²Pak） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 800 P通道 40 V 110A（TC） 4.5V，10V 4.2MOHM @ 30a，10v 3V @ 250µA 350 NC @ 10 V ±20V 11200 PF @ 25 V - 3.75W（TA），375W（tc）
IRFU210 Vishay Siliconix IRFU210 -
RFQ
 ECAD 2611 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA irfu2 MOSFET （金属 o化物） TO-251AA 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFU210 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 200 v 2.6A（TC） 10V 1.5OHM @ 1.6A，10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±20V 140 pf @ 25 V - 2.5W（25W），25W（tc）
SI4497DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4497DY-T1-GE3 1.8800
RFQ
 ECAD 3879 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4497 MOSFET （金属 o化物） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 36a（TC） 4.5V，10V 3.3mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 285 NC @ 10 V ±20V 9685 pf @ 15 V - 3.5W（TA），7.8W（TC）
IRFR9120TR Vishay Siliconix IRFR9120Tr -
RFQ
 ECAD 1952年 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IRFR9120 MOSFET （金属 o化物） D-pak - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 100 v 5.6A（TC） 10V 600MOHM @ 3.4A，10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 390 pf @ 25 V - 2.5W（TA），42W（TC）
SUP40012EL-GE3 Vishay Siliconix SUP40012EL-GE3 2.3400
RFQ
 ECAD 7391 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 SUP40012 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 150a（TC） 4.5V，10V 1.79MOHM @ 30a，10V 2.5V @ 250µA 195 NC @ 10 V ±20V 10930 PF @ 20 V - 150W（TC）
SIHB120N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB120N60E-GE3 5.2400
RFQ
 ECAD 984 0.00000000 Vishay Siliconix e 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB SIHB120 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 25A（TC） 10V 120mohm @ 12a，10v 5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 1562 PF @ 100 V - 179W（TC）
IRFP31N50LPBF Vishay Siliconix IRFP31N50LPBF 7.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IRFP31 MOSFET （金属 o化物） TO-247AC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） *IRFP31N50LPBF Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 31a（TC） 10V 180mohm @ 19a，10v 5V @ 250µA 210 NC @ 10 V ±30V 5000 pf @ 25 V - 460W（TC）
IRFBC20S Vishay Siliconix IRFBC20 -
RFQ
 ECAD 3243 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IRFBC20 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFBC20 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 2.2A（TC） 10V 4.4OHM @ 1.3A，10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 350 pf @ 25 V - 3.1W（ta），50W（TC）
IRFIBC20GPBF Vishay Siliconix IRFIBC20GPBF 2.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 IRFIBC20 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） *IRFIBC20GPBF Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 1.7A（TC） 10V 4.4OHM @ 1A，10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 350 pf @ 25 V - 30W（TC）
SI7447ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7447ADP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9665 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 PowerPak®1212-8 SI7447 MOSFET （金属 o化物） PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 35A（TC） 10V 6.5MOHM @ 24A，10V 3V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±25V 4650 pf @ 15 V - 5.4W（ta），83.3W（tc）
IRF634NPBF Vishay Siliconix IRF634NPBF -
RFQ
 ECAD 2506 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF634 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF634NPBF Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 8A（TC） 10V 435MOHM @ 4.8A，10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±20V 620 pf @ 25 V - 3.8W（TA），88W（TC）
IRF9640 Vishay Siliconix IRF9640 -
RFQ
 ECAD 3506 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF9640 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF9640 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 200 v 11A（TC） 10V 500MOHM @ 6.6a，10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 25 V - 125W（TC）
IRFR024TRL Vishay Siliconix irfr024trl -
RFQ
 ECAD 6591 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IRFR024 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 14A（TC） 10V 100mohm @ 8.4a，10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 640 pf @ 25 V - 2.5W（TA），42W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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