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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI1302DL-T1-BE3	0.4400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1302	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	600mA（TA）		480MOHM @ 600mA，10V	3V @ 250µA	1.4 NC @ 10 V	±20V		-	280MW（TA）
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IRFBC20PBF	1.4000	RFQ	9	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfbc20pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIHD6N65E-GE3	1.6100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD6	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
IRFP354	-	RFQ	6022	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP354	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFP354	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	450 v	14A（TC）	10V	350MOHM @ 8.4A，10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	190w（TC）
irfu214pbf	1.3900	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU214	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu214pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFBC30AS	-	RFQ	5193	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC30AS	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
Irfibe30g	-	RFQ	7413	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	Irfibe30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irfibe30g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	2.1A（TC）	10V	3ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SI5402DC-T1-E3	-	RFQ	8823	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5402	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.9a（ta）	4.5V，10V	35MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA（250µA）	20 nc @ 10 V	±20V		-	1.3W（TA）
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IRFI644GPBF	2.9500	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI644GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	7.9A（TC）	10V	280MOHM @ 4.7A，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SUD50N025-06P-E3	-	RFQ	2955	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	25 v	78A（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 20A，10V	2.4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	2490 pf @ 12 V	-	10.7W（ta），65W（tc）
SI6459BDQ-T1-E3	-	RFQ	9009	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6459	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	2.2A（ta）	4.5V，10V	115mohm @ 2.7a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V		-	1W（ta）
SI4114DY-T1-GE3	1.3400	RFQ	8737	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4114	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	20A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±16V	3700 PF @ 10 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
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IRFPG30	-	RFQ	9904	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPG30	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	1000 v	3.1A（TC）	10V	5ohm @ 1.9a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	980 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRLI640GPBF	3.3400	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRLI640GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	9.9a（TC）	4V，5V	180MOHM @ 5.9a，5V	2V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±10V	1800 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SIZ988DT-T1-GE3	1.2800	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ988	MOSFET （金属 o化物）	20.2W，40W	8-PowerPair®	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	40a（TC），60a tc（TC）		7.5mohm @ 10a，10v，4.1Mohm @ 19a，10v	2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA	10.5nc @ 4.5V，23.1nc @ 4.5V		1000pf @ 15V，2425pf @ 15V	-
SIA432DJ-T1-GE3	1.1100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA432	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	800 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
SQA700CEJW-T1_GE3	0.5600	RFQ	11	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	9A（TC）	4.5V，10V	79mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 25 V	-	13.6W（TC）
SIHG33N65EF-GE3	6.9500	RFQ	3945	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG33	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	650 v	31.6a（TC）	10V	109MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	171 NC @ 10 V	±30V	4026 PF @ 100 V	-	313W（TC）
SI5435BDC-T1-GE3	-	RFQ	9346	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5435	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.3a（ta）	4.5V，10V	45MOHM @ 4.3A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V		-	1.3W（TA）
IRF640SPBF	2.2000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
SQJ868EP-T1_GE3	0.9800	RFQ	8598	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ868	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	58A（TC）	10V	7.35mohm @ 14a，10v	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2450 pf @ 20 V	-	48W（TC）
IRFB16N50K	-	RFQ	2631	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB16	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB16N50K	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	17a（TC）	10V	350MOHM @ 10A，10V	5V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	2210 PF @ 25 V	-	280W（TC）
SI1450DH-T1-E3	-	RFQ	1280	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1450	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	8 V	4.53A（TA），6.04a （TC）	1.5V，4.5V	47MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	7.05 NC @ 5 V	±5V	535 pf @ 4 V	-	1.56W（TA），2.78W（tc）
irfr9310pbf	1.6900	RFQ	2904	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SISA14DN-T1-GE3	0.6700	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA14	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	+20V，-16V	1450 pf @ 15 V	-	3.57W（TA），26.5W（tc）
SI4122DY-T1-GE3	2.3500	RFQ	9977	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4122	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	27.2A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±25V	4200 PF @ 20 V	-	（3w（ta），6w（tc）
SQD19P06-60L_GE3	1.6000	RFQ	9867	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD19	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	55mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 25 V	-	46W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²