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![]() | SI5402BDC-T1-GE3 | - | ![]() | 4906 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5402 | MOSFET (金属 o化物) | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 4.9a(ta) | 4.5V,10V | 35MOHM @ 4.9A,10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | - | 1.3W(TA) | |||||
SIHP24N65EF-GE3 | 3.0870 | ![]() | 8831 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SIHP24 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 24A(TC) | 10V | 156mohm @ 12a,10v | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 V | ±20V | 2656 pf @ 100 V | - | 250W(TC) | ||||||
![]() | SIHA120N60E-GE3 | 5.2500 | ![]() | 3707 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | SIHA120 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 25A(TC) | 10V | 120mohm @ 12a,10v | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±30V | 1562 PF @ 100 V | - | 34W(TC) | |||||
![]() | SI4230DY-T1-GE3 | - | ![]() | 8668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4230 | MOSFET (金属 o化物) | 3.2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 8a | 20.5MOHM @ 8A,10V | 3V @ 250µA | 25nc @ 10V | 950pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI4426DY-T1-E3 | 0.6468 | ![]() | 8632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4426 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | 6.5A(TA) | 2.5V,4.5V | 25mohm @ 8.5a,4.5V | 1.4V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.5W(TA) | ||||||
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![]() | IRF720SPBF | 1.8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF720 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRF720SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 400 v | 3.3A(TC) | 10V | 1.8Ohm @ 2a,10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 410 pf @ 25 V | - | 3.1W(ta),50W(TC) | ||||
![]() | SI2309CDS-T1-E3 | 0.5500 | ![]() | 8186 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SI2309 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 1.6A(TC) | 4.5V,10V | 345MOHM @ 1.25A,10V | 3V @ 250µA | 4.1 NC @ 4.5 V | ±20V | 210 pf @ 30 V | - | 1W(1W),1.7W(TC) | ||||
IRF510pbf | 1.1200 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF510 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRF510pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 5.6A(TC) | 10V | 540MOHM @ 3.4A,10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ±20V | 180 pf @ 25 V | - | 43W(TC) | |||||
![]() | SIHA21N80AEF-GE3 | 3.0700 | ![]() | 957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | 下载 | (1 (无限) | 742-SIHA21N80AEF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 7A(TC) | 10V | 250mohm @ 8.5a,10v | 4V @ 250µA | 71 NC @ 10 V | ±30V | 1511 pf @ 100 V | - | 33W(TC) | ||||||
![]() | SIB417EDK-T1-GE3 | 0.3969 | ![]() | 7299 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Sc-75-6 | SIB417 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®Sc-75-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 9A(TC) | 1.2V,4.5V | 58MOHM @ 5.8A,4.5V | 1V @ 250µA | 12 nc @ 5 V | ±5V | 565 pf @ 4 V | - | 2.4W(TA),13W(tc) | |||||
![]() | SI8429DB-T1-E1 | 1.0400 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-XFBGA,CSPBGA | SI8429 | MOSFET (金属 o化物) | 4微米 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 11.7A(TC) | 1.2V,4.5V | 35MOHM @ 1A,4.5V | 800MV @ 250µA | 26 NC @ 5 V | ±5V | 1640 pf @ 4 V | - | 2.77W(TA),6.25W(tc) | ||||
![]() | SI2347DS-T1-BE3 | 0.4300 | ![]() | 461 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SI2347DS-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3.8A(ta),5a tc(5a tc) | 4.5V,10V | 42MOHM @ 3.8A,10V | 2.5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 705 pf @ 15 V | - | 1.2W(TA),1.7W(TC) | |||||
SUP75P03-07-E3 | - | ![]() | 4637 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SUP75 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | SUP75P0307E3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P通道 | 30 V | 75A(TC) | 4.5V,10V | 7mohm @ 30a,10v | 3V @ 250µA | 240 NC @ 10 V | ±20V | 9000 PF @ 25 V | - | 3.75W(ta),187W(tc) | |||||
![]() | SIZ300DT-T1-GE3 | 1.1200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | SIZ300 | MOSFET (金属 o化物) | 16.7W,31W | 8-PowerPair® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 11a,28a | 24mohm @ 9.8a,10v | 2.4V @ 250µA | 12nc @ 10V | 400pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | SIHFR320-GE3 | 0.8800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIHFR320 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 400 v | 3.1A(TC) | 10V | 1.8OHM @ 1.9a,10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | |||||
![]() | IRFL9110TR | - | ![]() | 7383 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | IRFL9110 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 100 v | 1.1A(TC) | 10V | 1.2OHM @ 660mA,10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 V | ±20V | 200 pf @ 25 V | - | 2W(TA),3.1W(TC) | ||||
![]() | SI4431BDY-T1-E3 | 1.0000 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4431 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 5.7A(ta) | 4.5V,10V | 30mohm @ 7.5A,10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 5 V | ±20V | - | 1.5W(TA) | ||||||
![]() | IRF9520PBF-BE3 | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF9520 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 742-IRF9520PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P通道 | 100 v | 6.8A(TC) | 600MOHM @ 4.1A,10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 390 pf @ 25 V | - | 60W(TC) | ||||||
![]() | SQJ431AEP-T1_BE3 | 1.6400 | ![]() | 2342 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | (1 (无限) | 742-SQJ431AEP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 200 v | 9.4A(TC) | 6V,10V | 305MOHM @ 3.8A,10V | 3.5V @ 250µA | 85 NC @ 10 V | ±20V | 3700 PF @ 25 V | - | 68W(TC) | ||||||
![]() | SI7308DN-T1-E3 | 1.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7308 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 6A(TC) | 4.5V,10V | 58MOHM @ 5.4A,10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 665 pf @ 15 V | - | 3.2W(TA),19.8W(tc) |
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