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晶体管（（5716）

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SI7447ADP-T1-E3	-	RFQ	9665	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7447	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	35A（TC）	10V	6.5MOHM @ 24A，10V	3V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±25V	4650 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83.3W（tc）
SIS890DN-T1-GE3	1.4000	RFQ	622	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS890	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	30A（TC）	4.5V，10V	23.5mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	802 PF @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SIR878DP-T1-GE3	-	RFQ	8008	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir878	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	40a（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 15a，10v	2.8V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 50 V	-	5W（5W），44.5W（TC）
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irfibf20g	-	RFQ	3824	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBF20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIBF20G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	900 v	1.2A（TC）	10V	8ohm @ 720mA，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	30W（TC）
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SIA425EDJ-T1-GE3	-	RFQ	2797	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA425	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（TC）	1.8V，4.5V	60mohm @ 4.2A，4.5V	1V @ 250µA		±12V		-	2.9W（TA），15.6W（TC）
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SIR846DP-T1-GE3	2.5100	RFQ	8527	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir846	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	60a（TC）	7.5V，10V	7.8mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	2870 pf @ 50 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
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SQJ570EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	5611	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ570	MOSFET （金属 o化物）	27W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		100V	（15A）（TC），9.5A （TC）		45mohm @ 6a，10v，146Mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	20nc @ 10v，15nc @ 10V		650pf @ 25V，600pf @ 25V	-
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irfz14strr	-	RFQ	7497	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
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IRFS9N60A	-	RFQ	8102	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFS9N60A	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	9.2A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SIHD12N50E-GE3	1.8000	RFQ	8456	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD12	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	550 v	10.5A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	886 pf @ 100 V	-	114W（TC）
IRFPG30pbf	3.5400	RFQ	161	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPG30PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	1000 v	3.1A（TC）	10V	5ohm @ 1.9a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	980 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI7958DP-T1-GE3	-	RFQ	4831	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7958	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	7.2a		16.5MOHM @ 11.3A，10V	3V @ 250µA	75nc @ 10V		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²