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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHP5N50D-GE3	1.1200	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	5.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	325 pf @ 100 V	-	104W（TC）
SI7342DP-T1-GE3	-	RFQ	6344	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7342	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	8.25mohm @ 15a，10v	1.8V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±12V	1900 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
IRFPC48	-	RFQ	6967	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC48	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	8.9a（TC）	10V	820MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IRFU420pbf	1.3400	RFQ	9016	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU420	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFU420pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI4427BDY-T1-GE3	0.8363	RFQ	1982	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4427	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	9.7A（ta）	10V	10.5MOHM @ 12.6a，10V	1.4V @ 250µA	70 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
SIHP28N65EF-GE3	3.4119	RFQ	1126	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP28	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	28a（TC）	10V	117MOHM @ 14A，10V	4V @ 250µA	146 NC @ 10 V	±30V	3249 PF @ 100 V	-	250W（TC）
IRFR010	-	RFQ	8887	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR010	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR010	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	50 V	8.2A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SIA462DJ-T1-GE3	0.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA462	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6单	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 9a，10v	2.4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SI3454CDV-T1-GE3	-	RFQ	8358	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3454	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.2A（TC）	4.5V，10V	50MOHM @ 3.8A，10V	3V @ 250µA	10.6 NC @ 10 V	±20V	305 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），1.5W（tc）
SQJA76EP-T1_GE3	1.4600	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA76	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	75A（TC）	10V	2.4mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	5250 pf @ 25 V	-	68W（TC）
SQJA42EP-T1_GE3	1.4600	RFQ	6987	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA42	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	20A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 6a，10v	2.3V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	27W（TC）
SI4486EY-T1-GE3	-	RFQ	9236	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4486	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	5.4A（ta）	6V，10V	25mohm @ 7.9a，10v	2V @ 250µA（）	44 NC @ 10 V	±20V		-	1.8W（TA）
SIHH27N60EF-T1-GE3	7.0000	RFQ	9092	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH27	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	29A（TC）	10V	100mohm @ 13.5a，10v	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±30V	2609 PF @ 100 V	-	202W（TC）
SI4833ADY-T1-E3	-	RFQ	2797	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4833	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	4.6A（TC）	4.5V，10V	72MOHM @ 3.6A，10V	2.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	1.93W（ta），2.75W（tc）
SIE862DF-T1-GE3	-	RFQ	1481	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（U）	Sie862	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（U）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	50A（TC）	10V	3.2MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SI4943CDY-T1-E3	1.7000	RFQ	8274	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4943	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		20V	8a		19.2MOHM @ 8.3a，10V	3V @ 250µA	62NC @ 10V		1945pf @ 10V	逻辑级别门
SI8415DB-T1-E1	-	RFQ	9867	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8415	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	5.3a（ta）	1.8V，4.5V	37MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.47W（TA）
SI4462DY-T1-GE3	-	RFQ	2403	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4462	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	1.15A（TA）	6V，10V	480MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V		-	1.3W（TA）
IRFI510G	-	RFQ	8574	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI510	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI510G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	4.5A（TC）	10V	540MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SI4403BDY-T1-GE3	-	RFQ	6298	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4403	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	7.3a（ta）	1.8V，4.5V	17mohm @ 9.9a，4.5V	1V @ 350µA	50 NC @ 5 V	±8V		-	1.35W（TA）
SI5435BDC-T1-GE3	-	RFQ	9346	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5435	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.3a（ta）	4.5V，10V	45MOHM @ 4.3A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V		-	1.3W（TA）
SI4426DY-T1-GE3	-	RFQ	4632	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4426	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	6.5A（TA）	2.5V，4.5V	25mohm @ 8.5a，4.5V	1.4V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
SQA700CEJW-T1_GE3	0.5600	RFQ	11	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	9A（TC）	4.5V，10V	79mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 25 V	-	13.6W（TC）
IRF640SPBF	2.2000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
SIHG33N65EF-GE3	6.9500	RFQ	3945	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG33	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	650 v	31.6a（TC）	10V	109MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	171 NC @ 10 V	±30V	4026 PF @ 100 V	-	313W（TC）
SI4122DY-T1-GE3	2.3500	RFQ	9977	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4122	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	27.2A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±25V	4200 PF @ 20 V	-	（3w（ta），6w（tc）
SI6993DQ-T1-GE3	-	RFQ	8483	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6993	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	3.6a		31MOHM @ 4.7A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF730Al	-	RFQ	4589	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF730Al	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRF634NPBF	-	RFQ	2506	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF634	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF634NPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	8A（TC）	10V	435MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），88W（TC）
IRF9640	-	RFQ	3506	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9640	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²