晶体管(5716)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
SIA462DJ-T1-GE3	0.4100	询价	2	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-70-6	新航462	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SC-70-6 单	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	12A（温度）	4.5V、10V	18毫欧@9A，10V	2.4V@250μA	17nC@10V	±20V	570pF@15V	-	3.5W（Ta）、19W（Tc）
SQJA72EP-T1_BE3	1.4100	询价	3317	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载		1（无限制）		742-SQJA72EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100伏	37A（温度）	4.5V、10V	19毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	30nC@10V	±20V	1390pF@25V	-	55W（温度）
SI7392DP-T1-GE3	-	询价	1165	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7392	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	9A（塔）	4.5V、10V	9.75毫欧@15A，10V	3V@250μA	15nC@4.5V	±20V		-	1.8W（塔）
IRFL214PBF	-	询价	3606	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	红外荧光灯214	MOSFET（金属O化物）		SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道	250伏	790mA（温度）	10V	2欧姆@470mA，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	140pF@25V	-	2W（Ta）、3.1W（Tc）
IRPF40	-	询价	2484	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IRPF40	MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFPF40	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	900伏	4.7A（温度）	10V	2.5欧姆@2.8A，10V	4V@250μA	120nC@10V	±20V	1600pF@25V	-	150W（温度）
SQJ433EP-T1_GE3	1.4100	询价	4	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SQJ433	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	75A（温度）	4.5V、10V	8.1毫欧@16A，10V	2.5V@250μA	108nC@10V	±20V	4877pF@15V	-	83W（温度）
IRF820ASTRR	-	询价	6816	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF820	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	500V	2.5A（温度）	10V	3欧姆@1.5A，10V	4.5V@250μA	17nC@10V	±30V	340pF@25V	-	50W（温度）
SIR440DP-T1-GE3	2.0100	询价	7	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIR440	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	60A（温度）	4.5V、10V	1.55毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	150nC@10V	±20V	6000pF@10V	-	6.25W（Ta）、104W（Tc）
SI5473DC-T1-E3	-	询价	8297	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	SI5473	MOSFET（金属O化物）		1206-8 ChipFET™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	12V	5.9A（塔）	1.8V、4.5V	27毫欧@5.9A，4.5V	1V@250μA	32nC@4.5V	±8V		-	1.3W（塔）
IRF730STRL	-	询价	1415	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF730	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	400V	5.5A（温度）	10V	1欧姆@3.3A，10V	4V@250μA	38nC@10V	±20V	700pF@25V	-	3.1W（Ta）、74W（Tc）
IRFPC40	-	询价	8904	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IRFPC40	MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFPC40	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	600伏	6.8A（温度）	10V	1.2欧姆@4.1A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	150W（温度）
SQD10N30-330H_GE3	1.6500	询价	7747	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	10平方尺	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	300伏	10A（温度）	10V	330毫欧@14A，10V	4.4V@250μA	47nC@10V	±30V	2190pF@25V	-	107W（温度）
IRFD9010	-	询价	2341	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD9010	MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		*IRFD9010	EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	50V	1.1A（温度）	10V	500mOhm @ 580mA，10V	4V@250μA	11nC@10V	±20V	240pF@25V	-	1W（温度）
IRFR224TRR	-	询价	4535	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	红外FR224	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	250伏	3.8A（温度）	10V	1.1欧姆@2.3A，10V	4V@250μA	14nC@10V	±20V	260pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
IRF730AL	-	询价	4589	威世硅科	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IRF730	MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		*IRF730AL	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	400V	5.5A（温度）	10V	1欧姆@3.3A，10V	4.5V@250μA	22nC@10V	±30V	600pF@25V	-	74W（温度）
SI7315DN-T1-GE3	1.2600	询价	6	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7315	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	150伏	8.9A（温度）	7.5V、10V	315毫欧@2.4A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±30V	880pF@75V	-	3.8W（Ta）、52W（Tc）
IRF644NPBF	-	询价	6534	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRF644	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF644NPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	250伏	14A（温度）	10V	240毫欧@8.4A，10V	4V@250μA	54nC@10V	±20V	1060pF@25V	-	150W（温度）
SI1039X-T1-GE3	-	询价	6050	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SI1039	MOSFET（金属O化物）		SC-89 (SOT-563F)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	12V	870mA（塔）	1.8V、4.5V	165毫欧@870mA，4.5V	450mV @ 250μA（极低）	6nC@4.5V	±8V		-	170毫W（塔）
IRFP32N50K	-	询价	9227	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IRFP32	MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFP32N50K	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	500V	32A（温度）	10V	160毫欧@32A，10V	5V@250μA	190nC@10V	±30V	5280pF@25V	-	460W（温度）
SI7922DN-T1-GE3	1.7700	询价	45	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8 双	SI7922	MOSFET（金属O化物）	1.3W	PowerPAK® 1212-8 双	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		100V	1.8A		195毫欧@2.5A，10V	3.5V@250μA	8nC@10V		-	逻辑电平门
SI1563EDH-T1-E3	-	询价	9088	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SI1563	MOSFET（金属O化物）	570毫W	SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道		20V	1.13A、880mA		280毫欧@1.13A，4.5V	1V@100μA	1nC@4.5V		-	逻辑电平门
SI7107DN-T1-E3	-	询价	7746	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7107	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	9.8A（塔）	1.8V、4.5V	10.8毫欧@15.3A，4.5V	1V@450μA	44nC@4.5V	±8V		-	1.5W（塔）
SIZ340DT-T1-GE3	0.9200	询价	5	威世硅科	PowerPAIR®、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	尺寸340	MOSFET（金属O化物）	16.7W、31W	8-Power33 (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（半桥）		30V	30A、40A		9.5毫欧@15.6A，10V	2.4V@250μA	19nC@10V		760pF@15V	-
IRF840ALPBF	2.7800	询价	第475章	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IRF840	MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRF840ALPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500V	8A（温度）	10V	850毫欧@4.8A，10V	4V@250μA	38nC@10V	±30V	1018pF@25V	-	3.1W（Ta）、125W（Tc）
SQ2308CES-T1_GE3	0.6700	询价	44	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SQ2308	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	2.3A（温度）	4.5V、10V	150mOhm@2.3A，10V	2.5V@250μA	5.3nC@10V	±20V	205pF@30V	-	2W（温度）
SQD90P04-9M4L_GE3	2.7600	询价	88	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	90平方尺	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道	40V	90A（温度）	4.5V、10V	9.4毫欧@17A，10V	2.5V@250μA	155nC@10V	±20V	6675pF@20V	-	136W（温度）
IRF710STRR	-	询价	5518	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF710	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	400V	2A（温度）	10V	3.6欧姆@1.2A，10V	4V@250μA	17nC@10V	±20V	170pF@25V	-	3.1W（Ta）、36W（Tc）
IRF540PBF	2.1500	询价	40	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRF540	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRF540PBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100伏	28A（温度）	10V	77毫欧@17A，10V	4V@250μA	72nC@10V	±20V	1700pF@25V	-	150W（温度）
SI9433BDY-T1-E3	0.8900	询价	17号	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI9433	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	20V	4.5A（塔）	2.7V、4.5V	40毫欧@6.2A，4.5V	1.5V@250μA	14nC@4.5V	±12V		-	1.3W（塔）
SI5935DC-T1-E3	-	询价	5810	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	SI5935	MOSFET（金属O化物）	1.1W	1206-8 ChipFET™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		20V	3A		86毫欧@3A，4.5V	1V@250μA	8.5nC@4.5V		-	逻辑电平门

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²