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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4425DDY-T1-GE3	0.9100	RFQ	63	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4425	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	19.7a（TC）	4.5V，10V	9.8mohm @ 13A，10V	2.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	2610 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
IRFR214pbf	0.6159	RFQ	7829	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfr214pbf	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFPC50LCPBF	4.0688	RFQ	4345	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC50	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPC50LCPBF	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	11A（TC）	10V	600mohm @ 6.6a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRFR9120	-	RFQ	7644	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR9120	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	100 v	5.6A（TC）	10V	600MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI6966EDQ-T1-E3	-	RFQ	9542	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6966	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	-		30mohm @ 5.2A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	25nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SQJ848EP-T1_GE3	1.6600	RFQ	3110	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ848	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	47A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 10.3a，10V	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 20 V	-	68W（TC）
SIHF15N65E-GE3	1.9257	RFQ	6692	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF15	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	34W（TC）
SQ4940AEY-T1_GE3	1.1400	RFQ	4	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4940	MOSFET （金属 o化物）	4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	8a		24mohm @ 5.3a，10v	2.5V @ 250µA	43nc @ 10V		741pf @ 20V	逻辑级别门
SI3493DV-T1-E3	-	RFQ	7447	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3493	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.3a（ta）	1.8V，4.5V	27MOHM @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	32 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.1W（TA）
IRF634NSPBF	-	RFQ	3955	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF634	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF634NSPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	8A（TC）	10V	435MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），88W（TC）
IRF820a	-	RFQ	2120	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF820A	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SUP90N08-6M8P-E3	-	RFQ	2120	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	75 v	90A（TC）	10V	6.8mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V	4620 PF @ 30 V	-	3.75W（ta），272W（tc）
IRFBE30PBF-BE3	2.2500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBE30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFBE30PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	4.1A（TC）		3ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRLI530GPBF	1.9300	RFQ	968	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRLI530GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	9.7a（TC）	4V，5V	160MOHM @ 5.8A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	42W（TC）
SIA915DJ-T1-GE3	-	RFQ	3323	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA915	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	4.5a		87MOHM @ 2.9a，10V	2.2V @ 250µA	9NC @ 10V		275pf @ 15V	逻辑级别门
SIUD401ED-T1-GE3	0.4300	RFQ	8874	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®0806	SIUD401	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®0806	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	500mA（ta）	2.5V，10V	1.573OHM @ 200mA，10v	1.4V @ 250µA	2 NC @ 10 V	±12V	33 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
SQJ940EP-T1_GE3	1.4500	RFQ	8	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ940	MOSFET （金属 o化物）	48W，43W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	（15a）（TA），18A （TC）		16mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 20V		896pf @ 20V	逻辑级别门
IRLD024	-	RFQ	6236	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRLD024	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLD024	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.5a（ta）	4V，5V	100mohm @ 1.5A，5V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
IRFP260pbf	6.5100	RFQ	949	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP260	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP260pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	200 v	46A（TC）	10V	55mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	5200 pf @ 25 V	-	280W（TC）
SI6433BDQ-T1-GE3	-	RFQ	7852	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6433	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	40MOHM @ 4.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.05W（TA）
SI4936CDY-T1-E3	0.2436	RFQ	6767	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4936	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.8a		40mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	9NC @ 10V		325pf @ 15V	逻辑级别门
IRFR9014	-	RFQ	9841	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR9014	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	60 V	5.1A（TC）	10V	500MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI3460DV-T1-E3	-	RFQ	7192	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3460	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	5.1a（ta）	1.8V，4.5V	27MOHM @ 5.1A，4.5V	450mv @ 1ma （最小）	20 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.1W（TA）
IRFIBF30G	-	RFQ	4558	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIBF30G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	900 v	1.9A（TC）	10V	3.7OHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRLIZ14GPBF	1.9400	RFQ	1407	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLIZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRLIZ14GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	8A（TC）	4V，5V	200mohm @ 4.8A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SI4330DY-T1-GE3	-	RFQ	6712	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4330	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	6.6a		16.5MOHM @ 8.7A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
sihu4n80e-ge3	0.8984	RFQ	9508	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AB	sihu4	MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	800 v	4.3A（TC）	10V	1.27OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	622 PF @ 100 V	-	69W（TC）
SI7495DP-T1-E3	-	RFQ	5532	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7495	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	13A（TA）	1.8V，4.5V	6.5MOHM @ 21A，4.5V	900mv @ 1mA	140 NC @ 5 V	±8V		-	1.8W（TA）
IRF9Z14STRL	-	RFQ	1946年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRL3102L	-	RFQ	6155	Vishay Siliconix	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL3102	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3102L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	20 v	61A（TC）	4.5V，7V	13mohm @ 37a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	58 NC @ 4.5 V	±10V	2500 pf @ 15 V	-	89W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²