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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFZ14PBF-BE3	1.2900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFZ14PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	10A（TC）		200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
TP0610K-T1-GE3	0.4900	RFQ	227	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TP0610	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	60 V	185ma（ta）	4.5V，10V	6ohm @ 500mA，10v	3V @ 250µA	1.7 NC @ 15 V	±20V	23 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
SI4322DY-T1-E3	-	RFQ	7011	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4322	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	18A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1640 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），5.4W（TC）
IRF630STRLPBF	1.6900	RFQ	94	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
IRFB16N60LPBF	-	RFQ	9786	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB16	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB16N60LPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	16A（TC）	10V	460MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±30V	2720 PF @ 25 V	-	310W（TC）
SQJA20EP-T1_GE3	1.4700	RFQ	8858	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA20	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	22.5A（TC）	7.5V，10V	50mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRFP440pbf	3.3700	RFQ	356	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP440	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP440pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	8.8A（TC）	10V	850MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFBF30STRLPBF	3.5800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI7322DN-T1-E3	1.7200	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7322	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	-	10V	58MOHM @ 5.5A，10V	4.4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	750 pf @ 50 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SIHS20N50C-E3	5.1592	RFQ	5843	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	SIHS20	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	480		n通道	500 v	20A（TC）	10V	270MOHM @ 10a，10v	5V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±30V	2942 PF @ 25 V	-	250MW（TC）
SIHP050N60E-GE3	9.3000	RFQ	4125	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP050	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	51A（TC）	10V	50MOHM @ 23A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	3459 pf @ 100 V	-	278W（TC）
SI6467BDQ-T1-E3	-	RFQ	4235	Vishay Siliconix	Trechfet®	（CT）	过时的		表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6467	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	6.8a（ta）		12.5MOHM @ 8A，4.5V	850mv @ 450µA	70 NC @ 4.5 V			-
IRF530	-	RFQ	4348	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF530	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
VP1008B	-	RFQ	6699	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	VP1008	MOSFET （金属 o化物）		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		P通道	100 v	790ma（ta）	10V	5ohm @ 1A，10V	4.5V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	6.25W（TA）
SI8472DB-T2-E1	0.5600	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga	SI8472	MOSFET （金属 o化物）		4-microfoot®（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	3.3a（ta）	1.5V，4.5V	44mohm @ 1.5A，4.5V	900mv @ 250µA	18 nc @ 8 V	±8V	630 pf @ 10 V	-	780MW（TA）
IRFI620	-	RFQ	8489	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFI620	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	4.1A（TC）	10V	800MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	30W（TC）
SIHG47N60E-E3	9.7500	RFQ	485	Vishay Siliconix	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHG47N60EE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	47A（TC）	10V	64mohm @ 24a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±30V	9620 PF @ 100 V	-	357W（TC）
SIR440DP-T1-GE3	2.0100	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir440	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.55MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 10 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SUP60N10-18P-E3	-	RFQ	7050	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	60a（TC）	8V，10V	18.3mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 50 V	-	3.75W（TA），150W（tc）
SI8824EDB-T2-E1	0.4300	RFQ	34	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8824	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.1a（ta）	1.2V，4.5V	75MOHM @ 1A，4.5V	800MV @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±5V	400 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
IRFZ30	-	RFQ	3175	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ30	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	50 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SI1012CR-T1-GE3	0.4700	RFQ	58	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1012	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	630ma（ta）	1.5V，4.5V	396MOHM @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	2 NC @ 8 V	±8V	43 pf @ 10 V	-	240MW（TA）
SI1405BDH-T1-GE3	-	RFQ	4668	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1405	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	1.6A（TC）	1.8V，4.5V	112MOHM @ 2.8A，4.5V	950mv @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±8V	305 pf @ 4 V	-	1.47W（TA），2.27W（tc）
IRF9Z24STRL	-	RFQ	2058	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	11A（TC）	10V	280MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SIZF920DT-T1-GE3	1.9000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF920	MOSFET （金属 o化物）	3.9W（TA），28W tc（TC），4.5W（ta（74W ta）（74W tc）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基		30V	28a（28a），76a （TC），49A（ta（197a t c）（TC）		3.07mohm @ 10a，10v，1.05Mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA	29nc @ 10v，125nc @ 10V		1300pf @ 15V，5230pf @ 15V	-
SI7409ADN-T1-GE3	-	RFQ	6828	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7409	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	7a（ta）	2.5V，4.5V	19mohm @ 11a，4.5V	1.5V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
IRL630S	-	RFQ	7528	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL630S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	9A（TC）	4V，5V	400MOHM @ 5.4A，5V	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
SISS26LDN-T1-GE3	1.3000	RFQ	4309	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS26	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	23.7A（TA），81.2a tc）	4.5V，10V	4.3mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1980 pf @ 30 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SISA26DN-T1-GE3	0.8300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA26	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	60a（TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	44 NC @ 10 V	+16V，-12V	2247 PF @ 10 V	-	39W（TC）
IRF9630	-	RFQ	5324	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9630	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	6.5A（TC）	10V	800MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	74W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²