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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFU9014	-	RFQ	3953	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9014	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	60 V	5.1A（TC）	10V	500MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFP254pbf	4.2200	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP254	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP254PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	250 v	23A（TC）	10V	140mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	190w（TC）
SIS447DN-T1-GE3	0.9300	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS447	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	18A（TC）	2.5V，10V	7.1MOHM @ 20A，10V	1.2V @ 250µA	181 NC @ 10 V	±12V	5590 pf @ 10 V	-	52W（TC）
IRFBC40SPBF	4.4500	RFQ	1517年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC40SPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
SIHP14N60E-GE3	2.3600	RFQ	5682	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	309MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	1205 pf @ 100 V	-	147W（TC）
SIHB125N60EF-GE3	4.4000	RFQ	2	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB125	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHB125N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±30V	1533 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SIRA12DP-T1-GE3	0.9600	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira12	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	+20V，-16V	2070 pf @ 15 V	-	4.5W（ta），31W（tc）
IRF620STRRPBF	2.0400	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF620	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	（3w（ta），50W（TC）
SI1926DL-T1-GE3	0.4100	RFQ	112	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1926	MOSFET （金属 o化物）	510MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	370mA		1.4OHM @ 340mA，10V	2.5V @ 250µA	1.4NC @ 10V		18.5pf @ 30V	逻辑级别门
SQJQ980EL-T1_GE3	2.6800	RFQ	3770	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ980	MOSFET （金属 o化物）	187W	PowerPak®8x8二元	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）		80V	36a（TC）		13.5MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	36NC @ 10V		1995pf @ 40V	-
SIA417DJ-T1-GE3	-	RFQ	9100	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA417	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	12A（TC）	1.2V，4.5V	23mohm @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±5V	1600 pf @ 4 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SIHB068N60EF-GE3	5.5500	RFQ	700	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB068	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHB068N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	41A（TC）	10V	68mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±30V	2628 PF @ 100 V	-	250W（TC）
VQ1004P	-	RFQ	4690	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	-	-	VQ1004	-		-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		-		830mA ta）	5V，10V	-	-		±20V		-	-
IRFP460NPBF	-	RFQ	2523	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP460	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP460NPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	20A（TC）	10V	240mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±30V	3540 pf @ 25 V	-	280W（TC）
IRF9530L	-	RFQ	7169	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9530	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF9530L	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	12A（TC）	10V	300MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	-
SI4842BDY-T1-GE3	2.4500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4842	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	28a（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3650 pf @ 15 V	-	（3W（ta），6.25W（TC）
SIR582DP-T1-RE3	1.6600	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	28.9a（ta），116a （TC）	7.5V，10V	3.4mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	3360 pf @ 40 V	-	5.6W（ta），92.5W（tc）
SI4848DY-T1-GE3	1.6400	RFQ	880	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4848	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	2.7a（ta）	6V，10V	85MOHM @ 3.5A，10V	2V @ 250µA（）	21 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SIHP25N60EFL-GE3	4.7300	RFQ	1625年	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	25A（TC）	10V	146MOHM @ 12.5A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	2274 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIHA105N60EF-GE3	3.7600	RFQ	1	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha105	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	12A（TC）	10V	102MOHM @ 13A，10V	5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1804 PF @ 100 V	-	35W（TC）
IRLR120pbf	1.6500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	7.7A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
irfbe20 strl	-	RFQ	8004	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBE20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	800 v	1.8A（TC）	10V	6.5OHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	-
SI4542DY-T1-GE3	-	RFQ	8855	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4542	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	-		25mohm @ 6.9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	50NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRFIBC30G	-	RFQ	9790	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBC30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIBC30G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	2.5A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRFUC20	-	RFQ	9823	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFUC20	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFUC20	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRF9620pbf	1.6800	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9620pbf	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SQJ951EP-T1_GE3	1.6100	RFQ	1355	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ951	MOSFET （金属 o化物）	56W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	30a		17mohm @ 7.5a，10v	2.5V @ 250µA	50NC @ 10V		1680pf @ 10V	-
SI4038DY-T1-GE3	-	RFQ	8417	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4038	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	42.5A（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 15a，10v	2.1V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±20V	4070 pf @ 20 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
SISHA14DN-T1-GE3	0.6400	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	sisha14	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	19.7a（TA），20A（tc）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	+20V，-16V	1450 pf @ 15 V	-	3.57W（TA），26.5W（tc）
SI7901EDN-T1-GE3	-	RFQ	8131	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7901	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.3a		48mohm @ 6.3a，4.5V	1V @ 800µA	18NC @ 4.5V		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²