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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIA411DJ-T1-E3	-	RFQ	8393	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA411	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	1.5V，4.5V	30mohm @ 5.9a，4.5V	1V @ 250µA	38 NC @ 8 V	±8V	1200 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
IRFI9520G	-	RFQ	1099	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9520	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI9520G	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	100 v	5.2A（TC）	10V	600mohm @ 3.1a，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	37W（TC）
SI7186DP-T1-E3	-	RFQ	5402	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7186	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	32A（TC）	10V	12.5mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 40 V	-	5.2W（ta），64W（tc）
SI3410DV-T1-E3	-	RFQ	7865	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3410	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	19.5mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1295 pf @ 15 V	-	2W（TA），4.1W（4.1W）TC）
IRFR210TRPBF	1.1700	RFQ	10	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR210	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	2.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SISH472DN-T1-GE3	0.6500	RFQ	437	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH472	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	（15A）（TA），20A （TC）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	997 PF @ 15 V	-	3.5W（ta），28W（28W）TC）
SQJ461EP-T2_GE3	2.0400	RFQ	5466	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ461EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 14.4a，10v	2.5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	4710 PF @ 30 V	-	83W（TC）
SI5468DC-T1-GE3	0.4900	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5468	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	6A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 6.8a，10v	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	435 pf @ 15 V	-	2.3W（TA），5.7W（TC）
SI5449DC-T1-GE3	-	RFQ	9950	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5449	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3.1a（ta）	2.5V，4.5V	85mohm @ 3.1a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	11 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SUM60020E-GE3	3.1100	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SUM60020	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	80 V	150a（TC）	7.5V，10V	2.1MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	227 NC @ 10 V	±20V	10680 pf @ 40 V	-	375W（TC）
SIA4263DJ-T1-GE3	0.6000	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIA4263DJ-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	7.5A（ta），12a（tc）	1.8V，4.5V	22MOHM @ 7.5A，4.5V	1V @ 250µA	52.2 NC @ 8 V	±8V	1825 PF @ 10 V	-	3.29W（TA），15.6W（tc）
SI7601DN-T1-GE3	-	RFQ	8654	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7601	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	16A（TC）	2.5V，4.5V	19.2mohm @ 11a，4.5V	1.6V @ 250µA	27 NC @ 5 V	±12V	1870 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SIHP17N80AE-GE3	2.8100	RFQ	963	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP17	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHP17N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	1260 pf @ 100 V	-	179W（TC）
IRF820L	-	RFQ	7274	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF820L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
IRFU320	-	RFQ	4241	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu3	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU320	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI7141DP-T1-GE3	2.3200	RFQ	41	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7141	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 25a，10v	2.3V @ 250µA	400 NC @ 10 V	±20V	14300 PF @ 10 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI3909DV-T1-E3	-	RFQ	2906	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3909	MOSFET （金属 o化物）	1.15W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	-		200mohm @ 1.8A，4.5V	500mv @ 250µA（250µA））	4NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFR9210PBF-BE3	0.7655	RFQ	3570	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9210	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载				742-irfr9210pbf-be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	200 v	1.9A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI7366DP-T1-GE3	-	RFQ	9746	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7366	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	13A（TA）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.7W（TA）
SIA975DJ-T1-GE3	0.6400	RFQ	179	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA975	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	4.5a		41MOHM @ 4.3A，4.5V	1V @ 250µA	26NC @ 8V		1500pf @ 6V	逻辑级别门
SIHK075N60E-T1-GE3	6.6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	29A（TC）	10V	80Mohm @ 13A，10V	5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	2582 PF @ 100 V	-	167W（TC）
SI4442DY-T1-GE3	1.5780	RFQ	6018	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4442	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	15A（TA）	2.5V，10V	4.5mohm @ 22a，10v	1.5V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.6W（TA）
IRFR9024TRLPBF	1.9400	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	8.8A（TC）	10V	280MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
irfr9020pbf	1.8700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SIHA5N80AE-GE3	1.3800	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHA5N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	3A（TC）	10V	1.35OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±30V	321 PF @ 100 V	-	29W（TC）
SQ2301ES-T1_GE3	0.5300	RFQ	6065	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TA）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2301	MOSFET （金属 o化物）		TO-236（SOT-23）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.9a（TC）	2.5V，4.5V	120MOHM @ 2.8a，4.5V	1.5V @ 250µA	8 NC @ 4.5 V	±8V	425 pf @ 10 V	-	3W（TC）
SQP50P03-07_GE3	-	RFQ	2263	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		P通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	5380 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI1405DL-T1-E3	-	RFQ	5210	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1405	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	1.6a（ta）	1.8V，4.5V	125mohm @ 1.8A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	7 NC @ 4.5 V	±8V		-	568MW（TA）
SI7403BDN-T1-GE3	-	RFQ	1342	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7403	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8A（TC）	2.5V，4.5V	74MOHM @ 5.1A，4.5V	1V @ 250µA	15 NC @ 8 V	±8V	430 pf @ 10 V	-	3.1W（ta），9.6W（9.6W）TC）
IRFR9310TRRPBF	-	RFQ	6199	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²