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![]() | IRFR9310TRRPBF | - | ![]() | 6199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR9310 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 400 v | 1.8A(TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a,10v | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||
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![]() | SI7636DP-T1-GE3 | 1.1907 | ![]() | 4995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7636 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 17A(TA) | 4.5V,10V | 4mohm @ 25a,10v | 3V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 V | ±20V | 5600 pf @ 15 V | - | 1.9W(TA) | |||||
![]() | SIHF6N65E-GE3 | 1.2028 | ![]() | 5949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | SIHF6 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 7A(TC) | 10V | 600mohm @ 3a,10v | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ±30V | 820 PF @ 100 V | - | 31W(TC) | |||||
![]() | SI7460DP-T1-E3 | 2.2000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7460 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 9.6mohm @ 18a,10v | 3V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | - | 1.9W(TA) | ||||||
![]() | SI4386DY-T1-E3 | 1.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4386 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 7mohm @ 16a,10v | 2.5V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 V | ±20V | - | 1.47W(TA) | ||||||
IRF540pbf | 2.1500 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF540 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRF540pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 28a(TC) | 10V | 77mohm @ 17a,10v | 4V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 1700 PF @ 25 V | - | 150W(TC) | |||||
![]() | IRFR1N60APBF | 1.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR1 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 600 v | 1.4A(TC) | 10V | 7ohm @ 840mA,10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W(TC) | |||||
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![]() | SI7121ADN-T1-GE3 | 0.6200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7121 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 12a(12a) | 4.5V,10V | 15mohm @ 7a,10v | 2.5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±25V | 1870 pf @ 15 V | - | 3.5W(TA),27.8W(TC) | |||||
![]() | SIHB30N60E-E3 | - | ![]() | 2292 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIHB30 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 29A(TC) | 10V | 125mohm @ 15a,10v | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ±30V | 2600 PF @ 100 V | - | 250W(TC) | ||||
![]() | SI7530DP-T1-E3 | - | ![]() | 7254 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | (CT) | 过时的 | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7530 | MOSFET (金属 o化物) | 1.4W,1.5W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 60V | 3a,3.2a | 75MOHM @ 4.6A,10V | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | SI6463BDQ-T1-GE3 | - | ![]() | 3319 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | (CT) | 过时的 | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | SI6463 | MOSFET (金属 o化物) | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 6.2a(ta) | 15mohm @ 7.4a,4.5V | 800MV @ 250µA | 60 NC @ 5 V | - | |||||||||
![]() | SIZ340DT-T1-GE3 | 0.9200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | PowerPair®,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | SIZ340 | MOSFET (金属 o化物) | 16.7W,31W | 8-Power33(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 30a,40a | 9.5MOHM @ 15.6A,10V | 2.4V @ 250µA | 19nc @ 10V | 760pf @ 15V | - | |||||||
![]() | SMM2348ES-T1-GE3 | - | ![]() | 9464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SMM2348 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 8A(TC) | 4.5V,10V | 24mohm @ 12a,10v | 2.5V @ 250µA | 14.5 NC @ 10 V | ±20V | 540 pf @ 15 V | - | 3W(TC) | ||||||
![]() | SIR804DP-T1-GE3 | 2.8500 | ![]() | 6593 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir804 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 60a(TC) | 4.5V,10V | 7.2MOHM @ 20A,10V | 3V @ 250µA | 76 NC @ 10 V | ±20V | 2450 pf @ 50 V | - | 6.25W(TA),104W(tc) | |||||
![]() | SQ1470EH-T1-GE3 | - | ![]() | 8977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | (CT) | 过时的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SQ1470 | MOSFET (金属 o化物) | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 2.8A(TC) | 65MOHM @ 3.8A,4.5V | 1.6V @ 250µA | 6.6 NC @ 4.5 V | 610 pf @ 25 V | - |
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