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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SUM10250E-GE3	2.8900	RFQ	5321	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum10250	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	63.5A（TC）	7.5V，10V	31mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	3002 PF @ 125 V	-	375W（TC）
SIR866DP-T1-GE3	-	RFQ	6025	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir866	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	4730 PF @ 10 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI4916DY-T1-E3	-	RFQ	8390	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4916	MOSFET （金属 o化物）	3.3W，3.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	10a，10.5a		18mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SUD09P10-195-BE3	0.8700	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD09	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	100 v	8.8A（TC）	4.5V，10V	195MOHM @ 3.6A，10V	2.5V @ 250µA	34.8 NC @ 10 V	±20V	1055 PF @ 50 V	-	2.5W（ta），32.1W（TC）
IRF624pbf	1.8000	RFQ	4558	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF624	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF624PBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	4.4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
2N7002K-T1-E3	0.2900	RFQ	986	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	300mA（TA）	4.5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
IRL520STRL	-	RFQ	1494	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	9.2A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 5.5A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SIHP17N80E-BE3	4.8400	RFQ	3082	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP17	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-		（1 （无限）		742-SIHP17N80E-BE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2408 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SQJQ906E-T1_GE3	2.6800	RFQ	3221	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ906	MOSFET （金属 o化物）	50W	PowerPak®8x8二元	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）		40V	95A（TC）		3.3MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	42NC @ 10V		3600pf @ 20V	-
IRF620STRL	-	RFQ	3842	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF620	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	（3w（ta），50W（TC）
SUP85N10-10-GE3	6.6200	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP85	MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	85A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 30a，10v	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	6550 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），250W（tc）
IRFPS30N60KPBF	-	RFQ	7510	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS30	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPS30N60KPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	30A（TC）	10V	190mohm @ 18a，10v	5V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±30V	5870 pf @ 25 V	-	450W（TC）
SUD50P04-13L-E3	-	RFQ	2282	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3120 PF @ 25 V	-	3W（3），93.7W（TC）
SI3458DV-T1-E3	-	RFQ	7395	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3458	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 3.2a，10v	1V @ 250µA（250µA）	16 NC @ 10 V	±20V		-	2W（TA）
IRFP17N50L	-	RFQ	3392	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP17	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP17N50L	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	16A（TC）	10V	320MOHM @ 9.9A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2760 pf @ 25 V	-	220W（TC）
SI7216DN-T1-E3	1.6600	RFQ	5455	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7216	MOSFET （金属 o化物）	20.8W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	6a		32MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	19nc @ 10V		670pf @ 20V	-
IRL620	-	RFQ	6237	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL620	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	5.2A（TC）	4V，5V	800MOHM @ 3.1a，5V	2V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±10V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI7860DP-T1-GE3	-	RFQ	4846	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7860	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	8mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
IRF510SPBF	1.4900	RFQ	34	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF510SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	5.6A（TC）	10V	540MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
irli620g	-	RFQ	4748	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irli620g	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	4A（TC）	4V，5V	800MOHM @ 2.4a，5V	2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±10V	360 pf @ 25 V	-	30W（TC）
SQJ963EP-T1_GE3	1.8600	RFQ	4	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TA）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ963	MOSFET （金属 o化物）	27W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		60V	8A（TC）		85MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 250µA	40NC @ 10V		1140pf @ 30V	-
SI4618DY-T1-GE3	-	RFQ	1471	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4618	MOSFET （金属 o化物）	1.98W，4.16W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	8a，15.2a		17mohm @ 8a，10v	2.5V @ 1mA	44NC @ 10V		1535pf @ 15V	-
SI4336DY-T1-E3	-	RFQ	8821	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4336	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	3.25mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	5600 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
SIHH120N60E-T1-GE3	6.0900	RFQ	4280	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH120	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	24A（TC）	10V	120mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±30V	1600 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SI7998DP-T1-GE3	1.5900	RFQ	9071	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7998	MOSFET （金属 o化物）	22W，40W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	25a，30a		9.3mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	26NC @ 10V		1100pf @ 15V	逻辑级别门
SI7104DN-T1-GE3	1.0490	RFQ	9150	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7104	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	35A（TC）	2.5V，4.5V	3.7MOHM @ 26.1A，4.5V	1.8V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±12V	2800 PF @ 6 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
IRFB13N50APBF	3.5000	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB13	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	14A（TC）	10V	450MOHM @ 8.4A，10V	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±30V	1910 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IRFS11N50ATRL	-	RFQ	4632	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS11	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	11A（TC）	10V	520MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 25 V	-	170W（TC）
IRFPG50pbf	5.8800	RFQ	1915年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG50	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPG50pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	1000 v	6.1A（TC）	10V	2ohm @ 3.6A，10V	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	190w（TC）
SI7726DN-T1-GE3	0.3822	RFQ	8983	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7726	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1765 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²