SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
SUM70060E-GE3 Vishay Siliconix SUM70060E-GE3 2.0800
RFQ
ECAD 9950 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB sum70060 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 131a(TC) 7.5V,10V 5.6mohm @ 30a,10v 4V @ 250µA 81 NC @ 10 V ±20V 3330 PF @ 50 V - 375W(TC)
SIHP35N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp35n60e-ge3 3.1987
RFQ
ECAD 8954 0.00000000 Vishay Siliconix e 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 sihp35 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 32A(TC) 10V 94mohm @ 17a,10v 4V @ 250µA 132 NC @ 10 V ±30V 2760 pf @ 100 V - 250W(TC)
IRFBE20STRR Vishay Siliconix irfbe20strr -
RFQ
ECAD 2611 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFBE20 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 800 v 1.8A(TC) 10V 6.5OHM @ 1.1A,10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 530 pf @ 25 V - -
SI3456CDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3456CDV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6050 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3456 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 7.7A(TC) 4.5V,10V 34mohm @ 6.1a,10v 3V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 460 pf @ 15 V - 2W(TA),3.3W(3.3W)(TC)
IRFP350LCPBF Vishay Siliconix IRFP350LCPBF 6.4900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFP350 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRFP350LCPBF Ear99 8541.29.0095 25 n通道 400 v 16A(TC) 10V 300MOHM @ 9.6A,10V 4V @ 250µA 76 NC @ 10 V ±30V 2200 PF @ 25 V - 190w(TC)
SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7461DP-T1-GE3 2.4000
RFQ
ECAD 6795 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7461 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 8.6a(ta) 4.5V,10V 14.5MOHM @ 14.4a,10V 3V @ 250µA 190 NC @ 10 V ±20V - 1.9W(TA)
SQ2361EES-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ2361EES-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7750 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SQ2361 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 2.5A(TC) 4.5V,10V 150MOHM @ 2.4a,10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 545 pf @ 30 V - 2W(TC)
SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2307CDS-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SI2307 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 3.5A(TC) 4.5V,10V 88mohm @ 3.5A,10V 3V @ 250µA 6.2 NC @ 4.5 V ±20V 340 pf @ 15 V - 1.1W(ta),1.8W(TC)
SI7668ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7668ADP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7275 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7668 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 40a(TC) 4.5V,10V 3mohm @ 25a,10v 1.8V @ 250µA 170 NC @ 10 V ±12V 8820 PF @ 15 V - 5.4W(ta),83W(tc)
SIR472DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR472DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2862 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir472 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 20A(TC) 4.5V,10V 12mohm @ 13.8a,10v 2.5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±20V 820 pf @ 15 V - 3.9W(TA),29.8W(TC)
SI3499DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3499DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3019 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3499 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 8 V 5.3a(ta) 1.5V,4.5V 23mohm @ 7A,4.5V 750mv @ 250µA 42 NC @ 4.5 V ±5V - 1.1W(TA)
IRF820APBF Vishay Siliconix IRF820APBF 1.7300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF820 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRF820APBF Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 2.5A(TC) 10V 3ohm @ 1.5A,10V 4.5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 340 pf @ 25 V - 50W(TC)
SIHP6N40D-E3 Vishay Siliconix SIHP6N40D-E3 1.6000
RFQ
ECAD 8974 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SIHP6 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) SIHP6N40DE3 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 400 v 6A(TC) 10V 1欧姆 @ 3A,10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±30V 311 PF @ 100 V - 104W(TC)
IRL640STRL Vishay Siliconix IRL640STRL -
RFQ
ECAD 7857 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRL640 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 200 v 17a(TC) 4V,5V 180mohm @ 10a,5v 2V @ 250µA 66 NC @ 5 V ±10V 1800 pf @ 25 V - 3.1W(ta),125W(tc)
SI2302ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2302ADS-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2961 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SI2302 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 2.1a(ta) 2.5V,4.5V 60mohm @ 3.6A,4.5V 1.2V @ 50µA 10 NC @ 4.5 V ±8V 300 pf @ 10 V - 700MW(TA)
SIS448DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS448DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1078 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SIS448 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 35A(TC) 4.5V,10V 5.6mohm @ 10a,10v 2.3V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 1575 PF @ 15 V - 3.7W(TA),52W(TC)
SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4491DODY-T1-GE3 0.9700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4491 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 17.3a(ta) 4.5V,10V 6.5MOHM @ 13A,10V 2.8V @ 250µA 153 NC @ 10 V ±25V 4620 PF @ 15 V - 3.1W(TA),6.9W(TC)
SI8808DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8808DB-T2-E1 0.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-ufbga SI8808 MOSFET (金属 o化物) 4微米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 1.8A(ta) 1.5V,4.5V 95MOHM @ 1A,4.5V 900mv @ 250µA 10 NC @ 8 V ±8V 330 pf @ 15 V - 500MW(TA)
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR882ADP-T1-GE3 2.5100
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir882 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 60a(TC) 4.5V,10V 8.7MOHM @ 20A,10V 2.8V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 1975 pf @ 50 V - 5.4W(ta),83W(tc)
SIHP105N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP105N60EF-GE3 2.8386
RFQ
ECAD 7227 0.00000000 Vishay Siliconix EF 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SIHP105 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 29A(TC) 10V 102MOHM @ 13A,10V 5V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±30V 1804 PF @ 100 V - 208W(TC)
IRF644S Vishay Siliconix IRF644S -
RFQ
ECAD 2188 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF644 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRF644S Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 14A(TC) 10V 280MOHM @ 8.4a,10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 3.1W(ta),125W(tc)
SIRA88BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA88BDP-T1-GE3 0.5400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sira88 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V (19a(ta),40a(tc) 4.5V,10V 6.83mohm @ 10a,10v 2.4V @ 250µA 19 nc @ 10 V +20V,-16V 680 pf @ 15 V - 3.8W(ta),17W((((((()
IRF640STRR Vishay Siliconix IRF640STRR -
RFQ
ECAD 5661 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF640 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 200 v 18A(TC) 10V 180mohm @ 11a,10v 4V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 3.1W(TA),130W(tc)
SIHFR9310TRR-GE3 Vishay Siliconix SIHFR9310TRR-GE3 0.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 400 v 1.8A(TC) 10V 7ohm @ 1.1a,10v 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 270 pf @ 25 V - 50W(TC)
SUP70042E-GE3 Vishay Siliconix SUP70042E-GE3 3.0700
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SUP70042E-GE3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 150a(TC) 7.5V,10V 4mohm @ 20a,10v 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V 6490 pf @ 50 V - 278W(TC)
SQJ409EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ409EP-T1_GE3 1.4900
RFQ
ECAD 1197 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SQJ409 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 60a(TC) 4.5V,10V 7mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 260 NC @ 10 V ±20V 11000 PF @ 25 V - 68W(TC)
IRFZ44RSTRR Vishay Siliconix IRFZ44RSTRR -
RFQ
ECAD 7617 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFZ44 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 50A(TC) 10V 28mohm @ 31a,10v 4V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 25 V - 150W(TC)
IRFZ24S Vishay Siliconix IRFZ24 -
RFQ
ECAD 2518 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFZ24 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFZ24S Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 17a(TC) 10V 100mohm @ 10a,10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 640 pf @ 25 V - 3.7W(TA),60W(TC)
SQJ158EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ158EP-T1_GE3 0.7300
RFQ
ECAD 4045 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SQJ158 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 23A(TC) 4.5V,10V 33mohm @ 7a,10v 2.5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 25 V - 45W(TC)
SIHG35N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG35N60EF-GE3 6.8300
RFQ
ECAD 7934 0.00000000 Vishay Siliconix EF 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SIHG35 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 32A(TC) 10V 97mohm @ 17a,10v 4V @ 250µA 134 NC @ 10 V ±30V 2568 PF @ 100 V - 250W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库