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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHG100N60E-GE3	6.5600	RFQ	392	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG100	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	30A（TC）	10V	100mohm @ 13A，10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1851 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SI4752DY-T1-GE3	-	RFQ	8028	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4752	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 10a，10v	2.2V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 15 V	（（（）	（3W（ta），6.25W（TC）
SIZ710DT-T1-GE3	1.4900	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ710	MOSFET （金属 o化物）	27W，48W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		20V	16a，35a		6.8mohm @ 19a，10v	2.2V @ 250µA	18NC @ 10V		820pf @ 10V	逻辑级别门
SUD19P06-60L-E3	1.3200	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD19	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	19a（tc）	4.5V，10V	60mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	2.7W（ta），46W（tc）
IRF734PBF	-	RFQ	7243	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF734	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF734PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	4.9A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.9a，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRF830ALPBF	2.3800	RFQ	385	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF830ALPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
irfr210pbf	1.1700	RFQ	14	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR210	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	200 v	2.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI7440DP-T1-GE3	-	RFQ	2964	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7440	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12a（12a）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 21a，10V	3V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.9W（TA）
SIA936EDJ-T1-GE3	-	RFQ	3349	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA936	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4.5a		34mohm @ 4A，4.5V	1.3V @ 250µA	17NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRL640STRR	-	RFQ	9432	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	17a（TC）	4V，5V	180mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	1800 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SISH625DN-T1-GE3	0.6300	RFQ	8685	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH625	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	17.3a（ta），35a （TC）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±20V	4427 PF @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SIHG35N60E-GE3	6.6700	RFQ	4693	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG35	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	32A（TC）	10V	94mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±30V	2760 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SI5904DC-T1-E3	-	RFQ	9801	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5904	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	3.1a		75MOHM @ 3.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	6NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SQD25N15-52_GE3	3.8600	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD25	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	150 v	25A（TC）	10V	52MOHM @ 15A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	107W（TC）
IRFP460LCPBF	5.3900	RFQ	19	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP460	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP460LCPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	20A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	280W（TC）
IRF9510pbf	1.1100	RFQ	19	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9510	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9510pbf	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	43W（TC）
IRFIBC20G	-	RFQ	2867	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBC20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIBC20G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	1.7A（TC）	10V	4.4OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	30W（TC）
SI1016CX-T1-GE3	0.4700	RFQ	1941年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1016	MOSFET （金属 o化物）	220MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	-		396MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	2NC @ 4.5V		43pf @ 10V	逻辑级别门
IRFR9020Tr	-	RFQ	6211	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SQM120N04-1M4L_GE3	-	RFQ	6649	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				SQM120N				-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800				120A（TC）
SI1499DH-T1-GE3	0.6700	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1499	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	1.6A（TC）	1.2V，4.5V	78MOHM @ 2A，4.5V	800MV @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±5V	650 pf @ 4 V	-	2.5W（2.78W）（2.78W）TC）
IRFL9014TRPBF-BE3	0.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	1.8A（TC）	10V	500MOHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRF740A	-	RFQ	6797	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF740A	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SIB900EDK-T1-GE3	-	RFQ	2706	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-75-6L双重	SIB900	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	POWERPAK®SC-75-6L双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1.5a		225mohm @ 1.6A，4.5V	1V @ 250µA	1.7NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI5447DC-T1-E3	-	RFQ	4374	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5447	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.5A（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 3.5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	10 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
SI7106DN-T1-GE3	1.5600	RFQ	922	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7106	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	12.5A（TA）	2.5V，4.5V	6.2MOHM @ 19.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
SI7850ADP-T1-GE3	1.2600	RFQ	5915	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7850	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	10.3a（ta），12a （TC）	4.5V，10V	19.5mohm @ 10a，10v	2.8V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 30 V	-	3.6W（3.6W），35.7W（TC）
SISS26LDN-T1-GE3	1.3000	RFQ	4309	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS26	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	23.7A（TA），81.2a tc）	4.5V，10V	4.3mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1980 pf @ 30 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
IRF740S	-	RFQ	7243	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF740S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRFZ14	-	RFQ	6678	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ14	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²