RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
2N5114	-	RFQ	2077	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N5114			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200		-								-
U290	-	RFQ	4132	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AC，TO-52-3	U290		500兆	TO-206AC（to-52）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		n通道								160pf @ 0v			30 V	500 ma @ 10 V	4 V @ 3 na	3欧姆
IRLZ14SPBF	1.6300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ14	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	10A（TC）	4V，5V	200mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SIHF840LCS-GE3	0.8313	RFQ	5669	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHF840LCS-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI5461EDC-T1-E3	-	RFQ	7426	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5461	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	45MOHM @ 5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	20 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SIR812DP-T1-GE3	-	RFQ	5450	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir812	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.45MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	335 NC @ 10 V	±20V	10240 pf @ 15 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
IRF737LCSTRR	-	RFQ	6748	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF737	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	300 v	6.1A（TC）	10V	750MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	-
SIA430DJ-T1-GE3	-	RFQ	3481	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA430	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	12A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 7A，10V	3V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
VQ1006P-2	-	RFQ	5878	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	-	VQ1006	MOSFET （金属 o化物）	2W	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	4 n通道		90V	400mA		4.5OHM @ 1A，10V	2.5V @ 1mA	-		60pf @ 25V	逻辑级别门
SIR586DP-T1-RE3	1.4100	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	20.7a（ta），78.4a （TC）	7.5V，10V	5.8mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1905 PF @ 40 V	-	5W（5W），71.4W（TC）
SI8417DB-T2-E1	-	RFQ	6508	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-microfoot®csp	SI8417	MOSFET （金属 o化物）		6-micro脚™（1.5x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	14.5A（TC）	1.8V，4.5V	21MOHM @ 1A，4.5V	900mv @ 250µA	57 NC @ 5 V	±8V	2220 PF @ 6 V	-	2.9W（TA），6.57W（TC）
SI4630DY-T1-GE3	2.0000	RFQ	50	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4630	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	40a（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	161 NC @ 10 V	±16V	6670 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
SIA527DJ-T1-GE3	0.5500	RFQ	9764	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA527	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		12V	4.5a		29mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 8V		500pf @ 6V	逻辑级别门
SIDR608DP-T1-RE3	2.4300	RFQ	6315	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR608	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	45 v	51A（ta），208a （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	167 NC @ 10 V	+20V，-16V	8900 PF @ 20 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SQJ912DEP-T1_GE3	1.0500	RFQ	2950	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ912	MOSFET （金属 o化物）	27W（TC）	POWERPAK®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ912DEP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	30A（TC）		7.3MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 250µA	36NC @ 10V		-	-
IRL620STRR	-	RFQ	5318	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL620	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	5.2A（TC）	4V，10V	800MOHM @ 3.1A，10V	2V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±10V	360 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SIHFPS43N50K-GE3	-	RFQ	8460	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHFPS43N50K-GE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	47A（TC）	10V	90mohm @ 28a，10v	5V @ 250µA	350 NC @ 10 V	±30V	8310 PF @ 25 V	-	540W（TC）
SIHFPS40N60K-GE3	7.2200	RFQ	562	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHFPS40N60K-GE3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	40a（TC）	10V	130MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±30V	7970 pf @ 25 V	-	570W（TC）
SI5935DC-T1-E3	-	RFQ	5810	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5935	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	3a		86mohm @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	8.5nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI1967DH-T1-E3	0.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1967	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	1.3a		490MOHM @ 910mA，4.5V	1V @ 250µA	4NC @ 8V		110pf @ 10V	逻辑级别门
SIE832DF-T1-GE3	-	RFQ	5622	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（S）	SIE832	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 14A，10V	3V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 20 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SI7674DP-T1-GE3	-	RFQ	9853	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7674	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	5910 PF @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
IRFP23N50LPBF	7.5100	RFQ	164	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP23	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP23N50LPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	23A（TC）	10V	235mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	370W（TC）
SI5473DC-T1-E3	-	RFQ	8297	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5473	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	5.9a（ta）	1.8V，4.5V	27mohm @ 5.9a，4.5V	1V @ 250µA	32 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
SI6954ADQ-T1-GE3	0.8800	RFQ	3618	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6954	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	3.1a		53MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA（250µA）	16NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRFL014TRPBF	0.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.7A（TC）	10V	200mohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI7430DP-T1-GE3	2.9200	RFQ	6268	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7430	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	26a（TC）	8V，10V	45mohm @ 5a，10v	4.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1735 PF @ 50 V	-	5.2W（ta），64W（tc）
SI1433DH-T1-GE3	-	RFQ	3705	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1433	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	1.9a（ta）	4.5V，10V	150MOHM @ 2.2a，10V	3V @ 100µA	5 NC @ 4.5 V	±20V		-	950MW（TA）
SIHF12N60E-E3	2.8200	RFQ	8175	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHF12N60EE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	937 PF @ 100 V	-	33W（TC）
SIHP30N60E-GE3	5.9800	RFQ	7039	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP30	MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²