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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFPG30	-	RFQ	9904	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPG30	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	1000 v	3.1A（TC）	10V	5ohm @ 1.9a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	980 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SIA432DJ-T1-GE3	1.1100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA432	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	800 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
SQA700CEJW-T1_GE3	0.5600	RFQ	11	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	9A（TC）	4.5V，10V	79mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 25 V	-	13.6W（TC）
SIHG33N65EF-GE3	6.9500	RFQ	3945	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG33	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	650 v	31.6a（TC）	10V	109MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	171 NC @ 10 V	±30V	4026 PF @ 100 V	-	313W（TC）
SI5435BDC-T1-GE3	-	RFQ	9346	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5435	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.3a（ta）	4.5V，10V	45MOHM @ 4.3A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V		-	1.3W（TA）
IRF640SPBF	2.2000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
SQJ868EP-T1_GE3	0.9800	RFQ	8598	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ868	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	58A（TC）	10V	7.35mohm @ 14a，10v	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2450 pf @ 20 V	-	48W（TC）
IRFB16N50K	-	RFQ	2631	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB16	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB16N50K	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	17a（TC）	10V	350MOHM @ 10A，10V	5V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	2210 PF @ 25 V	-	280W（TC）
SI1450DH-T1-E3	-	RFQ	1280	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1450	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	8 V	4.53A（TA），6.04a （TC）	1.5V，4.5V	47MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	7.05 NC @ 5 V	±5V	535 pf @ 4 V	-	1.56W（TA），2.78W（tc）
irfr9310pbf	1.6900	RFQ	2904	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SISA14DN-T1-GE3	0.6700	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA14	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	+20V，-16V	1450 pf @ 15 V	-	3.57W（TA），26.5W（tc）
SI4122DY-T1-GE3	2.3500	RFQ	9977	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4122	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	27.2A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±25V	4200 PF @ 20 V	-	（3w（ta），6w（tc）
SQD19P06-60L_GE3	1.6000	RFQ	9867	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD19	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	55mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 25 V	-	46W（TC）
IRF634STRR	-	RFQ	4361	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF634	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	8.1A（TC）	10V	450MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
IRFP23N50L	-	RFQ	9469	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP23	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP23N50L	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	23A（TC）	10V	235mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	370W（TC）
SI4426DY-T1-GE3	-	RFQ	4632	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4426	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	6.5A（TA）	2.5V，4.5V	25mohm @ 8.5a，4.5V	1.4V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
SI4403BDY-T1-GE3	-	RFQ	6298	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4403	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	7.3a（ta）	1.8V，4.5V	17mohm @ 9.9a，4.5V	1V @ 350µA	50 NC @ 5 V	±8V		-	1.35W（TA）
SI6993DQ-T1-GE3	-	RFQ	8483	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6993	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	3.6a		31MOHM @ 4.7A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SQJ570EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	5611	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ570	MOSFET （金属 o化物）	27W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		100V	（15A）（TC），9.5A （TC）		45mohm @ 6a，10v，146Mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	20nc @ 10v，15nc @ 10V		650pf @ 25V，600pf @ 25V	-
SI5480DU-T1-E3	-	RFQ	5994	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5480	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 7.2a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1230 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SQJ912AEP-T1_GE3	-	RFQ	5227	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ912	MOSFET （金属 o化物）	48W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	30a		9.3mohm @ 9.7a，10v	2.5V @ 250µA	38nc @ 10V		1835pf @ 20V	-
IRFI840GLCPBF	2.9600	RFQ	725	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI840	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI840GLCPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	4.5A（TC）	10V	850MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	40W（TC）
SQJ211ELP-T1_GE3	1.6100	RFQ	9037	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ211	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	33.6A（TC）		30mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 25 V	-	68W（TC）
SIHA150N60E-GE3	3.6100	RFQ	9374	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha150	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHA150N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	9A（TC）	10V	155mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1514 PF @ 100 V	-	179W（TC）
IRFP048RPBF	5.0600	RFQ	7453	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP048	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP048RPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	60 V	70A（TC）	10V	18mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	190w（TC）
SI1308EDL-T1-GE3	0.4600	RFQ	68	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1308	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	1.4A（TC）	2.5V，10V	132MOHM @ 1.4A，10V	1.5V @ 250µA	4.1 NC @ 10 V	±12V	105 pf @ 15 V	-	400MW（TA），500MW（（（（（（（（（（（
SQD10950E_GE3	1.4500	RFQ	9860	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD10950	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	250 v	11.5A（TC）	7.5V，10V	162MOHM @ 12A，10V	3.5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	785 pf @ 25 V	-	62W（TC）
SISH536DN-T1-GE3	0.6400	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	24.7a（TA），67.4A （TC）	4.5V，10V	3.25mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	25 NC @ 10 V	+16V，-12V	1150 pf @ 15 V	-	3.57W（TA），26.5W（tc）
SIHF530-GE3	-	RFQ	1771年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHF530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	88W（TC）
SI4943CDY-T1-GE3	1.7000	RFQ	6726	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4943	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		20V	8a		19.2MOHM @ 8.3a，10V	3V @ 250µA	62NC @ 10V		1945pf @ 10V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²