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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHB068N60EF-GE3	5.5500	RFQ	700	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB068	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHB068N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	41A（TC）	10V	68mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±30V	2628 PF @ 100 V	-	250W（TC）
IRFP460NPBF	-	RFQ	2523	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP460	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP460NPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	20A（TC）	10V	240mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±30V	3540 pf @ 25 V	-	280W（TC）
SI4542DY-T1-GE3	-	RFQ	8855	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4542	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	-		25mohm @ 6.9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	50NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRF9510	-	RFQ	4604	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9510S	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SUD35N10-26P-T4GE3	0.9951	RFQ	1852年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD35	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	35A（TC）	7V，10V	26mohm @ 12a，10v	4.4V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 12 V	-	8.3W（ta），83W（tc）
SI4420BDY-T1-E3	0.9600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4420	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	9.5A（TA）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13.5A，10V	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V		-	1.4W（TA）
SI4160DY-T1-GE3	1.3500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4160	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	25.4A（TC）	4.5V，10V	4.9mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2071 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
IRLIZ24GPBF	0.4772	RFQ	8689	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	irliz24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	14A（TC）	4V，5V	100mohm @ 8.4a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	37W（TC）
IRFIBC30G	-	RFQ	9790	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBC30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIBC30G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	2.5A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRF830	-	RFQ	6092	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF830S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.7a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
SIR106ADP-T1-RE3	1.5700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir106	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR106ADP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	16.1A（TA），65.8 （TC）	7.5V，10V	8mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2440 pf @ 50 V	-	5W（5W），83.3W（TC）
IRF840L	-	RFQ	2191	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF840L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SIHG21N65EF-GE3	3.3640	RFQ	8770	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG21	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±30V	2322 PF @ 100 V	-	208W（TC）
IRF9Z14	-	RFQ	3487	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9Z14	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	43W（TC）
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IRFP31N50L	-	RFQ	8528	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP31	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP31N50L	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	31a（TC）	10V	180mohm @ 19a，10v	5V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±30V	5000 pf @ 25 V	-	460W（TC）
IRL530STRR	-	RFQ	5589	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	15A（TC）	4V，5V	160MOHM @ 9A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
IRFR224pbf	1.6200	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR224	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	250 v	3.8A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIHG33N60E-GE3	6.6800	RFQ	6903	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG33	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	33A（TC）	10V	99MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3508 PF @ 100 V	-	278W（TC）
IRLZ24STRL	-	RFQ	5958	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	17a（TC）	4V，5V	100mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SI5902DC-T1-E3	-	RFQ	7164	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5902	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	2.9a		85mohm @ 2.9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	7.5NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRF634PBF	1.7500	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF634	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF634PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	8.1A（TC）	10V	450MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	74W（TC）
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SI9634DY-T1-GE3	0.9200	RFQ	9280	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9634	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），3.6W（TC）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SI9634DY-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	6.2A（ta），8a tc）		29MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	11NC @ 10V		420pf @ 30V	-
IRL540pbf-be3	2.5100	RFQ	995	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irl540pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）		77mohm @ 17a，5v	2V @ 250µA	64 NC @ 5 V	±10V	2200 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SI4446DY-T1-GE3	-	RFQ	1502	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4446	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	3.9a（ta）	4.5V，10V	40mohm @ 5.2A，10V	1.6V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±12V	700 pf @ 20 V	-	1.1W（TA）
IRF840BPBF	1.5500	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8.7A（TC）	10V	850MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	527 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SQS484EN-T1_GE3	1.0100	RFQ	14	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS484	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	16A（TC）	4.5V，10V	9MOHM @ 16.4a，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1855 pf @ 25 V	-	62W（TC）
SI4866DY-T1-E3	2.2000	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4866	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	11a（11a）	2.5V，4.5V	5.5MOHM @ 17A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	30 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
IRFIBF30GPBF	1.9110	RFQ	5659	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIBF30GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	1.9A（TC）	10V	3.7OHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	35W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²