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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF9620	-	RFQ	2169	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9620	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFI740GLCPBF	3.8900	RFQ	658	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI740GLCPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	5.7A（TC）	10V	550MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	40W（TC）
SIHG28N60EF-GE3	6.6200	RFQ	500	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG28	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	28a（TC）	10V	123mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	2714 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIHG25N60EFL-GE3	5.1900	RFQ	2092	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG25	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	25A（TC）	10V	146MOHM @ 12.5A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	2274 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIA517DJ-T1-GE3	0.6400	RFQ	26	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA517	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		12V	4.5a		29mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 8V		500pf @ 6V	逻辑级别门
SUD25N15-52-BE3	2.5100	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD25	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）		742-SUD25N15-52-BE3CT	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	150 v	25A（TC）	6V，10V	52MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
SI7411DN-T1-E3	-	RFQ	5353	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7411	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	7.5A（ta）	1.8V，4.5V	19mohm @ 11.4a，4.5V	1V @ 300µA	41 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
SI4563DY-T1-E3	-	RFQ	6498	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4563	MOSFET （金属 o化物）	3.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	8a		16mohm @ 5A，10V	2V @ 250µA	85nc @ 10V		2390pf @ 20V	-
irfu024pbf	1.7500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU024	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu024pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIHH14N60EF-T1-GE3	4.7300	RFQ	4568	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH14	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	15A（TC）	10V	266MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	1449 PF @ 100 V	-	147W（TC）
IRFZ44RPBF	2.8100	RFQ	6719	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFZ44RPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI4413CDY-T1-GE3	0.8222	RFQ	1978年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4413	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	-		-	-				-	-
SQJQ936EL-T1_GE3	2.7800	RFQ	4134	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ936	MOSFET （金属 o化物）	75W（TC）	PowerPak®8x8二元	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n通道		40V	100A（TC）		2.3MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	45nc @ 10V		7300pf @ 25V	标准
SQJA00EP-T1_GE3	0.9800	RFQ	2003	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA00	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	30A（TC）	10V	13mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	48W（TC）
IRFI840GPBF	3.0000	RFQ	729	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI840	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI840GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	4.6A（TC）	10V	850MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SI4565ADY-T1-E3	-	RFQ	1983	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4565	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	6.6a，5.6a		39mohm @ 5a，10v	2.2V @ 250µA	22nc @ 10V		625pf @ 20V	-
IRFPF40pbf	4.4500	RFQ	375	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPF40	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPF40PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	900 v	4.7A（TC）	10V	2.5OHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFL9014TRPBF	0.9300	RFQ	47	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	1.8A（TC）	10V	500MOHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRF630L	-	RFQ	9171	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF630L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	-
IRL530pbf-be3	1.6900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irl530pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	15A（TC）		160MOHM @ 9A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	88W（TC）
SIS612EDNT-T1-GE3	-	RFQ	9312	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS612	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50A（TC）	2.5V，4.5V	3.9mohm @ 14a，4.5V	1.2V @ 1mA	70 NC @ 10 V	±12V	2060 pf @ 10 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI4368DY-T1-E3	2.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4368	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 25A，10V	1.8V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±12V	8340 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
SI4892DY-T1-E3	-	RFQ	1612	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4892	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	8.8a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 12.4a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	10.5 NC @ 5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SI5515DC-T1-GE3	-	RFQ	8255	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5515	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	4.4a，3a		40mohm @ 4.4a，4.5V	1V @ 250µA	7.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFBC20L	-	RFQ	9270	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC20L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SIZ320DT-T1-GE3	0.9400	RFQ	2	Vishay Siliconix	PowerPair®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ320	MOSFET （金属 o化物）	16.7W，31W	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		25V	30A（TC），40a tc）（TC）		8.3MOHM @ 8A，10V，4.24MOHM @ 10A，10V	2.4V @ 250µA	8.9nc @ 4.5V，11.9nc @ 4.5V		660pf @ 12.5V，1370pf @ 12.5V	-
SI4830ADY-T1-GE3	-	RFQ	9548	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4830	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFR120	-	RFQ	8110	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	7.7A（TC）	10V	270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI2333DS-T1-BE3	0.8600	RFQ	1239	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2333DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	4.1a（ta）	1.8V，4.5V	32MOHM @ 5.3A，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V	1100 pf @ 6 V	-	750MW（TA）
SISS27DN-T1-GE3	0.8400	RFQ	23	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS27	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5.6mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	5250 pf @ 15 V	-	4.8W（ta），57W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²