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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
irlu110pbf	1.4900	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRLU110	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irlu110pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIRA90DP-T1-GE3	1.5500	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira90	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.8MOHM @ 20a，10v	2V @ 250µA	153 NC @ 10 V	+20V，-16V	10180 pf @ 15 V	-	104W（TC）
SIZ980DT-T1-GE3	1.6300	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ980	MOSFET （金属 o化物）	20W，66W	8-Powerpair®（6x5）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基		30V	20A（TC），60a （TC）		6.7MOHM @ 15A，10V，1.6MOHM @ 19a，10v	2.2V @ 250µA	8.1nc @ 4.5V，35nc @ 4.5V		930pf @ 15V，4600pf @ 15V	-
SI7107DN-T1-GE3	-	RFQ	7992	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7107	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	9.8A（ta）	1.8V，4.5V	10.8mohm @ 15.3a，4.5V	1V @ 450µA	44 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
IRF9620pbf	1.6800	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9620pbf	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFUC20	-	RFQ	9823	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFUC20	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFUC20	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SQD40052EL_GE3	1.0500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	62W（TC）
SQJ951EP-T1_GE3	1.6100	RFQ	1355	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ951	MOSFET （金属 o化物）	56W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	30a		17mohm @ 7.5a，10v	2.5V @ 250µA	50NC @ 10V		1680pf @ 10V	-
IRFZ34S	-	RFQ	8353	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ34	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ34S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SIA814DJ-T1-GE3	-	RFQ	7117	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA814	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（TC）	2.5V，10V	61mohm @ 3.3a，10v	1.5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±12V	340 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.9W（ta），6.5W（TC）
SI7738DP-T1-GE3	3.0500	RFQ	4722	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7738	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	30A（TC）	10V	38mohm @ 7.7A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 75 V	-	5.4W（ta），96w（tc）
SQM40081EL_GE3	1.7900	RFQ	8318	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM40081	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	9950 PF @ 25 V	-	107W（TC）
IRLZ14STRRPBF	0.9357	RFQ	8075	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ14	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	10A（TC）	4V，5V	200mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRF9620	-	RFQ	2169	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9620	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRF820	-	RFQ	8597	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF820	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SQM120N04-1M9_GE3	2.1090	RFQ	2922	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	120A（TC）	10V	1.9mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	8790 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRFR11N25D	-	RFQ	3930	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR11	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFR11N25D	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	250 v	-		-	-				-	-
IRF744	-	RFQ	9080	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF744	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF744	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	8.8A（TC）	10V	630MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SIHG11N80E-GE3	2.5692	RFQ	2599	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG11	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	800 v	12A（TC）	10V	440MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	1670 pf @ 100 V	-	179W（TC）
IRFU9220	-	RFQ	1889年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9220	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	200 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIHB6N80AE-GE3	2.0700	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB6N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±30V	422 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
SISS08DN-T1-GE3	1.1400	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS08	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	53.9a（ta），195.5a （TC）	4.5V，10V	1.23mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	82 NC @ 10 V	+20V，-16V	3670 pf @ 12.5 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SI4434DY-T1-E3	3.0000	RFQ	5766	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4434	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	250 v	2.1a（ta）	6V，10V	155mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V		-	1.56W（TA）
SUP53P06-20-GE3	-	RFQ	8704	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP53	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		P通道	60 V	9.2A（ta），53A （TC）	4.5V，10V	19.5mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），104.2W（TC）
SI4403DDY-T1-GE3	0.4800	RFQ	1630	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4403	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	15.4A（TC）	1.8V，4.5V	14mohm @ 9a，4.5V	1V @ 250µA	99 NC @ 8 V	±8V	3250 pf @ 10 V	-	5W（TC）
SI4816BDY-T1-E3	1.6400	RFQ	4884	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4816	MOSFET （金属 o化物）	1W，1.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	5.8a，8.2a		18.5mohm @ 6.8a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 5V		-	逻辑级别门
2N6660-2	-	RFQ	3199	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6660	MOSFET （金属 o化物）		TO-205AD（TO-39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道	60 V	990mA（tc）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
SISA04DN-T1-GE3	1.2500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA04	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	2.15MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	77 NC @ 10 V	+20V，-16V	3595 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SIHW47N65E-GE3	-	RFQ	6900	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHW47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	650 v	47A（TC）	10V	72MOHM @ 24A，10V	4V @ 250µA	273 NC @ 10 V	±20V	5682 PF @ 100 V	-	417W（TC）
SI4941DODY-T1-E3	-	RFQ	3427	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4941	MOSFET （金属 o化物）	3.6W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	10a		21mohm @ 8.3a，10v	2.8V @ 250µA	70NC @ 10V		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²