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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQM50P04-09L_GE3	2.6100	RFQ	651	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM50	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 50a，10v	2.5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	6045 pf @ 10 V	-	150W（TC）
IRFPF30	-	RFQ	6955	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPF30	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI1070X-T1-E3	-	RFQ	1268	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1070	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	1.2A（TA）	2.5V，4.5V	99mohm @ 1.2A，4.5V	1.55V @ 250µA	8.3 NC @ 5 V	±12V	385 pf @ 15 V	-	236MW（TA）
SQJA88EP-T1_BE3	0.9600	RFQ	2205	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJA88EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	7MOHM @ 8A，10V	2.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	48W（TC）
SI7904DN-T1-GE3	-	RFQ	7903	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7904	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	5.3a		30mohm @ 7.7a，4.5V	1V @ 935µA	15nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
V30368-T1-E3	-	RFQ	1524年	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				V30368				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	2,500
IRFR9020	-	RFQ	6135	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR9020	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IRFD9120	-	RFQ	1664年	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9120	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD9120	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	1A（1A）	10V	600mohm @ 600mA，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SQJ443EP-T1_BE3	1.4100	RFQ	4778	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ443EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	40a（TC）	4.5V，10V	29mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	2030 pf @ 20 V	-	83W（TC）
IRLI520GPBF	0.9881	RFQ	8720	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI520	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRLI520GPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	7.2A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 4.3A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	37W（TC）
SQS966ENW-T1_GE3	0.9800	RFQ	8853	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®1212-8W双重	SQS966	MOSFET （金属 o化物）	27.8W（TC）	PowerPak®1212-8W双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	6A（TC）		36mohm @ 1.25A，10V	2.5V @ 250µA	8.8nc @ 10V		572pf @ 25V	-
IRF520	-	RFQ	6941	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF520	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	9.2A（TC）	10V	270MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
IRFIZ34GPBF	2.8500	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIZ34GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	20A（TC）	10V	50mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SI5902BDC-T1-GE3	1.3200	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5902	MOSFET （金属 o化物）	3.12W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	4a		65mohm @ 3.1a，10v	3V @ 250µA	7NC @ 10V		220pf @ 15V	逻辑级别门
IRFRC20TRPBF-BE3	1.2900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-RFRC20TRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
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IRFPC50LC	-	RFQ	9050	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC50	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPC50LC	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	11A（TC）	10V	600mohm @ 6.6a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	190w（TC）
2N5116JAN02	-	RFQ	1064	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N5116			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20		-								-
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SIR401DP-T1-GE3	0.9700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir401	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	50A（TC）	2.5V，10V	3.2MOHM @ 15A，10V	1.5V @ 250µA	310 NC @ 10 V	±12V	9080 pf @ 10 V	-	5W（5W），39W（tc）
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SIHFR320TRL-GE3	0.9600	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-SIHFR320TRL-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI6981DQ-T1-GE3	-	RFQ	2405	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6981	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.1a		31MOHM @ 4.8A，4.5V	900MV @ 300µA	25nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI7308DN-T1-GE3	1.1800	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7308	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	6A（TC）	4.5V，10V	58MOHM @ 5.4A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	665 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
SIRA64DP-T1-RE3	0.9200	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira64	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	65 NC @ 10 V	+20V，-16V	3420 PF @ 15 V	-	27.8W（TC）
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SQJ433EP-T1_BE3	1.4100	RFQ	3015	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ433EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	8.1MOHM @ 16A，10V	2.5V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	4877 PF @ 15 V	-	83W（TC）
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IRF840LCSTRR	-	RFQ	7368	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²