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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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SIHW47N65E-GE3	-	RFQ	6900	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHW47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	650 v	47A（TC）	10V	72MOHM @ 24A，10V	4V @ 250µA	273 NC @ 10 V	±20V	5682 PF @ 100 V	-	417W（TC）
SUP53P06-20-GE3	-	RFQ	8704	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP53	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		P通道	60 V	9.2A（ta），53A （TC）	4.5V，10V	19.5mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），104.2W（TC）
SI7686DP-T1-GE3	1.5800	RFQ	567	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7686	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 13.8A，10V	3V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1220 pf @ 15 V	-	5W（5W），37.9W（TC）
IRFPF40	-	RFQ	2484	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPF40	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPF40	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	900 v	4.7A（TC）	10V	2.5OHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SIHFL110TR-BE3	0.6300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SIHFL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		（1 （无限）		742-SIHFL110TR-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.5A（TC）		540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI7157DP-T1-GE3	1.5500	RFQ	1702	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7157	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	60a（TC）	2.5V，10V	1.6mohm @ 25a，10v	1.4V @ 250µA	625 NC @ 10 V	±12V	22000 PF @ 10 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI4831DY-T1-E3	-	RFQ	7337	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4831	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	5A（5A）	4.5V，10V	45mohm @ 5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	20 nc @ 5 V	±20V		Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
IRFBE30L	-	RFQ	7369	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBE30	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBE30L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	4.1A（TC）	10V	3ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI2334DS-T1-GE3	-	RFQ	6788	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2334	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.9A（TC）	2.5V，4.5V	44mohm @ 4.2A，4.5V	1V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	634 pf @ 15 V	-	1.3W（TA），1.7W（TC）
IRFR9220pbf	1.8300	RFQ	245	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9220	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		P通道	200 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SUD50N03-06AP-T4E3	-	RFQ	1942年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	90A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 20A，10V	2.4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 15 V	-	（10W）（ta），83W（tc）
IRLI540G	-	RFQ	8299	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRLI540G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	17a（TC）	4V，5V	77mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	64 NC @ 5 V	±10V	2200 PF @ 25 V	-	48W（TC）
IRFP064PBF	5.3400	RFQ	452	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP064	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP064PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	60 V	70A（TC）	10V	9mohm @ 78a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	7400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
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SIJ458DP-T1-GE3	-	RFQ	4687	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sij458	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±20V	4810 PF @ 15 V	-	5W（5W），69.4W（TC）
SIRA52ADP-T1-RE3	1.4400	RFQ	380	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira52	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	41.6A（TA），131A （TC）	4.5V，10V	1.63mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	+20V，-16V	5500 pf @ 20 V	-	4.8W（TA），48W（tc）
irliz14g	-	RFQ	9268	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLIZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irliz14g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	8A（TC）	4V，5V	200mohm @ 4.8A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	27W（TC）
IRF820	-	RFQ	8597	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF820	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
IRFB9N65APBF-BE3	2.8500	RFQ	863	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFB9N65APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	8.5A（TC）		930MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	1417 PF @ 25 V	-	167W（TC）
SQJ411EP-T1_GE3	1.3300	RFQ	19	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ411	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	60a（TC）	2.5V，4.5V	5.8MOHM @ 15a，4.5V	1.5V @ 250µA	150 NC @ 4.5 V	±8V	9100 PF @ 6 V	-	68W（TC）
SIHD11N80AE-T4-GE3	1.8000	RFQ	9661	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）		742-SIHD11N80AE-T4-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	800 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	804 PF @ 100 V	-	78W（TC）
IRL530STRR	-	RFQ	5589	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	15A（TC）	4V，5V	160MOHM @ 9A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SQD100N03-3M4_GE3	1.6100	RFQ	8822	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD100	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	100A（TC）	10V	3.4mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±20V	7349 PF @ 15 V	-	136W（TC）
SI2316ds-T1-E3	0.8200	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2316	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.9a（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 3.4a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	7 NC @ 10 V	±20V	215 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
IRL540pbf-be3	2.5100	RFQ	995	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irl540pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）		77mohm @ 17a，5v	2V @ 250µA	64 NC @ 5 V	±10V	2200 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SI4618DY-T1-E3	-	RFQ	6290	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4618	MOSFET （金属 o化物）	1.98W，4.16W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	8a，15.2a		17mohm @ 8a，10v	2.5V @ 1mA	44NC @ 10V		1535pf @ 15V	-
SI9634DY-T1-GE3	0.9200	RFQ	9280	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9634	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），3.6W（TC）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SI9634DY-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	6.2A（ta），8a tc）		29MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	11NC @ 10V		420pf @ 30V	-
SI5902DC-T1-E3	-	RFQ	7164	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5902	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	2.9a		85mohm @ 2.9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	7.5NC @ 10V		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²