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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
SI4800BDY-T1-GE3	0.9200	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4800	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	18.5mohm @ 9a，10v	1.8V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±25V		-	1.3W（TA）
IRFB9N65APBF-BE3	2.8500	RFQ	863	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFB9N65APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	8.5A（TC）		930MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	1417 PF @ 25 V	-	167W（TC）
SQJ411EP-T1_GE3	1.3300	RFQ	19	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ411	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	60a（TC）	2.5V，4.5V	5.8MOHM @ 15a，4.5V	1.5V @ 250µA	150 NC @ 4.5 V	±8V	9100 PF @ 6 V	-	68W（TC）
irliz14g	-	RFQ	9268	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLIZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irliz14g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	8A（TC）	4V，5V	200mohm @ 4.8A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SI6469DQ-T1-GE3	-	RFQ	9451	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6469	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	6a（6a）	1.8V，4.5V	28mohm @ 6a，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	40 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
IRFI644G	-	RFQ	7730	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI644G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	7.9A（TC）	10V	280MOHM @ 4.7A，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SIRA52ADP-T1-RE3	1.4400	RFQ	380	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira52	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	41.6A（TA），131A （TC）	4.5V，10V	1.63mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	+20V，-16V	5500 pf @ 20 V	-	4.8W（TA），48W（tc）
SIJ458DP-T1-GE3	-	RFQ	4687	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sij458	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±20V	4810 PF @ 15 V	-	5W（5W），69.4W（TC）
SI7456DP-T1-E3	2.1000	RFQ	22	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	5.7A（ta）	6V，10V	25mohm @ 9.3a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI7110DN-T1-E3	1.8500	RFQ	8508	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7110	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	13.5A（TA）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 21.1A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI4202DY-T1-GE3	1.3900	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4202	MOSFET （金属 o化物）	3.7W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	12.1a		14mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	17NC @ 10V		710pf @ 15V	逻辑级别门
SI5915BDC-T1-E3	-	RFQ	3698	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5915	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		8V	4a		70mohm @ 3.3a，4.5V	1V @ 250µA	14NC @ 8V		420pf @ 4V	逻辑级别门
SQJ244EP-T1_GE3	1.4800	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ244	MOSFET （金属 o化物）	27W（TC），48W（tc）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	20A（TC），60a （TC）		11MOHM @ 4A，10V，4.5MOHM @ 10A，10V	2.5V @ 250µA	20nc @ 10v，45nc @ 10V		1200pf @ 25V，2800pf @ 25V	-
IRFI840GPBF	3.0000	RFQ	729	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI840	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI840GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	4.6A（TC）	10V	850MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFPF40pbf	4.4500	RFQ	375	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPF40	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPF40PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	900 v	4.7A（TC）	10V	2.5OHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI4565ADY-T1-E3	-	RFQ	1983	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4565	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	6.6a，5.6a		39mohm @ 5a，10v	2.2V @ 250µA	22nc @ 10V		625pf @ 20V	-
IRF710pbf	1.1100	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF710	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF710pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	36W（TC）
IRFL9014TRPBF	0.9300	RFQ	47	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	1.8A（TC）	10V	500MOHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI7120DN-T1-GE3	-	RFQ	1466	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	PowerPak®1212-8	SI7120	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	6.3a（ta）		19mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V			-
IRFR9210TRL	-	RFQ	9672	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9210	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	200 v	1.9A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI1563EDH-T1-E3	-	RFQ	9088	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1563	MOSFET （金属 o化物）	570MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	1.13a，880mA		280MOHM @ 1.13A，4.5V	1V @ 100µA	1NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SUC85N15-19DWF	-	RFQ	5169	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-	-	-	SUC85	-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1		-		-	-	-	-		-		-	-
SQJ200EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ200	MOSFET （金属 o化物）	27W，48W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	20a，60a		8.8mohm @ 16a，10v	2V @ 250µA	18NC @ 10V		975pf @ 10V	-
U440-E3	-	RFQ	4218	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-71-6	U440		500兆	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		2 n 通道（双）								3pf @ 10V			25 v	6 mA @ 10 V	1 v @ 1 na
SQD50N04-5M6_T4GE3	1.6700	RFQ	48	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	50A（TC）	10V	5.6mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	71W（TC）
SIA907EDJ-T4-GE3	-	RFQ	8775	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-	SIA907	-	-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	-		-	-		-	-	-		-	-
SI3442BDV-T1-BE3	0.5900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SI3442BDV-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	57MOHM @ 4A，4.5V	1.8V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±12V	295 pf @ 10 V	-	860MW（TA）
IRFBC30LPBF	-	RFQ	7674	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC30LPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
SI4408DY-T1-E3	2.7500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4408	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	14A（TA）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 21a，10V	1V @ 250µA（250µA）	32 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SIRA12DP-T1-GE3	0.9600	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira12	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	+20V，-16V	2070 pf @ 15 V	-	4.5W（ta），31W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²