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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF9520PBF-BE3	1.2900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9520	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF9520PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	6.8A（TC）		600MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	60W（TC）
SQJ431AEP-T1_BE3	1.6400	RFQ	2342	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ431AEP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	200 v	9.4A（TC）	6V，10V	305MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	3700 PF @ 25 V	-	68W（TC）
SI7308DN-T1-E3	1.1800	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7308	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	6A（TC）	4.5V，10V	58MOHM @ 5.4A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	665 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
SI1302DL-T1-BE3	0.4400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1302	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	600mA（TA）		480MOHM @ 600mA，10V	3V @ 250µA	1.4 NC @ 10 V	±20V		-	280MW（TA）
SIA811ADJ-T1-GE3	0.5500	RFQ	2	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA811	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（TC）	1.8V，4.5V	116mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	13 NC @ 8 V	±8V	345 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.8W（ta），6.5W（TC）
IRFBC20PBF	1.4000	RFQ	9	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfbc20pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIHD6N65E-GE3	1.6100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD6	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
IRFP354	-	RFQ	6022	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP354	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFP354	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	450 v	14A（TC）	10V	350MOHM @ 8.4A，10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	190w（TC）
SI4340CDY-T1-E3	1.3500	RFQ	612	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	SI4340	MOSFET （金属 o化物）	3W，5.4W	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		20V	14.1a，20a		9.4mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	32NC @ 10V		1300pf @ 10V	逻辑级别门
IRF9540L	-	RFQ	5581	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9540	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF9540L	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	-
2N6661JTXP02	-	RFQ	8781	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6661	MOSFET （金属 o化物）		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道	90 v	860mA（tc）	5V，10V	4ohm @ 1A，10V	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
SIB914DK-T1-GE3	-	RFQ	8727	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-75-6L双重	SIB914	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	POWERPAK®SC-75-6L双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		8V	1.5a		113MOHM @ 2.5a，4.5V	800MV @ 250µA	2.6nc @ 5V		125pf @ 4V	-
SI4539ADY-T1-GE3	-	RFQ	7144	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4539	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	4.4a，3.7a		36mohm @ 5.9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
SIE854DF-T1-GE3	-	RFQ	6300	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE854	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	60a（TC）	10V	14.2MOHM @ 13.2A，10V	4.4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 50 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SI3948DV-T1-E3	-	RFQ	9061	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3948	MOSFET （金属 o化物）	1.15W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	-		105mohm @ 2.5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	3.2nc @ 5V		-	逻辑级别门
IRF830BPBF-BE3	1.1200	RFQ	33	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF830BPBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	5.3A（TC）		1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	325 pf @ 100 V	-	104W（TC）
IRLZ24	-	RFQ	6617	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRLZ24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLZ24	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	17a（TC）	4V，5V	100mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IRF734L	-	RFQ	3534	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF734	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF734L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	4.9A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.9a，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	-
SIHG21N80AE-GE3	4.7800	RFQ	500	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG21	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2266-SIHG21N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	800 v	17.4A（TC）	10V	235mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	1388 pf @ 100 V	-	32W（TC）
IRL540	-	RFQ	6749	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL540	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	28a（TC）	4V，5V	77mohm @ 17a，5v	2V @ 250µA	64 NC @ 5 V	±10V	2200 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IRL520PBF-BE3	1.4600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL520	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irl520pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	9.2A（TC）		270MOHM @ 5.5A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	60W（TC）
SIR838DP-T1-GE3	-	RFQ	3144	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir838	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	35A（TC）	10V	33mohm @ 8.3a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2075 PF @ 75 V	-	5.4W（ta），96w（tc）
SI4324DY-T1-GE3	-	RFQ	5835	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4324	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	36a（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	3510 PF @ 15 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
SI4896DY-T1-E3	1.9500	RFQ	1853年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4896	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	80 V	6.7a（ta）	6V，10V	16.5MOHM @ 10A，10V	2V @ 250µA（）	41 NC @ 10 V	±20V		-	1.56W（TA）
SI7804DN-T1-E3	0.5292	RFQ	5330	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7804	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	18.5mohm @ 10a，10v	1.8V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SIS407ADN-T1-GE3	0.8900	RFQ	2768	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS407	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	18A（TC）	1.8V，4.5V	9mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	168 NC @ 8 V	±8V	5875 pf @ 10 V	-	3.7W（TA），39.1W（TC）
SQM40020EL_GE3	2.2300	RFQ	5185	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM40020	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	8800 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SIHF8N50L-E3	-	RFQ	6750	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF8	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	8A（TC）	10V	1欧姆 @ 4A，10V	5V @ 250µA	34 NC @ 0 V	±30V	873 PF @ 25 V	-	40W（TC）
SQ1420EEH-T1-GE3	-	RFQ	2902	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1420	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	1.6A（TC）		140MOHM @ 1.2A，10V	2.5V @ 250µA	4 NC @ 4.5 V		215 pf @ 25 V	-
SI4800BDY-T1-GE3	0.9200	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4800	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	18.5mohm @ 9a，10v	1.8V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±25V		-	1.3W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²