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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
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![]() | SQJA70EP-T1_BE3 | 0.7500 | ![]() | 1477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | (1 (无限) | 742-SQJA70EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 14.7A(TC) | 10V | 95MOHM @ 4A,10V | 3.5V @ 250µA | 7 NC @ 10 V | ±20V | 220 pf @ 25 V | - | 27W(TC) | ||||||
![]() | SI1026X-T1-E3 | - | ![]() | 7760 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SI1026 | MOSFET (金属 o化物) | 250MW | SC-89(SOT-563F) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 305mA | 1.4OHM @ 500mA,10V | 2.5V @ 250µA | 0.6NC @ 4.5V | 30pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||||||
3N163-2 | - | ![]() | 5994 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AF,TO-72-4金属可以 | 3N163 | MOSFET (金属 o化物) | 到72 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | P通道 | 40 V | 50mA(TA) | 20V | 250ohm @ 100µA,20V | 5V @ 10µA | ±30V | 3.5 pf @ 15 V | - | 375MW(TA) | ||||||
![]() | IRF614L | - | ![]() | 2502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IRF614 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | *IRF614L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 250 v | 2.7A(TC) | 10V | 2ohm @ 1.6A,10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ±20V | 140 pf @ 25 V | - | - | ||||
![]() | SI3465DV-T1-E3 | - | ![]() | 4278 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3465 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3A(3A) | 4.5V,10V | 80mohm @ 4A,10V | 3V @ 250µA | 5.5 NC @ 5 V | ±20V | - | 1.14W(TA) | ||||||
![]() | SI5499DC-T1-E3 | - | ![]() | 2207 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5499 | MOSFET (金属 o化物) | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 6A(TC) | 1.5V,4.5V | 36mohm @ 5.1a,4.5V | 800MV @ 250µA | 35 NC @ 8 V | ±5V | 1290 pf @ 4 V | - | 2.5W(ta),6.2W(TC) | ||||
![]() | IRFZ24STRR | - | ![]() | 4910 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRFZ24 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 60 V | 17a(TC) | 10V | 100mohm @ 10a,10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 640 pf @ 25 V | - | 3.7W(TA),60W(TC) | ||||
![]() | SI9407BDY-T1-E3 | 1.3900 | ![]() | 958 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI9407 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 60 V | 4.7A(TC) | 4.5V,10V | 120mohm @ 3.2a,10v | 3V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 600 pf @ 30 V | - | 5W(TC) | |||||
![]() | SI3905DV-T1-GE3 | - | ![]() | 4086 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3905 | MOSFET (金属 o化物) | 1.15W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 8V | - | 125mohm @ 2.5a,4.5V | 450mv @ 250µA(250µA)) | 6NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI4590DY-T1-GE3 | 0.9500 | ![]() | 4861 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4590 | - | 2.4W,3.4W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 100V | 3.4a,2.8a | 57MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 250µA | 11.5NC @ 10V | 360pf @ 50V | - | |||||||
![]() | SI2392ADS-T1-GE3 | 0.5400 | ![]() | 4955 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SI2392 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 3.1A(TC) | 4.5V,10V | 126mohm @ 2a,10v | 3V @ 250µA | 10.4 NC @ 10 V | ±20V | 196 pf @ 50 V | - | 1.25W(ta),2.5W(tc) | ||||
![]() | irfu310pbf | 1.4900 | ![]() | 8291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | IRFU310 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *irfu310pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 400 v | 1.7A(TC) | 10V | 3.6OHM @ 1A,10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | ||||
![]() | SQD15N06-42L_T4GE3 | 0.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 742-SQD15N06-42L_T4GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 15A(TC) | 4.5V,10V | 42mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 535 pf @ 25 V | - | 37W(TC) | ||||||
![]() | TN0201K-T1-E3 | - | ![]() | 8938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TN0201 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 420mA(TA) | 4.5V,10V | 1欧姆 @ 300mA,10V | 3V @ 250µA | 1.5 NC @ 10 V | ±20V | - | 350MW(TA) | |||||
![]() | IRFR9120Tr | - | ![]() | 1952年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR9120 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P通道 | 100 v | 5.6A(TC) | 10V | 600MOHM @ 3.4A,10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | ||||
![]() | SI6913DQ-T1-GE3 | 1.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | SI6913 | MOSFET (金属 o化物) | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 12V | 4.9a | 21MOHM @ 5.8A,4.5V | 900MV @ 400µA | 28nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SUM110P04-04L-E3 | 4.7600 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | sum110 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 40 V | 110A(TC) | 4.5V,10V | 4.2MOHM @ 30a,10v | 3V @ 250µA | 350 NC @ 10 V | ±20V | 11200 PF @ 25 V | - | 3.75W(TA),375W(tc) | |||||
![]() | IRF3205ZSTRR | - | ![]() | 6474 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF3205 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 55 v | 75A(TC) | 10V | 6.5MOHM @ 66A,10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 3450 pf @ 25 V | - | 170W(TC) | ||||
![]() | IRFIBC20GPBF | 2.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | IRFIBC20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRFIBC20GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 1.7A(TC) | 10V | 4.4OHM @ 1A,10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 350 pf @ 25 V | - | 30W(TC) | ||||
![]() | SUP40012EL-GE3 | 2.3400 | ![]() | 7391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SUP40012 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 150a(TC) | 4.5V,10V | 1.79MOHM @ 30a,10V | 2.5V @ 250µA | 195 NC @ 10 V | ±20V | 10930 PF @ 20 V | - | 150W(TC) | |||||
![]() | IRFBC20 | - | ![]() | 3243 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRFBC20 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFBC20 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 2.2A(TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.3A,10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 350 pf @ 25 V | - | 3.1W(ta),50W(TC) | |||
![]() | SIHB120N60E-GE3 | 5.2400 | ![]() | 984 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIHB120 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 25A(TC) | 10V | 120mohm @ 12a,10v | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±30V | 1562 PF @ 100 V | - | 179W(TC) | |||||
![]() | IRFP31N50LPBF | 7.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP31 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRFP31N50LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 500 v | 31a(TC) | 10V | 180mohm @ 19a,10v | 5V @ 250µA | 210 NC @ 10 V | ±30V | 5000 pf @ 25 V | - | 460W(TC) | ||||
![]() | SI4497DY-T1-GE3 | 1.8800 | ![]() | 3879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4497 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 36a(TC) | 4.5V,10V | 3.3mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 285 NC @ 10 V | ±20V | 9685 pf @ 15 V | - | 3.5W(TA),7.8W(TC) | |||||
![]() | IRFU210 | - | ![]() | 2611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | irfu2 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251AA | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFU210 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 200 v | 2.6A(TC) | 10V | 1.5OHM @ 1.6A,10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ±20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | |||
![]() | irfr024trl | - | ![]() | 6591 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR024 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 14A(TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a,10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | ||||
![]() | SI7447ADP-T1-E3 | - | ![]() | 9665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7447 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 35A(TC) | 10V | 6.5MOHM @ 24A,10V | 3V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±25V | 4650 pf @ 15 V | - | 5.4W(ta),83.3W(tc) | ||||
![]() | irfz14strr | - | ![]() | 7497 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRFZ14 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 60 V | 10A(TC) | 10V | 200mohm @ 6a,10v | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±20V | 300 pf @ 25 V | - | 3.7W(ta),43W(tc) | |||||
IRF634NPBF | - | ![]() | 2506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF634 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRF634NPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 250 v | 8A(TC) | 10V | 435MOHM @ 4.8A,10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ±20V | 620 pf @ 25 V | - | 3.8W(TA),88W(TC) | ||||
![]() | IRFR1N60ATR | - | ![]() | 6599 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR1 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 600 v | 1.4A(TC) | 10V | 7ohm @ 840mA,10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W(TC) |
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