SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
SQJA70EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJA70EP-T1_BE3 0.7500
RFQ
ECAD 1477 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 (1 (无限) 742-SQJA70EP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 14.7A(TC) 10V 95MOHM @ 4A,10V 3.5V @ 250µA 7 NC @ 10 V ±20V 220 pf @ 25 V - 27W(TC)
SI1026X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1026X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7760 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 SI1026 MOSFET (金属 o化物) 250MW SC-89(SOT-563F) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 60V 305mA 1.4OHM @ 500mA,10V 2.5V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 30pf @ 25V 逻辑级别门
3N163-2 Vishay Siliconix 3N163-2 -
RFQ
ECAD 5994 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-206AF,TO-72-4金属可以 3N163 MOSFET (金属 o化物) 到72 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 P通道 40 V 50mA(TA) 20V 250ohm @ 100µA,20V 5V @ 10µA ±30V 3.5 pf @ 15 V - 375MW(TA)
IRF614L Vishay Siliconix IRF614L -
RFQ
ECAD 2502 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IRF614 MOSFET (金属 o化物) TO-262 - Rohs不合规 (1 (无限) *IRF614L Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 2.7A(TC) 10V 2ohm @ 1.6A,10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±20V 140 pf @ 25 V - -
SI3465DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3465DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4278 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3465 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 3A(3A) 4.5V,10V 80mohm @ 4A,10V 3V @ 250µA 5.5 NC @ 5 V ±20V - 1.14W(TA)
SI5499DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5499DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2207 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5499 MOSFET (金属 o化物) 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 8 V 6A(TC) 1.5V,4.5V 36mohm @ 5.1a,4.5V 800MV @ 250µA 35 NC @ 8 V ±5V 1290 pf @ 4 V - 2.5W(ta),6.2W(TC)
IRFZ24STRR Vishay Siliconix IRFZ24STRR -
RFQ
ECAD 4910 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFZ24 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 17a(TC) 10V 100mohm @ 10a,10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 640 pf @ 25 V - 3.7W(TA),60W(TC)
SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9407BDY-T1-E3 1.3900
RFQ
ECAD 958 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI9407 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 4.7A(TC) 4.5V,10V 120mohm @ 3.2a,10v 3V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 600 pf @ 30 V - 5W(TC)
SI3905DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3905DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4086 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3905 MOSFET (金属 o化物) 1.15W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 8V - 125mohm @ 2.5a,4.5V 450mv @ 250µA(250µA)) 6NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SI4590DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4590DY-T1-GE3 0.9500
RFQ
ECAD 4861 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4590 - 2.4W,3.4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 100V 3.4a,2.8a 57MOHM @ 2A,10V 2.5V @ 250µA 11.5NC @ 10V 360pf @ 50V -
SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2392ADS-T1-GE3 0.5400
RFQ
ECAD 4955 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SI2392 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3.1A(TC) 4.5V,10V 126mohm @ 2a,10v 3V @ 250µA 10.4 NC @ 10 V ±20V 196 pf @ 50 V - 1.25W(ta),2.5W(tc)
IRFU310PBF Vishay Siliconix irfu310pbf 1.4900
RFQ
ECAD 8291 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA IRFU310 MOSFET (金属 o化物) TO-251AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *irfu310pbf Ear99 8541.29.0095 75 n通道 400 v 1.7A(TC) 10V 3.6OHM @ 1A,10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 170 pf @ 25 V - 2.5W(25W),25W(tc)
SQD15N06-42L_T4GE3 Vishay Siliconix SQD15N06-42L_T4GE3 0.9400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 742-SQD15N06-42L_T4GE3TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 15A(TC) 4.5V,10V 42mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±20V 535 pf @ 25 V - 37W(TC)
TN0201K-T1-E3 Vishay Siliconix TN0201K-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8938 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TN0201 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 420mA(TA) 4.5V,10V 1欧姆 @ 300mA,10V 3V @ 250µA 1.5 NC @ 10 V ±20V - 350MW(TA)
IRFR9120TR Vishay Siliconix IRFR9120Tr -
RFQ
ECAD 1952年 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR9120 MOSFET (金属 o化物) D-pak - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 100 v 5.6A(TC) 10V 600MOHM @ 3.4A,10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 390 pf @ 25 V - 2.5W(TA),42W(TC)
SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-GE3 1.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) SI6913 MOSFET (金属 o化物) 830MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2(p 通道(双) 12V 4.9a 21MOHM @ 5.8A,4.5V 900MV @ 400µA 28nc @ 4.5V - 逻辑级别门
SUM110P04-04L-E3 Vishay Siliconix SUM110P04-04L-E3 4.7600
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB sum110 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 P通道 40 V 110A(TC) 4.5V,10V 4.2MOHM @ 30a,10v 3V @ 250µA 350 NC @ 10 V ±20V 11200 PF @ 25 V - 3.75W(TA),375W(tc)
IRF3205ZSTRR Vishay Siliconix IRF3205ZSTRR -
RFQ
ECAD 6474 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF3205 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 75A(TC) 10V 6.5MOHM @ 66A,10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V 3450 pf @ 25 V - 170W(TC)
IRFIBC20GPBF Vishay Siliconix IRFIBC20GPBF 2.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 IRFIBC20 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRFIBC20GPBF Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 1.7A(TC) 10V 4.4OHM @ 1A,10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 350 pf @ 25 V - 30W(TC)
SUP40012EL-GE3 Vishay Siliconix SUP40012EL-GE3 2.3400
RFQ
ECAD 7391 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SUP40012 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 150a(TC) 4.5V,10V 1.79MOHM @ 30a,10V 2.5V @ 250µA 195 NC @ 10 V ±20V 10930 PF @ 20 V - 150W(TC)
IRFBC20S Vishay Siliconix IRFBC20 -
RFQ
ECAD 3243 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFBC20 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFBC20 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 2.2A(TC) 10V 4.4OHM @ 1.3A,10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 350 pf @ 25 V - 3.1W(ta),50W(TC)
SIHB120N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB120N60E-GE3 5.2400
RFQ
ECAD 984 0.00000000 Vishay Siliconix e 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIHB120 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 25A(TC) 10V 120mohm @ 12a,10v 5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 1562 PF @ 100 V - 179W(TC)
IRFP31N50LPBF Vishay Siliconix IRFP31N50LPBF 7.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFP31 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRFP31N50LPBF Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 31a(TC) 10V 180mohm @ 19a,10v 5V @ 250µA 210 NC @ 10 V ±30V 5000 pf @ 25 V - 460W(TC)
SI4497DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4497DY-T1-GE3 1.8800
RFQ
ECAD 3879 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4497 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 36a(TC) 4.5V,10V 3.3mohm @ 20a,10v 2.5V @ 250µA 285 NC @ 10 V ±20V 9685 pf @ 15 V - 3.5W(TA),7.8W(TC)
IRFU210 Vishay Siliconix IRFU210 -
RFQ
ECAD 2611 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA irfu2 MOSFET (金属 o化物) TO-251AA 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFU210 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 200 v 2.6A(TC) 10V 1.5OHM @ 1.6A,10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±20V 140 pf @ 25 V - 2.5W(25W),25W(tc)
IRFR024TRL Vishay Siliconix irfr024trl -
RFQ
ECAD 6591 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR024 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 14A(TC) 10V 100mohm @ 8.4a,10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 640 pf @ 25 V - 2.5W(TA),42W(TC)
SI7447ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7447ADP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9665 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SI7447 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 35A(TC) 10V 6.5MOHM @ 24A,10V 3V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±25V 4650 pf @ 15 V - 5.4W(ta),83.3W(tc)
IRFZ14STRR Vishay Siliconix irfz14strr -
RFQ
ECAD 7497 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFZ14 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 10A(TC) 10V 200mohm @ 6a,10v 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 300 pf @ 25 V - 3.7W(ta),43W(tc)
IRF634NPBF Vishay Siliconix IRF634NPBF -
RFQ
ECAD 2506 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF634 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 *IRF634NPBF Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 8A(TC) 10V 435MOHM @ 4.8A,10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±20V 620 pf @ 25 V - 3.8W(TA),88W(TC)
IRFR1N60ATR Vishay Siliconix IRFR1N60ATR -
RFQ
ECAD 6599 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR1 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 1.4A(TC) 10V 7ohm @ 840mA,10v 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±30V 229 pf @ 25 V - 36W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库