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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI2399DS-T1-BE3	0.5100	RFQ	5804	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2399DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.1a（TA），6a （TC）	2.5V，10V	34mohm @ 5.1A，10V	1.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	835 pf @ 10 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SQRS140ELP-T1_GE3	2.6800	RFQ	8072	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8SW	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	40 V	504a（TC）	4.5V，10V	600µhm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	294 NC @ 10 V	±20V	15398 PF @ 25 V	-	266W（TC）
SQ2303ES-T1_BE3	0.5300	RFQ	658	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2303	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SQ2303ES-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.5A（TC）	4.5V，10V	170MOHM @ 1.7A，10V	2.5V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	210 pf @ 25 V	-	1.9W（TC）
irfr120pbf-be3	1.2300	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR120	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr120pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	7.7A（TC）		270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI7802DN-T1-GE3	-	RFQ	4616	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7802	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	250 v	1.24A（TA）	6V，10V	435MOHM @ 1.95a，10V	3.6V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
IRFU9110	-	RFQ	5198	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9110	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIHG22N65E-GE3	3.2943	RFQ	8283	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG22	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	650 v	22a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2415 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SI3585DV-T1-GE3	-	RFQ	5975	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3585	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	2a，1.5a		125mohm @ 2.4a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	3.2nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFIB7N50APBF	3.1400	RFQ	838	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB7	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIB7N50APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	6.6A（TC）	10V	520MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 25 V	-	60W（TC）
SI7115DN-T1-E3	2.1000	RFQ	3583	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7115	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	8.9a（TC）	6V，10V	295MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 50 V	-	52W（TC）
SI2392BDS-T1-GE3	0.6400	RFQ	25	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2392	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	2A（2a），2.3a tc（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 10a，10v	3V @ 250µA	7.1 NC @ 10 V	±20V	290 pf @ 50 V	-	1.25W（ta），1.7W（tc）
IRF710STRR	-	RFQ	5518	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF710	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
SQJ560EP-T1_GE3	1.4800	RFQ	11	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ560	MOSFET （金属 o化物）	34W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		60V	30A（TC），18A （TC）		12mohm @ 10a，10v，52.6mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	30nc @ 10v，45nc @ 10V		1650pf @ 25V	-
SIR616DP-T1-GE3	1.4800	RFQ	5061	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir616	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	20.2A（TC）	7.5V，10V	50.5MOHM @ 10A，10V	4V @ 250µA	28 NC @ 7.5 V	±20V	1450 pf @ 100 V	-	52W（TC）
SQJ433EP-T1_GE3	1.4100	RFQ	4	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ433	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	8.1MOHM @ 16A，10V	2.5V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	4877 PF @ 15 V	-	83W（TC）
2N4857JTXL02	-	RFQ	9658	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4857			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SI4190DY-T1-GE3	-	RFQ	5429	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4190	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	20A（TC）		8.8mohm @ 15a，10v	2.8V @ 250µA	58 NC @ 10 V		2000 pf @ 50 V	-
SI4378DY-T1-E3	-	RFQ	8021	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4378	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	（19a ta）	2.5V，4.5V	2.7MOHM @ 25A，4.5V	1.8V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±12V	8500 PF @ 10 V	-	1.6W（TA）
SI5943DU-T1-GE3	-	RFQ	5749	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5943	MOSFET （金属 o化物）	8.3W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	6a		64mohm @ 3.6A，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 8V		460pf @ 6V	逻辑级别门
irfu9024pbf	1.6400	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9024	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu9024pbf	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	60 V	8.8A（TC）	10V	280MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIS110DN-T1-GE3	0.6600	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS110	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	5.2A（ta），14.2a（TC）	7.5V，10V	54mohm @ 4A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 50 V	-	3.2W（24W）（24W）TC）
SQJB68EP-T1_GE3	0.9800	RFQ	6	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB68	MOSFET （金属 o化物）	27W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	11A（TC）		92MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 250µA	8NC @ 10V		280pf @ 25V	-
SI5906DU-T1-GE3	-	RFQ	9745	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5906	MOSFET （金属 o化物）	10.4W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	6a		31MOHM @ 4.8A，10V	2.2V @ 250µA	8.6nc @ 10V		300pf @ 15V	逻辑级别门
SI4320DY-T1-E3	-	RFQ	7887	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4320	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	3mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	70 NC @ 4.5 V	±20V	6500 PF @ 15 V	-	1.6W（TA）
IRL510STRR	-	RFQ	4949	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	5.6A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 3.4A，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SQS181ELNW-T1_GE3	1.1200	RFQ	20	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	44A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2771 PF @ 25 V	-	119W（TC）
SQJA70EP-T1_BE3	0.7500	RFQ	1477	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJA70EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	14.7A（TC）	10V	95MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SI1026X-T1-E3	-	RFQ	7760	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1026	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	305mA		1.4OHM @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V		30pf @ 25V	逻辑级别门
3N163-2	-	RFQ	5994	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以	3N163	MOSFET （金属 o化物）		到72	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20		P通道	40 V	50mA（TA）	20V	250ohm @ 100µA，20V	5V @ 10µA		±30V	3.5 pf @ 15 V	-	375MW（TA）
IRF614L	-	RFQ	2502	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF614	MOSFET （金属 o化物）		TO-262	-	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF614L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	2.7A（TC）	10V	2ohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²