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![]() | SI4876DY-T1-GE3 | - | ![]() | 9709 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4876 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | 14A(TA) | 2.5V,4.5V | 5mohm @ 21a,4.5V | 600mv @ 250µA(250µA)) | 80 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.6W(TA) | |||||
![]() | SIA810DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 9576 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA810 | MOSFET (金属 o化物) | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 4.5A(TC) | 1.8V,4.5V | 53MOHM @ 3.7A,4.5V | 1V @ 250µA | 11.5 NC @ 8 V | ±8V | 400 pf @ 10 V | Schottky 二极管(孤立) | 1.9W(ta),6.5W(TC) | |||||
![]() | SI6913DQ-T1-E3 | 2.1400 | ![]() | 3095 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | SI6913 | MOSFET (金属 o化物) | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 12V | 4.9a | 21MOHM @ 5.8A,4.5V | 900MV @ 400µA | 28nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI7386DP-T1-GE3 | 1.6200 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7386 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 12a(12a) | 4.5V,10V | 7mohm @ 19a,10v | 2.5V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 V | ±20V | - | 1.8W(TA) | ||||||
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![]() | SI1062X-T1-GE3 | 0.4500 | ![]() | 4926 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | SI1062 | MOSFET (金属 o化物) | SC-89-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 530ma(ta) | 1.5V,4.5V | 420MOHM @ 500mA,4.5V | 1V @ 250µA | 2.7 NC @ 8 V | ±8V | 43 pf @ 10 V | - | 220MW(TA) | ||||
![]() | SIHB18N60E-GE3 | 1.7405 | ![]() | 7994 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIHB18 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 18A(TC) | 10V | 202MOHM @ 9A,10V | 4V @ 250µA | 92 NC @ 10 V | ±30V | 1640 pf @ 100 V | - | 179W(TC) | ||||||
![]() | SIHH14N60E-T1-GE3 | 3.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | SIHH14 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®8X8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 16A(TC) | 10V | 255MOHM @ 7A,10V | 4V @ 250µA | 82 NC @ 10 V | ±30V | 1416 PF @ 100 V | - | 147W(TC) | |||||
![]() | SIHB33N60ET5-GE3 | 3.8346 | ![]() | 8835 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIHB33 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 600 v | 33A(TC) | 10V | 99MOHM @ 16.5A,10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±30V | 3508 PF @ 100 V | - | 278W(TC) | ||||||
![]() | SI4814BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 8091 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4814 | MOSFET (金属 o化物) | 3.3W,3.5W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 10a,10.5a | 18mohm @ 10a,10v | 3V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SIHG20N50C-E3 | 3.0300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SIHG20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | SIHG20N50CE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 500 v | 20A(TC) | 10V | 270MOHM @ 10a,10v | 5V @ 250µA | 76 NC @ 10 V | ±30V | 2942 PF @ 25 V | - | 250W(TC) | ||||
![]() | SI8802DB-T2-E1 | 0.5400 | ![]() | 175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-XFBGA | SI8802 | MOSFET (金属 o化物) | 4微米 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 8 V | 3A(3A) | 1.2V,4.5V | 54mohm @ 1A,4.5V | 700MV @ 250µA | 6.5 NC @ 4.5 V | ±5V | - | 500MW(TA) | |||||
![]() | SIA485DJ-T1-GE3 | 0.5800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Sc-70-6 | SIA485 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®Sc-70-6 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 150 v | 1.6A(TC) | 6V,10V | 2.6ohm @ 500mA,10v | 4.5V @ 250µA | 6.3 NC @ 10 V | ±20V | 155 pf @ 75 V | - | 15.6W(TC) | ||||||
![]() | SI4884BDY-T1-E3 | - | ![]() | 7345 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4884 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 16.5A(TC) | 4.5V,10V | 9mohm @ 10a,10v | 3V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 1525 pf @ 15 V | - | 2.5W(TA),4.45W(TC) | |||||
![]() | SI4850EY-T1 | - | ![]() | 5176 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4850 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 6a(6a) | 4.5V,10V | 22mohm @ 6a,10v | 3V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.7W(TA) | |||||
![]() | SQD25N06-22L_GE3 | 1.7000 | ![]() | 8440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SQD25 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 60 V | 25A(TC) | 4.5V,10V | 22mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 1975 pf @ 25 V | - | 62W(TC) | |||||
![]() | SIA445EDJT-T1-GE3 | 0.4900 | ![]() | 1854年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Sc-70-6 | SIA445 | MOSFET (金属 o化物) | POWERPAK®SC-70-6单 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 12A(TC) | 2.5V,4.5V | 16.7MOHM @ 7A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 69 NC @ 10 V | ±12V | 2180 pf @ 10 V | - | 19w(tc) | ||||||
![]() | SIHD6N65ET1-GE3 | 0.7371 | ![]() | 5044 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIHD6 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 650 v | 7A(TC) | 10V | 600mohm @ 3a,10v | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ±30V | 820 PF @ 100 V | - | 78W(TC) | ||||||
![]() | SIA465EDJ-T1-GE3 | 0.1583 | ![]() | 2520 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Sc-70-6 | SIA465 | MOSFET (金属 o化物) | POWERPAK®SC-70-6单 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 12A(TC) | 2.5V,4.5V | 16.5MOHM @ 7A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±12V | 2130 pf @ 10 V | - | 19w(tc) | ||||||
![]() | SI8819EDB-T2-E1 | 0.4300 | ![]() | 6815 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-XFBGA | SI8819 | MOSFET (金属 o化物) | 4-microfoot®(0.8x0.8) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 2.9a(ta) | 1.5V,3.7V | 80mohm @ 1.5A,3.7V | 900mv @ 250µA | 17 NC @ 8 V | ±8V | 650 pf @ 6 V | - | 900MW(TA) | |||||
![]() | SI1413DH-T1-E3 | - | ![]() | 8421 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SI1413 | MOSFET (金属 o化物) | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2.3a(ta) | 1.8V,4.5V | 115mohm @ 2.9a,4.5V | 800mv @ 100µA | 8.5 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1W(ta) | |||||
![]() | SIHB33N60ET1-GE3 | 6.1800 | ![]() | 2691 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIHB33 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 600 v | 33A(TC) | 10V | 99MOHM @ 16.5A,10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±30V | 3508 PF @ 100 V | - | 278W(TC) | ||||||
![]() | SI4816DY-T1-E3 | - | ![]() | 6633 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4816 | MOSFET (金属 o化物) | 1W,1.25W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 5.3a,7.7a | 22mohm @ 6.3a,10v | 2V @ 250µA | 12nc @ 5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SIHF9540PBF | - | ![]() | 7246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 管子 | 积极的 | SIHF9540 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||
![]() | SISA18DN-T1-GE3 | - | ![]() | 8649 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SISA18 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 38.3a(TC) | 4.5V,10V | 7.5MOHM @ 10a,10v | 2.4V @ 250µA | 21.5 NC @ 10 V | +20V,-16V | 1000 pf @ 15 V | - | 3.2W(TA),19.8W(tc) | ||||
![]() | SI4836DY-T1-GE3 | - | ![]() | 2498 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4836 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 12 v | 17A(TA) | 1.8V,4.5V | 3mohm @ 25a,4.5V | 400mv @ 250µA(250µA)) | 75 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.6W(TA) | |||||
![]() | SI7858ADP-T1-E3 | 2.7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7858 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 12 v | 20A(TA) | 2.5V,4.5V | 2.6mohm @ 29a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 80 NC @ 4.5 V | ±8V | 5700 PF @ 6 V | - | 1.9W(TA) | |||||
![]() | IRF740LCPBF-BE3 | 3.0300 | ![]() | 987 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF740 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 742-IRF740LCPBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 400 v | 10A(TC) | 550MOHM @ 6A,10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ±30V | 1100 PF @ 25 V | - | 125W(TC) |
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