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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
SUP90N04-3M3P-GE3	-	RFQ	7148	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	40 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 22a，10v	2.5V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±20V	5286 pf @ 20 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SIB800EDK-T1-GE3	-	RFQ	2786	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB800	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	1.5A（TC）	1.5V，4.5V	225mohm @ 1.6A，4.5V	1V @ 250µA	1.7 NC @ 4.5 V	±6V		Schottky 二极管（孤立）	1.1W（TA），3.1W（TC）
SI7922DN-T1-GE3	1.7700	RFQ	45	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7922	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	1.8a		195mohm @ 2.5a，10v	3.5V @ 250µA	8NC @ 10V		-	逻辑级别门
SI7625DN-T1-GE3	1.1200	RFQ	43	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7625	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±20V	4427 PF @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI4406DY-T1-E3	-	RFQ	4191	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4406	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
IRFL214pbf	-	RFQ	3606	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL214	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	250 v	790mA（tc）	10V	2ohm @ 470mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRFR310TRLPBF	1.5300	RFQ	6733	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIR462DP-T1-GE3	1.1800	RFQ	2837	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir462	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	7.9Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1155 pf @ 15 V	-	4.8W（TA），41.7W（tc）
SIHB24N65E-GE3	5.9300	RFQ	4624	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2740 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SI8465DB-T2-E1	0.4500	RFQ	90	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8465	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	104mohm @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±12V	450 pf @ 10 V	-	（780MW）（TA），1.8W（tc）
SIR618DP-T1-GE3	1.1000	RFQ	4242	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir618	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	14.2A（TC）	7.5V，10V	95mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	16 NC @ 7.5 V	±20V	740 pf @ 100 V	-	48W（TC）
SI4973DY-T1-GE3	-	RFQ	2948	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4973	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	5.8a		23mohm @ 7.6A，10V	3V @ 250µA	56nc @ 10V		-	逻辑级别门
SI2304BDS-T1-BE3	0.4700	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2304BDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.6a（ta）	4.5V，10V	70MOHM @ 2.5A，10V	3V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 15 V	-	750MW（TA）
SIHP6N65E-GE3	1.0658	RFQ	6099	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
IRFR9020TRLPBF	0.8803	RFQ	1998	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
U291	-	RFQ	7340	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AC，TO-52-3	U291		500兆	TO-206AC（to-52）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		n通道								160pf @ 0v			30 V	200 ma @ 10 V	1.5 V @ 3 na	7欧姆
IRFZ34PBF-BE3	1.8800	RFQ	904	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFZ34PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	30A（TC）		50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	88W（TC）
SI7123DN-T1-GE3	-	RFQ	6245	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7123	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	10.2A（ta）	1.8V，4.5V	10.6mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	90 NC @ 4.5 V	±8V	3729 PF @ 10 V	-	1.5W（TA）
2N4392	-	RFQ	1307	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4392		1.8 w	TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N4392VSI	Ear99	8541.29.0095	200		n通道								14pf @ 20V			40 V	25 ma @ 20 V	2 V @ 1 na	60欧姆
SQ1922AEEH-T1_GE3	0.4600	RFQ	27	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1922	MOSFET （金属 o化物）	1.5W（TC）	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	850mA（TC）		300MOHM @ 400mA，4.5V	2.5V @ 250µA	1.2nc @ 4.5V		60pf @ 10V	-
SIHFR430ATR-GE3	0.4263	RFQ	2827	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHFR430	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHFR430ATR-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
SIDR622DP-T1-GE3	3.0500	RFQ	2007	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR622	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	64.6a（ta），56.7a（tc）	7.5V，10V	17.7mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1516 PF @ 75 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
2N4858JAN02	-	RFQ	5655	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4858			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SI4621DY-T1-E3	-	RFQ	4980	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4621	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	6.2A（TC）	4.5V，10V	54mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.1W（TC）
SI2301BDS-T1-GE3	0.5100	RFQ	40	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2301	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.2A（ta）	2.5V，4.5V	100mohm @ 2.8a，4.5V	950mv @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	375 pf @ 6 V	-	700MW（TA）
SIR638DP-T1-GE3	1.6600	RFQ	3258	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir638	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.88MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	204 NC @ 10 V	+20V，-16V	10500 PF @ 20 V	-	104W（TC）
IRF730APBF-BE3	1.9200	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF730APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	5.5A（TC）		1欧姆 @ 3.3a，10V	4.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRC740pbf	-	RFQ	2473	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRC740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRC740pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	电流感应	125W（TC）
SI4483DODY-T1-GE3	-	RFQ	4074	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4483	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	8.5mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA		±25V		-	1.5W（TA）
SI4866BDY-T1-E3	-	RFQ	7450	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4866	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	21.5A（TC）	1.8V，4.5V	5.3MOHM @ 12A，4.5V	1V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±8V	5020 PF @ 6 V	-	4.45W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²