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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI1031X-T1-E3	-	RFQ	8733	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1031	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	155ma（ta）	1.5V，4.5V	8ohm @ 150mA，4.5V	1.2V @ 250µA	1.5 NC @ 4.5 V	±6V		-	300MW（TA）
SI7860ADP-T1-E3	-	RFQ	9634	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7860	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 16a，10v	3V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
IRFP360LC	-	RFQ	3655	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP360	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP360LC	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	400 v	23A（TC）	10V	200mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	3400 PF @ 25 V	-	280W（TC）
SISA01DN-T1-GE3	0.9300	RFQ	4089	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA01	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	22.4a（TA），60a tc）	4.5V，10V	4.9mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	84 NC @ 10 V	+16V，-20V	3490 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
IRFZ24L	-	RFQ	7664	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFZ24	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFZ24L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SI5443DC-T1-GE3	-	RFQ	5288	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5443	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.6a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	14 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SIHF22N60S-E3	-	RFQ	2615	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	22a（TC）		190mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V		2810 PF @ 25 V	-	250W（TC）
SI8461DB-T2-E1	-	RFQ	4611	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8461	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.5a（ta）	1.5V，4.5V	100mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	24 NC @ 8 V	±8V	610 pf @ 10 V	-	（780MW）（TA），1.8W（tc）
SIZF360DT-T1-GE3	1.6100	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZF360	MOSFET （金属 o化物）	3.8W（TA），52W（ta（4.3w（ta），78W（（（（（（（（ta）	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIZF360DT-T1-GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基		30V	（23a）（ta），83a（tc），34a（ta（143a t c）（TC）		4.5mohm @ 10a，10v，1.9Mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	22nc @ 10v，62nc @ 10V		1100pf @ 15V，3150pf @ 15V	-
SIA911DJ-T1-E3	-	RFQ	2606	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA911	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		94mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	12.8nc @ 8V		355pf @ 10V	-
SIS429DNT-T1-GE3	0.1378	RFQ	1479年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS429	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 10.5a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	27.8W（TC）
SIHW23N60E-GE3	-	RFQ	1645年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHW23	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	23A（TC）	10V	158mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2418 PF @ 100 V	-	227W（TC）
IRF820ASTRR	-	RFQ	6816	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI7388DP-T1-E3	-	RFQ	2658	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7388	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12a（12a）	4.5V，10V	7mohm @ 19a，10v	1.6V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI2319DS-T1-E3	0.7500	RFQ	9520	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2319	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	40 V	2.3a（ta）	4.5V，10V	82MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 20 V	-	750MW（TA）
IRF624SPBF	2.1100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF624	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF624SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	4.4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
IRFRC20TRLPBF	1.8000	RFQ	6134	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIHB30N60E-E3	-	RFQ	2292	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIRA62DP-T1-RE3	1.4000	RFQ	20	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira62	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	51.4A（TA），80a tc）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	93 NC @ 10 V	+16V，-12V	4460 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），65.7W（TC）
SI3474DV-T1-GE3	0.4400	RFQ	5694	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3474	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.8A（TC）	4.5V，10V	126mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	196 pf @ 50 V	-	3.6W（TC）
SI7384DP-T1-E3	-	RFQ	1488	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7384	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 18A，10V	3V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
IRFZ44STRRPBF	-	RFQ	4326	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
IRF734	-	RFQ	1421	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF734	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF734	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	4.9A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.9a，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRF614SPBF	1.7300	RFQ	193	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF614	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	2.7A（TC）	10V	2ohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
SI6983DQ-T1-GE3	-	RFQ	3757	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6983	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.6a		24mohm @ 5.4a，4.5V	1V @ 400µA	30nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SQJA94EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	3505	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA94	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	46A（TC）	10V	13.5MOHM @ 10A，10V	3.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	55W（TC）
IRFD310	-	RFQ	7524	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD310	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD310	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	400 v	350mA（ta）	10V	3.6ohm @ 210mA，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SI8483DB-T2-E1	0.5600	RFQ	3193	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6- UFBGA	SI8483	MOSFET （金属 o化物）		6-micro脚™（1.5x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	16A（TC）	1.5V，4.5V	26mohm @ 1.5A，4.5V	800MV @ 250µA	65 NC @ 10 V	±10V	1840 pf @ 6 V	-	2.77W（TA），13W（tc）
SI2319DS-T1-GE3	0.7500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2319	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	40 V	2.3a（ta）	10V	82MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 20 V	-	750MW（TA）
IRF9Z24SPBF	2.0000	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9Z24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	11A（TC）	10V	280MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²