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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIR426DP-T1-GE3	1.0400	RFQ	26	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir426	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1160 pf @ 20 V	-	4.8W（TA），41.7W（tc）
IRFU224	-	RFQ	2961	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu2	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU224	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	250 v	3.8A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRF644PBF-BE3	1.7300	RFQ	980	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF644PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）		280MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI9926CDY-T1-E3	1.3200	RFQ	9	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9926	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		20V	8a		18mohm @ 8.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	33nc @ 10V		1200pf @ 10V	逻辑级别门
SIHB24N65E-E3	3.1311	RFQ	8758	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHB24N65EE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2740 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SI5853CDC-T1-E3	-	RFQ	3250	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5853	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4A（TC）	1.8V，4.5V	104mohm @ 2.5A，4.5V	1V @ 250µA	11 NC @ 8 V	±8V	350 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.5W（TA），3.1W（TC）
SQA442EJ-T1_GE3	0.6300	RFQ	29	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SQA442	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	9A（TC）	4.5V，10V	32MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±20V	636 pf @ 25 V	-	13.6W（TC）
SUM33N20-60P-E3	-	RFQ	2669	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum33	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	33A（TC）	10V，15V	59mohm @ 20a，15v	4.5V @ 250µA	113 NC @ 15 V	±25V	2735 PF @ 25 V	-	3.12W（TA），156W（tc）
IRFBC40ASTRRPBF	2.7871	RFQ	1953年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	1036 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SIE820DF-T1-GE3	2.4200	RFQ	730	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（S）	Sie820	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50A（TC）	2.5V，4.5V	3.5MOHM @ 18A，4.5V	2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±12V	4300 PF @ 10 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SI5517DU-T1-E3	-	RFQ	7282	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5517	MOSFET （金属 o化物）	8.3W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	6a		39mohm @ 4.4A，4.5V	1V @ 250µA	16nc @ 8V		520pf @ 10V	逻辑级别门
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SIHB17N80E-T1-GE3	5.1300	RFQ	5203	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB17	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB17N80E-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	800 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2408 PF @ 100 V	-	208W（TC）
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SI1307DL-T1-E3	-	RFQ	8792	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1307	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	850mA（ta）	1.8V，4.5V	290MOHM @ 1A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	5 NC @ 4.5 V	±8V		-	290MW（TA）
SI1417EDH-T1-E3	-	RFQ	9487	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1417	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	2.7a（ta）	1.8V，4.5V	85mohm @ 3.3a，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	8 NC @ 4.5 V	±12V		-	1W（ta）
SI1031X-T1-E3	-	RFQ	8733	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1031	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	155ma（ta）	1.5V，4.5V	8ohm @ 150mA，4.5V	1.2V @ 250µA	1.5 NC @ 4.5 V	±6V		-	300MW（TA）
SI7860ADP-T1-E3	-	RFQ	9634	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7860	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 16a，10v	3V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
IRFP360LC	-	RFQ	3655	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP360	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP360LC	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	400 v	23A（TC）	10V	200mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	3400 PF @ 25 V	-	280W（TC）
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IRFZ24L	-	RFQ	7664	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFZ24	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFZ24L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SI5443DC-T1-GE3	-	RFQ	5288	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5443	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.6a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	14 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SIHF22N60S-E3	-	RFQ	2615	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	22a（TC）		190mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V		2810 PF @ 25 V	-	250W（TC）
SI8461DB-T2-E1	-	RFQ	4611	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8461	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.5a（ta）	1.5V，4.5V	100mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	24 NC @ 8 V	±8V	610 pf @ 10 V	-	（780MW）（TA），1.8W（tc）
SIZF360DT-T1-GE3	1.6100	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZF360	MOSFET （金属 o化物）	3.8W（TA），52W（ta（4.3w（ta），78W（（（（（（（（ta）	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIZF360DT-T1-GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基		30V	（23a）（ta），83a（tc），34a（ta（143a t c）（TC）		4.5mohm @ 10a，10v，1.9Mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	22nc @ 10v，62nc @ 10V		1100pf @ 15V，3150pf @ 15V	-
SIA911DJ-T1-E3	-	RFQ	2606	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA911	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		94mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	12.8nc @ 8V		355pf @ 10V	-
SIS429DNT-T1-GE3	0.1378	RFQ	1479年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS429	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 10.5a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	27.8W（TC）
SIHW23N60E-GE3	-	RFQ	1645年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHW23	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	23A（TC）	10V	158mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2418 PF @ 100 V	-	227W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²