晶体管(5716)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
SI5515DC-T1-E3	-	询价	8862	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	SI5515	MOSFET（金属O化物）	1.1W	1206-8 ChipFET™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道		20V	4.4A、3A		40毫欧@4.4A，4.5V	1V@250μA	7.5nC@4.5V		-	逻辑电平门
红外荧光灯210	-	询价	4066	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	红外荧光灯210	MOSFET（金属O化物）		SOT-223	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFL210	EAR99	8541.29.0095	80		N沟道	200V	960mA（温度）	10V	1.5欧姆@580mA，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	140pF@25V	-	2W（Ta）、3.1W（Tc）
SI4170DY-T1-GE3	-	询价	3389	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4170	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	30A（温度）	4.5V、10V	3.5毫欧@15A，10V	2.6V@250μA	100nC@10V	±20V	4355pF@15V	-	3W（Ta）、6W（Tc）
SI7414DN-T1-GE3	1.5500	询价	7568	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7414	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	5.6A（塔）	4.5V、10V	25毫欧@8.7A，10V	3V@250μA	25nC@10V	±20V		-	1.5W（塔）
SIHG026N60EF-GE3	14.3000	询价	4124	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载		1（无限制）		742-SIHG026N60EF-GE3	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	600伏	95A（温度）	10V	26毫欧@38A，10V	5V@250μA	227nC@10V	±30V	7926pF@100V	-	521W（温度）
SI7454CDP-T1-GE3	-	询价	2262	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7454	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100伏	22A（温度）	4.5V、10V	30.5毫欧@10A、10V	2.8V@250μA	19.5nC@10V	±20V	580pF@50V	-	4.1W（Ta）、29.7W（Tc）
SUM70101EL-GE3	4.2300	询价	6937	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SUM70101	MOSFET（金属O化物）		TO-263 (D²Pak)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	800		P沟道	100伏	120A（温度）	4.5V、10V	10.1毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	190nC@10V	±20V	7000 pF @ 50 V	-	375W（温度）
SIR416DP-T1-GE3	1.3500	询价	5177	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIR416	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	50A（温度）	4.5V、10V	3.8毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	90nC@10V	±20V	3350pF@20V	-	5.2W（Ta）、69W（Tc）
SI7104DN-T1-E3	0.9923	询价	9071	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7104	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	12V	35A（温度）	2.5V、4.5V	3.7毫欧@26.1A，4.5V	1.8V@250μA	70nC@10V	±12V	2800pF@6V	-	3.8W（Ta）、52W（Tc）
SI4908DY-T1-GE3	-	询价	2840	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4908	MOSFET（金属O化物）	2.75W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		40V	5A		60毫欧@4.1A，10V	2.2V@250μA	12nC@10V		355pF@20V	-
IRF840STRRPBF	2.8500	询价	第415章	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF840	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	500V	8A（温度）	10V	850毫欧@4.8A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	125W（温度）
SI7326DN-T1-GE3	0.9100	询价	2	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7326	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	6.5A（塔）	4.5V、10V	19.5毫欧@10A、10V	1.8V@250μA	13nC@5V	±25V		-	1.5W（塔）
SIHF18N50D-E3	2.9100	询价	1	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	SIHF18	MOSFET（金属O化物）		TO-220全包	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	500V	18A（温度）	10V	280毫欧@9A，10V	5V@250μA	76nC@10V	±30V	1500 pF @ 100 V	-	39W（温度）
SI8424DB-T1-E1	-	询价	6622	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-XFBGA、CSPBGA	SI8424	MOSFET（金属O化物）		4-微足	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	8V	12.2A（温度）	1.2V、4.5V	31毫欧@1A，4.5V	1V@250μA	33nC@5V	±5V	1950pF@4V	-	2.78W（Ta）、6.25W（Tc）
SIHF12N50C-E3	5.2600	询价	994	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	SIHF12	MOSFET（金属O化物）		TO-220全包	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500V	12A（温度）	10V	555mOhm@4A，10V	5V@250μA	48nC@10V	±30V	1375pF@25V	-	36W（温度）
SI3909DV-T1-GE3	-	询价	8836	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3909	MOSFET（金属O化物）	1.15W	6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		20V	-		200毫欧@1.8A，4.5V	500mV@250μA（最低）	4nC@4.5V		-	逻辑电平门
SIHA17N80E-E3	4.8600	询价	5	威世硅科	B	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	SIHA17	MOSFET（金属O化物）		TO-220全包	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	800V	15A（温度）	10V	290毫欧@8.5A，10V	4V@250μA	122nC@10V	±30V	100V时为2408pF	-	35W（温度）
SIR680ADP-T1-RE3	2.3400	询价	3	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIR680	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	30.7A（Ta）、125A（Tc）	7.5V、10V	2.88毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	83nC@10V	±20V	4415pF@40V	-	6.25W（Ta）、104W（Tc）
SIS126DN-T1-GE3	0.9500	询价	9191	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SIS126	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	12A（Ta）、45.1A（Tc）	7.5V、10V	10.2毫欧@10A、10V	3.5V@250μA	32nC@10V	±20V	1402pF@40V	-	3.7W（Ta）、52W（Tc）
IRFR310TR	-	询价	2491	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	红外FR310	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	400V	1.7A（温度）	10V	3.6欧姆@1A，10V	4V@250μA	12nC@10V	±20V	170pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
IRF644SPBF	3.5900	询价	第766章	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF644	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRF644SPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	250伏	14A（温度）	10V	280毫欧@8.4A，10V	4V@250μA	68nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	3.1W（Ta）、125W（Tc）
SI4427BDY-T1-E3	1.6500	询价	1	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4427	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	30V	9.7A（塔）	2.5V、10V	10.5毫欧@12.6A，10V	1.4V@250μA	70nC@4.5V	±12V		-	1.5W（塔）
SQD50N04-5M6L_GE3	1.3300	询价	3	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	50新加坡元	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	40V	50A（温度）	4.5V、10V	5.6毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	75nC@10V	±20V	4000pF@25V	-	71W（温度）
IRFPE40	-	询价	9320	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IRFPE40	MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFPE40	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	800V	5.4A（温度）	10V	2欧姆@3.2A，10V	4V@250μA	130nC@10V	±20V	1900pF@25V	-	150W（温度）
SI4626ADY-T1-GE3	0.9923	询价	4355	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4626	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	30A（温度）	4.5V、10V	3.3毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	125nC@10V	±20V	5370pF@15V	-	3W（Ta）、6W（Tc）
SIHU6N80E-GE3	2.3400	询价	1499	威世硅科	B	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 长光源、IPak、TO-251AB	四虎6	MOSFET（金属O化物）		IPAK (TO-251)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	800V	5.4A（温度）	10V	940毫欧@3A，10V	4V@250μA	44nC@10V	±30V	100V时为827pF	-	78W（温度）
SI4390DY-T1-E3	-	询价	2263	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4390	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	8.5A（塔）	4.5V、10V	9.5毫欧@12.5A，10V	2.8V@250μA	15nC@4.5V	±20V		-	1.4W（塔）
红外光纤光栅30	-	询价	3844	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	红外光纤光栅30	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFBG30	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	1000伏	3.1A（温度）	10V	5欧姆@1.9A，10V	4V@250μA	80nC@10V	±20V	980pF@25V	-	125W（温度）
IRFR9024TR	-	询价	2242	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR9024	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道	60V	8.8A（温度）	10V	280毫欧@5.3A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	570pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
SQJ180EP-T1_GE3	1.9300	询价	5507	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET® Gen IV	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SQJ180EP-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	248A（TC）	10V	3毫欧@15A，10V	3.5V@250μA	117nC@10V	±20V	6645pF@25V	-	500W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²