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晶体管（（5716）

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SI4102DY-T1-GE3	-	RFQ	4349	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4102	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	3.8A（TC）	6V，10V	158mohm @ 2.7a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	370 pf @ 50 V	-	2.4W（ta），4.8W（TC）
SIA533EDJ-T1-GE3	0.6200	RFQ	5188	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA533	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		12V	4.5a		34mohm @ 4.6A，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 10V		420pf @ 6V	逻辑级别门
IRFI740GLC	-	RFQ	4993	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI740GLC	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	5.7A（TC）	10V	550MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	40W（TC）
SIA914DJ-T1-GE3	-	RFQ	6455	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA914	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4.5a		53MOHM @ 3.7A，4.5V	1V @ 250µA	11.5nc @ 8v		400pf @ 10V	逻辑级别门
IRFBC40STRLPBF	4.4500	RFQ	3642	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
SQJ958EP-T1_GE3	1.1100	RFQ	3783	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ958	MOSFET （金属 o化物）	35W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	20A（TC）		34.9mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	23nc @ 10V		1075pf @ 30V	-
SI7840BDP-T1-GE3	-	RFQ	8726	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7840	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 16.5A，10V	3V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
IRL3303D1STRR	-	RFQ	9378	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL3303	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	30 V	38A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 20a，10v	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	68W（TC）
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irfu110pbf	1.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU110	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu110pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	25W（TC）
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IRFBC30AL	-	RFQ	2824	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irfbc30al	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
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SIHB100N60E-GE3	5.0700	RFQ	345	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB100	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	30A（TC）	10V	100mohm @ 13A，10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1851 PF @ 100 V	-	208W（TC）
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SI6913DQ-T1-BE3	2.1400	RFQ	8472	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6913	MOSFET （金属 o化物）	830MW（TA）	8-tssop	下载		（1 （无限）		742-SI6913DQ-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	4.9a（ta）		21MOHM @ 5.8A，4.5V	900MV @ 400µA	28nc @ 4.5V		-	-
SQJ464EP-T1_BE3	1.0100	RFQ	1608	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ464EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	32A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 7.1a，10v	2.5V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2086 PF @ 30 V	-	45W（TC）
SQD50N05-11L_GE3	1.7000	RFQ	952	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	50 V	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 45a，10v	2.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2106 pf @ 25 V	-	75W（TC）
SI5515CDC-T1-GE3	0.8300	RFQ	7885	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5515	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	4a		36mohm @ 6a，4.5V	800MV @ 250µA	11.3nc @ 5V		632pf @ 10V	逻辑级别门
SI8416DB-T1-GE3	-	RFQ	9882	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6- UFBGA	SI8416	MOSFET （金属 o化物）		6微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	8 V	16A（TC）	1.2V，4.5V	23mohm @ 1.5A，4.5V	800MV @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±5V	1470 pf @ 4 V	-	2.77W（TA），13W（tc）
SI5485DU-T1-E3	-	RFQ	5665	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5485	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	2.5V，4.5V	25mohm @ 5.9a，4.5V	1.5V @ 250µA	42 NC @ 8 V	±12V	1100 pf @ 10 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SQ2310CES-T1_GE3	-	RFQ	9585	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件			742-SQ2310CES-T1_GE3TR			1		n通道	20 v	6A（TC）	1.8V，4.5V	30mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	590 pf @ 10 V	-	2W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²