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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
IRFZ34PBF-BE3	1.8800	RFQ	904	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFZ34PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	30A（TC）		50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	88W（TC）
SQ1922AEEH-T1_GE3	0.4600	RFQ	27	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1922	MOSFET （金属 o化物）	1.5W（TC）	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	850mA（TC）		300MOHM @ 400mA，4.5V	2.5V @ 250µA	1.2nc @ 4.5V		60pf @ 10V	-
2N4392	-	RFQ	1307	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4392		1.8 w	TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N4392VSI	Ear99	8541.29.0095	200		n通道								14pf @ 20V			40 V	25 ma @ 20 V	2 V @ 1 na	60欧姆
U291	-	RFQ	7340	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AC，TO-52-3	U291		500兆	TO-206AC（to-52）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		n通道								160pf @ 0v			30 V	200 ma @ 10 V	1.5 V @ 3 na	7欧姆
SI2304BDS-T1-BE3	0.4700	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2304BDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.6a（ta）	4.5V，10V	70MOHM @ 2.5A，10V	3V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 15 V	-	750MW（TA）
SIR5108DP-T1-RE3	1.5700	RFQ	5133	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir5108	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	15.4a（ta），55.9a tc）	7.5V，10V	7.45mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	5.2W（ta），65.7W（TC）
IRFR310TRLPBF	1.5300	RFQ	6733	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFL214pbf	-	RFQ	3606	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL214	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	250 v	790mA（tc）	10V	2ohm @ 470mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI7392ADP-T1-E3	-	RFQ	7249	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7392	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 12.5A，10V	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 15 V	-	5W（5W），27.5W（TC）
IRFR9310TRL	-	RFQ	4144	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
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SI4890DY-T1-GE3	-	RFQ	6613	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4890	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	12mohm @ 11a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	20 nc @ 5 V	±25V		-	2.5W（TA）
SIR638DP-T1-GE3	1.6600	RFQ	3258	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir638	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.88MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	204 NC @ 10 V	+20V，-16V	10500 PF @ 20 V	-	104W（TC）
SI7922DN-T1-GE3	1.7700	RFQ	45	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7922	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	1.8a		195mohm @ 2.5a，10v	3.5V @ 250µA	8NC @ 10V		-	逻辑级别门
SI7469DP-T1-E3	2.6600	RFQ	74	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7469	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	28a（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 10.2a，10v	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 40 V	-	5.2W（ta），83.3W（tc）
SI4621DY-T1-E3	-	RFQ	4980	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4621	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	6.2A（TC）	4.5V，10V	54mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.1W（TC）
SI7405BDN-T1-GE3	-	RFQ	3273	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7405	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	16A（TC）	1.8V，4.5V	13mohm @ 13.5a，4.5V	1V @ 250µA	115 NC @ 8 V	±8V	3500 PF @ 6 V	-	3.6W（TA），33W（tc）
SIHG47N60EF-GE3	9.9500	RFQ	492	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	47A（TC）	10V	67MOHM @ 24A，10V	4V @ 250µA	225 NC @ 10 V	±30V	4854 PF @ 100 V	-	379W（TC）
SI3430DV-T1-E3	1.2500	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3430	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	1.8A（ta）	6V，10V	170MOHM @ 2.4a，10V	2V @ 250µA（）	6.6 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
IRC740pbf	-	RFQ	2473	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRC740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRC740pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	电流感应	125W（TC）
SUD50P04-15-E3	-	RFQ	9391	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 30a，10v	1V @ 250µA（250µA）	130 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	（3W）（100W）（100W）TC）
SI2301BDS-T1-GE3	0.5100	RFQ	40	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2301	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.2A（ta）	2.5V，4.5V	100mohm @ 2.8a，4.5V	950mv @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	375 pf @ 6 V	-	700MW（TA）
SI7625DN-T1-GE3	1.1200	RFQ	43	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7625	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±20V	4427 PF @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI4406DY-T1-E3	-	RFQ	4191	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4406	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
TN0200K-T1-E3	-	RFQ	1530	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TN0200	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	730ma（ta）		400mohm @ 600mA，4.5V	1V @ 50µA	2 NC @ 4.5 V			-
SI5485DU-T1-GE3	-	RFQ	4626	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5485	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	2.5V，4.5V	25mohm @ 5.9a，4.5V	1.5V @ 250µA	42 NC @ 8 V	±12V	1100 pf @ 10 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
IRFRC20TRRPBF	0.8236	RFQ	6797	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFL014Tr	-	RFQ	6279	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.7A（TC）	10V	200mohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SIR462DP-T1-GE3	1.1800	RFQ	2837	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir462	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	7.9Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1155 pf @ 15 V	-	4.8W（TA），41.7W（tc）
Si4488dy-T1-GE3	2.2500	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4488	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	3.5A（ta）	10V	50mohm @ 5a，10v	2V @ 250µA（）	36 NC @ 10 V	±20V		-	1.56W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²