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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHFB20N50K-E3	3.2369	RFQ	2601	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHFB20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2870 pf @ 25 V	-	280W（TC）
SI7252DP-T1-GE3	2.1700	RFQ	5432	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7252	MOSFET （金属 o化物）	46W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	36.7a		18mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	27nc @ 10V		1170pf @ 50V	逻辑级别门
SIHB18N60E-GE3	1.7405	RFQ	7994	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB18	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	18A（TC）	10V	202MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SI4858DY-T1-GE3	-	RFQ	2808	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4858	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	5.25MOHM @ 20A，10V	1V @ 250µA（250µA）	40 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SIHG24N65E-E3	3.8346	RFQ	8861	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG24	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHG24N65EE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2740 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SI4850EY-T1	-	RFQ	5176	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4850	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	6a（6a）	4.5V，10V	22mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V		-	1.7W（TA）
SIA465EDJ-T1-GE3	0.1583	RFQ	2520	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA465	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6单	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	2.5V，4.5V	16.5MOHM @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±12V	2130 pf @ 10 V	-	19w（tc）
SIRC18DP-T1-GE3	1.3600	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRC18	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 15A，10V	2.4V @ 250µA	111 NC @ 10 V	+20V，-16V	5060 pf @ 15 V	（（（）	54.3W（TC）
SI4836DY-T1-GE3	-	RFQ	2498	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4836	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	17A（TA）	1.8V，4.5V	3mohm @ 25a，4.5V	400mv @ 250µA（250µA））	75 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SIA810DJ-T1-GE3	-	RFQ	9576	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA810	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	4.5A（TC）	1.8V，4.5V	53MOHM @ 3.7A，4.5V	1V @ 250µA	11.5 NC @ 8 V	±8V	400 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.9W（ta），6.5W（TC）
SIDR622DP-T1-GE3	3.0500	RFQ	2007	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR622	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	64.6a（ta），56.7a（tc）	7.5V，10V	17.7mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1516 PF @ 75 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SIHD6N65ET1-GE3	0.7371	RFQ	5044	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD6	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SIHB33N60ET5-GE3	3.8346	RFQ	8835	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB33	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	33A（TC）	10V	99MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3508 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SI4876DY-T1-GE3	-	RFQ	9709	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4876	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	14A（TA）	2.5V，4.5V	5mohm @ 21a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	80 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.6W（TA）
SISA18DN-T1-GE3	-	RFQ	8649	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA18	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	38.3a（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	+20V，-16V	1000 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
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SI7386DP-T1-GE3	1.6200	RFQ	32	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7386	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12a（12a）	4.5V，10V	7mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
SI8819EDB-T2-E1	0.4300	RFQ	6815	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	SI8819	MOSFET （金属 o化物）		4-microfoot®（0.8x0.8）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	2.9a（ta）	1.5V，3.7V	80mohm @ 1.5A，3.7V	900mv @ 250µA	17 NC @ 8 V	±8V	650 pf @ 6 V	-	900MW（TA）
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SI4816DY-T1-E3	-	RFQ	6633	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4816	MOSFET （金属 o化物）	1W，1.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	5.3a，7.7a		22mohm @ 6.3a，10v	2V @ 250µA	12nc @ 5V		-	逻辑级别门
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SIHFR430ATR-GE3	0.4263	RFQ	2827	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHFR430	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHFR430ATR-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
SI7123DN-T1-GE3	-	RFQ	6245	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7123	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	10.2A（ta）	1.8V，4.5V	10.6mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	90 NC @ 4.5 V	±8V	3729 PF @ 10 V	-	1.5W（TA）
SI7994DP-T1-GE3	3.7000	RFQ	1087	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7994	MOSFET （金属 o化物）	46W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	60a		5.6mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	80nc @ 10V		3500pf @ 15V	-
2N4858JAN02	-	RFQ	5655	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4858			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²