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---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N4416A | - | ![]() | 8179 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AF,TO-72-4金属可以 | 2N4416 | 300兆 | to-206af(72) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | n通道 | 4pf @ 15V | 35 v | 5 ma @ 15 V | 2.5 V @ 1 na | |||||||||||||||
![]() | SI1402DH-T1-GE3 | - | ![]() | 5669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SI1402 | MOSFET (金属 o化物) | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 2.7a(ta) | 2.5V,4.5V | 77MOHM @ 3A,4.5V | 1.6V @ 250µA | 4.5 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 950MW(TA) | |||||||||
![]() | IRFR9014TRR | - | ![]() | 5215 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 5.1A(TC) | 10V | 500MOHM @ 3.1A,10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | |||||||||
![]() | SI4931DY-T1-E3 | 1.2300 | ![]() | 8988 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4931 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 12V | 6.7a | 18mohm @ 8.9a,4.5V | 1V @ 350µA | 52nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||||||||
![]() | SI7615BDN-T1-GE3 | - | ![]() | 3755 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | (CT) | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7615 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 29A(ta),104a(tc) | 3.8mohm @ 20a,10v | 1.5V @ 250µA | 155 NC @ 10 V | ±12V | 4890 pf @ 10 V | - | 5.2W(ta),66w(tc) | |||||||||||
![]() | SIHD1K4N60E-GE3 | 1.1600 | ![]() | 5840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIHD1 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 600 v | 4.2A(TC) | 10V | 1.45ohm @ 500mA,10v | 5V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 V | ±30V | 172 PF @ 100 V | - | 63W(TC) | |||||||||
![]() | 2N4391-E3 | - | ![]() | 1881年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N4391 | 1.8 w | TO-206AA(to-18) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | n通道 | 14pf @ 20V | 40 V | 50 mA @ 20 V | 4 V @ 1 na | 30欧姆 | |||||||||||||
SIHP24N80AEF-GE3 | 4.0900 | ![]() | 9871 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SIHP24N80AEF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 800 v | 20A(TC) | 10V | 195mohm @ 10a,10v | 4V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ±30V | 1889 PF @ 100 V | - | 208W(TC) | ||||||||||
![]() | SI4838BDY-T1-GE3 | 1.6300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4838 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 12 v | 34A(TC) | 1.8V,4.5V | 2.7MOHM @ 15A,4.5V | 1V @ 250µA | 84 NC @ 4.5 V | ±8V | 5760 pf @ 6 V | - | 2.5W(ta),5.7W(TC) | |||||||||
![]() | 2N5115JTX02 | - | ![]() | 2166 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N5115 | TO-206AA(to-18) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | SI4838DY-T1-GE3 | 1.5641 | ![]() | 2872 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4838 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 12 v | 17A(TA) | 2.5V,4.5V | 3mohm @ 25a,4.5V | 600mv @ 250µA(250µA)) | 60 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.6W(TA) | ||||||||||
![]() | SI4884BDY-T1-E3 | - | ![]() | 7345 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4884 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 16.5A(TC) | 4.5V,10V | 9mohm @ 10a,10v | 3V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 1525 pf @ 15 V | - | 2.5W(TA),4.45W(TC) | |||||||||
![]() | SIHF9540PBF | - | ![]() | 7246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 管子 | 积极的 | SIHF9540 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SI1062X-T1-GE3 | 0.4500 | ![]() | 4926 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | SI1062 | MOSFET (金属 o化物) | SC-89-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 530ma(ta) | 1.5V,4.5V | 420MOHM @ 500mA,4.5V | 1V @ 250µA | 2.7 NC @ 8 V | ±8V | 43 pf @ 10 V | - | 220MW(TA) | ||||||||
![]() | SIHFB11N50A-E3 | 1.6861 | ![]() | 9439 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SIHFB11 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 11A(TC) | 10V | 520MOHM @ 6.6A,10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ±30V | 1423 PF @ 25 V | - | 170W(TC) | ||||||||||
![]() | SIHG20N50C-E3 | 3.0300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SIHG20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | SIHG20N50CE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 500 v | 20A(TC) | 10V | 270MOHM @ 10a,10v | 5V @ 250µA | 76 NC @ 10 V | ±30V | 2942 PF @ 25 V | - | 250W(TC) | ||||||||
![]() | SQD25N06-22L_GE3 | 1.7000 | ![]() | 8440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SQD25 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 60 V | 25A(TC) | 4.5V,10V | 22mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 1975 pf @ 25 V | - | 62W(TC) | |||||||||
![]() | SI4668DY-T1-E3 | - | ![]() | 9051 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4668 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 25 v | 16.2A(TC) | 4.5V,10V | 10.5MOHM @ 15A,10V | 2.6V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±16V | 1654 pf @ 15 V | - | 2.5W(ta),5W((((((() | |||||||||
![]() | SI4866BDY-T1-E3 | - | ![]() | 7450 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4866 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 12 v | 21.5A(TC) | 1.8V,4.5V | 5.3MOHM @ 12A,4.5V | 1V @ 250µA | 80 NC @ 4.5 V | ±8V | 5020 PF @ 6 V | - | 4.45W(TC) | |||||||||
![]() | SI1413DH-T1-E3 | - | ![]() | 8421 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SI1413 | MOSFET (金属 o化物) | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2.3a(ta) | 1.8V,4.5V | 115mohm @ 2.9a,4.5V | 800mv @ 100µA | 8.5 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1W(ta) | |||||||||
![]() | SI8817DB-T2-E1 | 0.4700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-XFBGA | SI8817 | MOSFET (金属 o化物) | 4微米 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2.1a(ta) | 1.5V,4.5V | 76mohm @ 1A,4.5V | 1V @ 250µA | 19 nc @ 8 V | ±8V | 615 pf @ 10 V | - | 500MW(TA) | ||||||||
![]() | SI4814BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 8091 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4814 | MOSFET (金属 o化物) | 3.3W,3.5W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 10a,10.5a | 18mohm @ 10a,10v | 3V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||||||
![]() | SIHFR1N60A-GE3 | 1.0000 | ![]() | 2762 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | sihfr1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 1.4A(TC) | 10V | 7ohm @ 840mA,10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W(TC) | ||||||||||
![]() | SI6943BDQ-T1-E3 | - | ![]() | 7976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | SI6943 | MOSFET (金属 o化物) | 800MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 12V | 2.3a | 80MOHM @ 2.5A,4.5V | 800MV @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||||||
![]() | SIHF9630S-GE3 | 0.7718 | ![]() | 9725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIHF9630 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SIHF9630S-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P通道 | 200 v | 6.5A(TC) | 10V | 800MOHM @ 3.9A,10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 700 pf @ 25 V | - | (3W(ta),74w tc(TC) | ||||||||
![]() | SI4483DODY-T1-GE3 | - | ![]() | 4074 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4483 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 10a(10a) | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 14a,10v | 3V @ 250µA | ±25V | - | 1.5W(TA) | ||||||||||
![]() | SIA485DJ-T1-GE3 | 0.5800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Sc-70-6 | SIA485 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®Sc-70-6 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 150 v | 1.6A(TC) | 6V,10V | 2.6ohm @ 500mA,10v | 4.5V @ 250µA | 6.3 NC @ 10 V | ±20V | 155 pf @ 75 V | - | 15.6W(TC) | ||||||||||
![]() | SIHB33N60ET1-GE3 | 6.1800 | ![]() | 2691 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIHB33 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 600 v | 33A(TC) | 10V | 99MOHM @ 16.5A,10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±30V | 3508 PF @ 100 V | - | 278W(TC) | ||||||||||
![]() | SIHD6N65ET5-GE3 | 0.7371 | ![]() | 8030 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIHD6 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 650 v | 7A(TC) | 10V | 600mohm @ 3a,10v | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ±30V | 820 PF @ 100 V | - | 78W(TC) | ||||||||||
![]() | SIHP22N60EL-GE3 | 2.1903 | ![]() | 2841 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SIHP22 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 21a(TC) | 10V | 197mohm @ 11a,10v | 5V @ 250µA | 74 NC @ 10 V | ±30V | 1690 pf @ 100 V | - | 227W(TC) |
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