SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -故障( v br(br)GSS) 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) 电压 -截止( -vgs Off) @ ID 电阻-RDS((在)
2N4416A Vishay Siliconix 2N4416A -
RFQ
ECAD 8179 0.00000000 Vishay Siliconix - 大部分 过时的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-206AF,TO-72-4金属可以 2N4416 300兆 to-206af(72) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 200 n通道 4pf @ 15V 35 v 5 ma @ 15 V 2.5 V @ 1 na
SI1402DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1402DH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5669 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SI1402 MOSFET (金属 o化物) SC-70-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 2.7a(ta) 2.5V,4.5V 77MOHM @ 3A,4.5V 1.6V @ 250µA 4.5 NC @ 4.5 V ±12V - 950MW(TA)
IRFR9014TRR Vishay Siliconix IRFR9014TRR -
RFQ
ECAD 5215 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR9014 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 5.1A(TC) 10V 500MOHM @ 3.1A,10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 270 pf @ 25 V - 2.5W(25W),25W(tc)
SI4931DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4931DY-T1-E3 1.2300
RFQ
ECAD 8988 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4931 MOSFET (金属 o化物) 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 2(p 通道(双) 12V 6.7a 18mohm @ 8.9a,4.5V 1V @ 350µA 52nc @ 4.5V - 逻辑级别门
SI7615BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7615BDN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3755 0.00000000 Vishay Siliconix - (CT) 在sic中停产 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SI7615 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 29A(ta),104a(tc) 3.8mohm @ 20a,10v 1.5V @ 250µA 155 NC @ 10 V ±12V 4890 pf @ 10 V - 5.2W(ta),66w(tc)
SIHD1K4N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHD1K4N60E-GE3 1.1600
RFQ
ECAD 5840 0.00000000 Vishay Siliconix e 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIHD1 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 4.2A(TC) 10V 1.45ohm @ 500mA,10v 5V @ 250µA 7.5 NC @ 10 V ±30V 172 PF @ 100 V - 63W(TC)
2N4391-E3 Vishay Siliconix 2N4391-E3 -
RFQ
ECAD 1881年 0.00000000 Vishay Siliconix - 大部分 过时的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-206AA,TO-18-3 2N4391 1.8 w TO-206AA(to-18) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 200 n通道 14pf @ 20V 40 V 50 mA @ 20 V 4 V @ 1 na 30欧姆
SIHP24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHP24N80AEF-GE3 4.0900
RFQ
ECAD 9871 0.00000000 Vishay Siliconix EF 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SIHP24N80AEF-GE3 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 800 v 20A(TC) 10V 195mohm @ 10a,10v 4V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±30V 1889 PF @ 100 V - 208W(TC)
SI4838BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4838BDY-T1-GE3 1.6300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4838 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 12 v 34A(TC) 1.8V,4.5V 2.7MOHM @ 15A,4.5V 1V @ 250µA 84 NC @ 4.5 V ±8V 5760 pf @ 6 V - 2.5W(ta),5.7W(TC)
2N5115JTX02 Vishay Siliconix 2N5115JTX02 -
RFQ
ECAD 2166 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA,TO-18-3 2N5115 TO-206AA(to-18) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
SI4838DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4838DY-T1-GE3 1.5641
RFQ
ECAD 2872 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4838 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 12 v 17A(TA) 2.5V,4.5V 3mohm @ 25a,4.5V 600mv @ 250µA(250µA)) 60 NC @ 4.5 V ±8V - 1.6W(TA)
SI4884BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4884BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7345 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4884 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 16.5A(TC) 4.5V,10V 9mohm @ 10a,10v 3V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 1525 pf @ 15 V - 2.5W(TA),4.45W(TC)
SIHF9540PBF Vishay Siliconix SIHF9540PBF -
RFQ
ECAD 7246 0.00000000 Vishay Siliconix * 管子 积极的 SIHF9540 - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50
SI1062X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1062X-T1-GE3 0.4500
RFQ
ECAD 4926 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-89,SOT-490 SI1062 MOSFET (金属 o化物) SC-89-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 530ma(ta) 1.5V,4.5V 420MOHM @ 500mA,4.5V 1V @ 250µA 2.7 NC @ 8 V ±8V 43 pf @ 10 V - 220MW(TA)
SIHFB11N50A-E3 Vishay Siliconix SIHFB11N50A-E3 1.6861
RFQ
ECAD 9439 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SIHFB11 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 11A(TC) 10V 520MOHM @ 6.6A,10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 V ±30V 1423 PF @ 25 V - 170W(TC)
SIHG20N50C-E3 Vishay Siliconix SIHG20N50C-E3 3.0300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SIHG20 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) SIHG20N50CE3 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 20A(TC) 10V 270MOHM @ 10a,10v 5V @ 250µA 76 NC @ 10 V ±30V 2942 PF @ 25 V - 250W(TC)
SQD25N06-22L_GE3 Vishay Siliconix SQD25N06-22L_GE3 1.7000
RFQ
ECAD 8440 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SQD25 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 25A(TC) 4.5V,10V 22mohm @ 20a,10v 2.5V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 1975 pf @ 25 V - 62W(TC)
SI4668DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4668DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9051 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4668 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 25 v 16.2A(TC) 4.5V,10V 10.5MOHM @ 15A,10V 2.6V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±16V 1654 pf @ 15 V - 2.5W(ta),5W((((((()
SI4866BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4866BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7450 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4866 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 12 v 21.5A(TC) 1.8V,4.5V 5.3MOHM @ 12A,4.5V 1V @ 250µA 80 NC @ 4.5 V ±8V 5020 PF @ 6 V - 4.45W(TC)
SI1413DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1413DH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8421 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SI1413 MOSFET (金属 o化物) SC-70-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 2.3a(ta) 1.8V,4.5V 115mohm @ 2.9a,4.5V 800mv @ 100µA 8.5 NC @ 4.5 V ±8V - 1W(ta)
SI8817DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8817DB-T2-E1 0.4700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-XFBGA SI8817 MOSFET (金属 o化物) 4微米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2.1a(ta) 1.5V,4.5V 76mohm @ 1A,4.5V 1V @ 250µA 19 nc @ 8 V ±8V 615 pf @ 10 V - 500MW(TA)
SI4814BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4814BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8091 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4814 MOSFET (金属 o化物) 3.3W,3.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(半桥) 30V 10a,10.5a 18mohm @ 10a,10v 3V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SIHFR1N60A-GE3 Vishay Siliconix SIHFR1N60A-GE3 1.0000
RFQ
ECAD 2762 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 sihfr1 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 600 v 1.4A(TC) 10V 7ohm @ 840mA,10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±30V 229 pf @ 25 V - 36W(TC)
SI6943BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6943BDQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7976 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) SI6943 MOSFET (金属 o化物) 800MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2(p 通道(双) 12V 2.3a 80MOHM @ 2.5A,4.5V 800MV @ 250µA 10NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SIHF9630S-GE3 Vishay Siliconix SIHF9630S-GE3 0.7718
RFQ
ECAD 9725 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIHF9630 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SIHF9630S-GE3TR Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 200 v 6.5A(TC) 10V 800MOHM @ 3.9A,10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 25 V - (3W(ta),74w tc(TC)
SI4483EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4483DODY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4074 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4483 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 10a(10a) 4.5V,10V 8.5mohm @ 14a,10v 3V @ 250µA ±25V - 1.5W(TA)
SIA485DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA485DJ-T1-GE3 0.5800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®Sc-70-6 SIA485 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®Sc-70-6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 150 v 1.6A(TC) 6V,10V 2.6ohm @ 500mA,10v 4.5V @ 250µA 6.3 NC @ 10 V ±20V 155 pf @ 75 V - 15.6W(TC)
SIHB33N60ET1-GE3 Vishay Siliconix SIHB33N60ET1-GE3 6.1800
RFQ
ECAD 2691 0.00000000 Vishay Siliconix e 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIHB33 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 600 v 33A(TC) 10V 99MOHM @ 16.5A,10V 4V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±30V 3508 PF @ 100 V - 278W(TC)
SIHD6N65ET5-GE3 Vishay Siliconix SIHD6N65ET5-GE3 0.7371
RFQ
ECAD 8030 0.00000000 Vishay Siliconix e 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIHD6 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 650 v 7A(TC) 10V 600mohm @ 3a,10v 4V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±30V 820 PF @ 100 V - 78W(TC)
SIHP22N60EL-GE3 Vishay Siliconix SIHP22N60EL-GE3 2.1903
RFQ
ECAD 2841 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SIHP22 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 21a(TC) 10V 197mohm @ 11a,10v 5V @ 250µA 74 NC @ 10 V ±30V 1690 pf @ 100 V - 227W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库